一种测定人血浆中麦考酚酸总浓度和游离浓度的方法

    公开(公告)号:CN1318844C

    公开(公告)日:2007-05-30

    申请号:CN200410093133.4

    申请日:2004-12-16

    Inventor: 郁韵秋 焦正 沈杰

    Abstract: 本发明属医学检验领域,涉及体内药物的分析测定方法,具体涉及一种测定人血浆中麦考酚酸总浓度和游离浓度的方法。本发明方法对待测样品经预处理后,利用MPA在碱性条件下有强的荧光吸收的特征,经碱性流动相在色谱柱分离后,用荧光检测器检测。该法使MPA的灵敏度提高两个数量级,可对游离MPA的浓度进行测定。本方法样品取样少,前处理简单、快速、灵敏,无需昂贵的设备和试剂,分析周期短,成本低,适合于MPA临床常规血药浓度的监测。

    一种测定人血浆中麦考酚酸总浓度和游离浓度的方法

    公开(公告)号:CN1621835A

    公开(公告)日:2005-06-01

    申请号:CN200410093133.4

    申请日:2004-12-16

    Inventor: 郁韵秋 焦正 沈杰

    Abstract: 本发明属医学检验领域,涉及体内药物的分析测定方法,具体涉及一种测定人血浆中麦考酚酸总浓度和游离浓度的方法。本发明方法对待测样品经预处理后,利用MPA在碱性条件下有强的荧光吸收的特征,经碱性流动相在色谱柱分离后,用荧光检测器检测。该法使MPA的灵敏度提高两个数量级,可对游离MPA的浓度进行测定。本方法样品取样少,前处理简单、快速、灵敏,无需昂贵的设备和试剂,分析周期短,成本低,适合于MPA临床常规血药浓度的监测。

    一种高载银量沸石分子筛醋酸脱碘吸附剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN101829542B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201010176268.2

    申请日:2010-05-13

    Abstract: 本发明属于化工技术领域,具体为一种高载银量沸石分子筛醋酸脱碘吸附剂及其制备方法。该吸附剂沸石孔道开口尺寸分别为0.66×0.71纳米与0.56×0.56纳米,具有BEA型沸石结构的特征X射线衍射线。该醋酸脱碘吸附剂用市售具有二维十二氧员环孔道开口的钠型BEA沸石分子筛粉,用粘结剂成型,原位水热强化处理产生化学键,再经离子交换脱钠、载银后制成。该吸附剂结晶程度高、颗粒强度大、载银量高,对强酸性介质中所含不同尺寸的有机碘化物和无机碘化物及分子碘均有强吸附能力,可以使经该吸附剂脱碘处理后产物醋酸中的总碘含量低于5ppb,适合用于作合成醋酸乙烯的原料。

    一种可见光活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101069840A

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200710042334.5

    申请日:2007-06-21

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于纳米二氧化钛光催化与光电化学技术领域,具体为一种可见光活性的碳掺杂二氧化钛薄膜的制备方法。该方法采用反应磁控溅射镀膜系统,其步骤包括制备碳钛镶嵌靶;将工作室抽至10-3Pa以下的真空,再依次通过适当比例的氧气和氩气,控制溅射电流为0.5~1A,溅射时间为0.5~3小时,即制得碳掺杂二氧化钛薄膜。本发明制备方法简单,制得薄膜具有可见光活性,可应用于太阳能光电转换和光催化分解水等方面。

    一种三层结构的二氧化钛光催化薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN112675922B

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202011458524.7

    申请日:2020-12-10

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于光催化薄膜技术领域,具体为三层结构的TiO2光催化薄膜及其制备方法。本发明的光催化薄膜中,底层为掺Mo的TiO2薄膜,中间层为甲胺铅碘钙钛矿薄膜,顶层为掺Mo的TiO2薄膜;其中底层与顶层的掺Mo浓度相同或不同。本发明采用全真空环境下的气相沉积技术,利用磁控溅射与真空蒸发方法制备三层结构的TiO2光催化薄膜。本发明将甲胺铅碘钙钛矿型窄带隙材料引入到掺Mo的TiO2薄膜作为中间层,在可见光下可产生大量电子‑空穴对;并利用多层薄膜层与层间的费米能级差在薄膜内植入多个可调制的内建电场,有效地提高载流子的迁移率。由此得到具有高效光吸收性和光催化活性的多层TiO2薄膜,具有很好的实用价值。

    一种宽禁带TmSnO半导体薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN110098260A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201910287859.8

    申请日:2019-04-11

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明涉及一种宽禁带TmSnO半导体薄膜晶体管的制备方法,半导体薄膜晶体管制备方法包括以下步骤:提供一带有二氧化硅介质层的硅衬底,采用磁控溅射法在其上依次制备稀土元素Tm掺杂SnO2有源层,以及ITO透明导电薄膜源漏电极。本发明采用物理方法将稀土Tm元素掺杂进SnO2薄膜中,有效地抑制了SnO2半导体的氧空位,制备得到的TmSnO薄膜的禁带宽度大于3.8 eV。将制备得到的TmSnO薄膜应用于晶体管,得到的场效应薄膜晶体管具有优良的综合性能,优化的场效应迁移率大于5.0 cm2V-1s-1,开关比大于107,阈值电压大于-3 V,亚阈值摆幅小于0.7 Vdec-1,具有一定的产业应用前景。

    一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103397302A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310271374.2

    申请日:2013-07-01

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于太阳能和激光技术领域,具体为一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术,靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO2陶瓷靶,基片为石英或硅片;射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO2薄膜,并通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量,从而得到致密性好,均匀程度高,机械和光学性能优良的上转换发光薄膜。

Patent Agency Ranking