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公开(公告)号:CN1195219C
公开(公告)日:2005-03-30
申请号:CN03129410.3
申请日:2003-06-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是微电极阵列芯片传感器。现有该类芯片传感器制备复杂、成本高、灵敏度不高。本发明提供了一种硅基表面的微电极阵列芯片传感器,该微电极阵列由叉指状微电极组成,该结构使正负电极之间距离足够小,保证了正负极之间电沉积电聚合功能分子时,膜厚度均匀可控;同时正负极发生反应时电子传输速率远高于平面电极,被测物在电极表面的传输速度也很快,因而这种叉指状设计优于平面电极,从而大大提高了检测灵敏度;该芯片运用MEMS技术,使制备工艺简单,操作方便,若将芯片表面作各种用途的修饰,本发明可用于不同用途的芯片传感器制作。
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公开(公告)号:CN1462878A
公开(公告)日:2003-12-24
申请号:CN03129410.3
申请日:2003-06-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是微电极阵列芯片传感器。现有该类芯片传感器制备复杂、成本高、灵敏度不高。本发明提供了一种硅基表面的微电极阵列芯片传感器,该微电极阵列由叉指状微电极组成,该结构使正负电极之间距离足够小,保证了正负极之间电沉积电聚合功能分子时,膜厚度均匀可控;同时正负极发生反应时电子传输速率远高于平面电极,被测物在电极表面的传输速度也很快,因而这种叉指状设计优于平面电极,从而大大提高了检测灵敏度;该芯片运用MEMS技术,使制备工艺简单,操作方便,若将芯片表面作各种用途的修饰,本发明可用于不同用途的芯片传感器制作。
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