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公开(公告)号：CN120035369A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510159011.2
申请日：2025-02-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H10N50/01 , H10N50/10 , H10N50/85 , C23C14/30 , C23C14/06 , C23C14/28 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/54
Abstract: 本发明公开了一种在锰氧化物中实现低场室温庞磁阻效应的器件及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上制备庞磁阻掺杂稀土锰氧化物薄膜，实现300K以上的内禀相变温度，并处于反铁磁绝缘态；在锰氧化物薄膜表面制备稀有气体固态缓冲层；在缓冲层上沉积孤立的铁磁纳米岛，以在反铁磁相中直接诱导出铁磁畴成核；在铁纳米岛表面沉积保护层。本发明通过制备的铁纳米岛控制相分离尺度以及原始铁磁畴百分比，使其略低于渗流阈值；通过施加小磁场，诱导铁磁畴长大形成渗流，在低场下实现庞磁阻效应。本发明制备方法简单，器件可以同时满足在低场和室温下实现庞磁阻效应，是自旋电子学领域的重大突破，对于传感、存储、类脑计算等应用意义重大。
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公开(公告)号：CN118748907A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410785257.6
申请日：2024-06-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于N型碲单质半导体的非线性霍尔整流器及其制备方法。本发明制备方法包括水热法生长碲纳米片，微纳工艺将样品制成霍尔长条，蒸镀镍/金作为接触电极，整体覆盖有氧化铝薄膜用于载流子浓度调节与器件保护。本发明的整流器依托于非线性霍尔效应产生的谐振信号与整流信号，在经过氧化铝调节后，可以将P型碲调控为N型碲，进一步通过施加背栅压，费米能级接近导带底Weyl点，得到很强的非线性霍尔整流信号。本发明得到的碲的器件在室温下表现出很高性能的整流电压响应度，可达1.7×106 V/W。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110144553A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910280729.1
申请日：2019-04-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积原子级精度激光分子束外延薄膜制备系统及方法。本发明系统包括快速进样室、主腔及其配件、准分子激光器、气体传输组件、机械泵以及若干个分子泵。本发明通过利用二轴步进电机对激光光路中的全反镜进行控制，对系统中的氧管、高能电子衍射、样品加热组件进行修改以及对样品架、样品托重新设计，实现大样品均匀生长。本发明制备的样品具有生长面积大、表面平整、无颗粒物、各区域物理性质一致的优点。本发明方法可通过控制激光光路、靶台等设备，实现样品的自动和手动生长。
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公开(公告)号：CN119710907A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411827594.3
申请日：2024-12-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种复杂氧化物界面一维体系的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积技术，基于衬底本身的台阶结构，通过沿台阶流动的生长方式制备复杂氧化物的新型一维纳米材料，其包括：在衬底上外延生长材料S，厚度为1个台阶高度，横向宽度为L1；在衬底上或者在材料S上沿新的台阶边缘横向外延生长材料B，横向宽度为L2，厚度为1个台阶高度；将L1+L2作为一个周期，重复生长n个周期；重复上述步骤，在纵向方向上实现N个重复，即实现复杂氧化物新型界面一维体系的制备。本发明方法开拓了一种新的材料界面调控途径，并且可以推广到其他关联体系，为全氧化物自旋电子器件的研发奠定物理基础。
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公开(公告)号：CN119710906A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411819211.8
申请日：2024-12-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于凝聚态物理和材料科学技术领域，具体为一种超薄单晶铁电PZT薄膜及其制备方法。本发明采用脉冲激光沉积PLD方法，用脉冲激光轰击PZT靶材将单晶铁电PZT薄膜生长在单晶衬底上；沉积过程包括两个阶段：单晶层生长阶段和快速降温阶段；本发明方法简单易于操作，通过控制PLD生长时的激光能量、衬底沉积生长温度和氧压来实现超薄铁电单晶薄膜的生长。本发明中，利用高能电子衍射仪RHEED实时监控生长过程，确保了生长时薄膜晶体质量及厚度，通过原子力显微镜观察所制备的样品表明形貌，证实了其表面的原子级平整度；本发明在单晶衬底上生长的PZT薄膜，在最薄只有2层晶格时依然保持铁电性，并可实现铁电极化翻转。
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公开(公告)号：CN110144553B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201910280729.1
申请日：2019-04-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积原子级精度激光分子束外延薄膜制备系统及方法。本发明系统包括快速进样室、主腔及其配件、准分子激光器、气体传输组件、机械泵以及若干个分子泵。本发明通过利用二轴步进电机对激光光路中的全反镜进行控制，对系统中的氧管、高能电子衍射、样品加热组件进行修改以及对样品架、样品托重新设计，实现大样品均匀生长。本发明制备的样品具有生长面积大、表面平整、无颗粒物、各区域物理性质一致的优点。本发明方法可通过控制激光光路、靶台等设备，实现样品的自动和手动生长。
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公开(公告)号：CN210163516U
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201920470169.1
申请日：2019-04-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型公开了一种大面积原子级精度激光分子束外延薄膜制备系统。本实用新型系统包括快速进样室、主腔及其配件、准分子激光器、气体传输组件、机械泵以及若干个分子泵。本实用新型通过利用二轴步进电机对激光光路中的全反镜进行控制，对系统中的氧气管、反射式高能电子衍射仪、样品加热组件进行修改以及对样品架、样品托重新设计，实现大样品均匀生长。本实用新型制备的样品具有生长面积大、表面平整、无颗粒物、各区域物理性质一致的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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