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公开(公告)号：CN103397302A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310271374.2
申请日：2013-07-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于太阳能和激光技术领域，具体为一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术，靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO2陶瓷靶，基片为石英或硅片；射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO2薄膜，并通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量，从而得到致密性好，均匀程度高，机械和光学性能优良的上转换发光薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102836704A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210350730.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光催化薄膜技术领域，具体为一种三层结构的掺钼TiO2光催化薄膜及其制备方法。三层结构中，底层为高浓度掺钼TiO2薄膜，中间为低浓度掺钼TiO2薄膜，顶层为纯TiO2薄膜；本发明利用多靶射频磁控共溅射技术原位制备三层结构的钼掺杂TiO2薄膜，制膜过程在真空室中一次完成，方法简便高效，适合大面积的工业化生产。本发明以钼的掺杂浓度来控制各层的费米能级，利用层与层间的费米能级差在薄膜内植入了多个可调制的内建电场，实现了高浓度掺杂半导体在可见光下大量电子-空穴对的迅速分离，最终得到在可见与紫外波段光催化性能优异的薄膜。
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公开(公告)号：CN103394376B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310271709.0
申请日：2013-07-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光催化薄膜技术领域，具体为一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术，使用三靶共溅的溅射仪器，三个溅射靶分别为碳化钛陶瓷靶、嵌钼二氧化钛陶瓷靶以及纯二氧化钛陶瓷靶；基板采用玻璃或金属板，溅射时以Ar离子轰击靶材，通过调节各靶的溅射功率来实时调控薄膜的钼、碳和钛的原子浓度比，以获得优良的光催化和光电转换性能。
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公开(公告)号：CN102836704B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210350730.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光催化薄膜技术领域，具体为一种三层结构的掺钼TiO2光催化薄膜及其制备方法。三层结构中，底层为高浓度掺钼TiO2薄膜，中间为低浓度掺钼TiO2薄膜，顶层为纯TiO2薄膜；本发明利用多靶射频磁控共溅射技术原位制备三层结构的钼掺杂TiO2薄膜，制膜过程在真空室中一次完成，方法简便高效，适合大面积的工业化生产。本发明以钼的掺杂浓度来控制各层的费米能级，利用层与层间的费米能级差在薄膜内植入了多个可调制的内建电场，实现了高浓度掺杂半导体在可见光下大量电子-空穴对的迅速分离，最终得到在可见与紫外波段光催化性能优异的薄膜。
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公开(公告)号：CN103397302B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310271374.2
申请日：2013-07-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于太阳能和激光技术领域，具体为一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术，靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO2陶瓷靶，基片为石英或硅片；射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO2薄膜，并通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量，从而得到致密性好，均匀程度高，机械和光学性能优良的上转换发光薄膜。
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公开(公告)号：CN103394376A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310271709.0
申请日：2013-07-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光催化薄膜技术领域，具体为一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术，使用三靶共溅的溅射仪器，三个溅射靶分别为碳化钛陶瓷靶、嵌钼二氧化钛陶瓷靶以及纯二氧化钛陶瓷靶；基板采用玻璃或金属板，溅射时以Ar离子轰击靶材，通过调节各靶的溅射功率来实时调控薄膜的钼、碳和钛的原子浓度比，以获得优良的光催化和光电转换性能。
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