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公开(公告)号：CN115159450A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210776036.3
申请日：2022-07-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体为一种基于NbB2催化提升MgH2储氢性能的方法。本发明步骤：1首先利用球磨进行固相反应合成非晶NbB2纳米颗粒；将制备的催化剂与MgH2进行加氢球磨混合制备复合材料；将上述复合材料进行吸放氢测试，即可表现出NbB2作为双功能催化剂的作用。本采用简单的工艺制备高性能NbB2催化剂用于催化MgH2储氢，制备的复合材料不仅吸放氢温度相对于纯MgH2大幅下降，而且得益于原位产生的MgB2再氢化，体系在循环后储氢容量高于初始氢容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1191592C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN00115362.5
申请日：2000-04-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种新的透明导电薄膜及其制备方法。该薄膜以氧化铟为主氧化物，以六价元素钼或钨为掺杂元素。制备时，在玻璃基板上先镀一层氧化铟作为防扩散阻挡层，然后掺杂，控制掺杂元素的掺入量，制得透明导电薄膜氧化铟钼(钨)。该薄膜具有良好的导电性能，制备工艺也简单。
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公开(公告)号：CN115159459A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210776033.X
申请日：2022-07-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体为一种基于V4Nb18O55催化提升MgH2储氢性能的方法。本发明步骤如下：首先利用溶剂热和热处理两步结合制备V4Nb18O55催化剂；将制备的催化剂与MgH2进行加氢球磨混合制备复合材料；将上述复合材料进行吸放氢测试，即可表现出V4Nb18O55高性能催化作用。本发明采用简单的工艺制备高性能V4Nb18O55催化剂，并用于催化MgH2储氢，制备的复合材料吸放氢温度相对于纯MgH2大幅下降，且在室温下可以实现完全再氢化。
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公开(公告)号：CN115159450B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210776036.3
申请日：2022-07-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体为一种基于NbB2催化提升MgH2储氢性能的方法。本发明步骤：1首先利用球磨进行固相反应合成非晶NbB2纳米颗粒；将制备的催化剂与MgH2进行加氢球磨混合制备复合材料；将上述复合材料进行吸放氢测试，即可表现出NbB2作为双功能催化剂的作用。本采用简单的工艺制备高性能NbB2催化剂用于催化MgH2储氢，制备的复合材料不仅吸放氢温度相对于纯MgH2大幅下降，而且得益于原位产生的MgB2再氢化，体系在循环后储氢容量高于初始氢容量。
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公开(公告)号：CN115159459B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210776033.X
申请日：2022-07-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体为一种基于V4Nb18O55催化提升MgH2储氢性能的方法。本发明步骤如下：首先利用溶剂热和热处理两步结合制备V4Nb18O55催化剂；将制备的催化剂与MgH2进行加氢球磨混合制备复合材料；将上述复合材料进行吸放氢测试，即可表现出V4Nb18O55高性能催化作用。本发明采用简单的工艺制备高性能V4Nb18O55催化剂，并用于催化MgH2储氢，制备的复合材料吸放氢温度相对于纯MgH2大幅下降，且在室温下可以实现完全再氢化。
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公开(公告)号：CN1267061A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN00115362.5
申请日：2000-04-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种新的透明导电薄膜及其制备方法。该薄膜以氧化铟为主氧化物,以六价元素钼或钨为掺杂元素。制备时,在玻璃基板上先镀一层氧化铟作为防护散阻挡层,然后掺杂,控制掺杂元素的掺入量,制得透明导电薄膜氧化铟钼(钨)。该薄膜具有良好的导电性能,制备工艺也简单。
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