公开(公告)号：CN120035369A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510159011.2

申请日：2025-02-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱银燕 ,  沈健 ,  高文萍 ,  廖文涛

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  C23C14/30 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种在锰氧化物中实现低场室温庞磁阻效应的器件及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上制备庞磁阻掺杂稀土锰氧化物薄膜，实现300K以上的内禀相变温度，并处于反铁磁绝缘态；在锰氧化物薄膜表面制备稀有气体固态缓冲层；在缓冲层上沉积孤立的铁磁纳米岛，以在反铁磁相中直接诱导出铁磁畴成核；在铁纳米岛表面沉积保护层。本发明通过制备的铁纳米岛控制相分离尺度以及原始铁磁畴百分比，使其略低于渗流阈值；通过施加小磁场，诱导铁磁畴长大形成渗流，在低场下实现庞磁阻效应。本发明制备方法简单，器件可以同时满足在低场和室温下实现庞磁阻效应，是自旋电子学领域的重大突破，对于传感、存储、类脑计算等应用意义重大。

公开(公告)号：CN119710906A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411819211.8

申请日：2024-12-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱银燕 ,  沈健 ,  廖文涛

IPC: C30B23/02 ,  C30B30/00 ,  C30B29/22 ,  C30B29/64 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于凝聚态物理和材料科学技术领域，具体为一种超薄单晶铁电PZT薄膜及其制备方法。本发明采用脉冲激光沉积PLD方法，用脉冲激光轰击PZT靶材将单晶铁电PZT薄膜生长在单晶衬底上；沉积过程包括两个阶段：单晶层生长阶段和快速降温阶段；本发明方法简单易于操作，通过控制PLD生长时的激光能量、衬底沉积生长温度和氧压来实现超薄铁电单晶薄膜的生长。本发明中，利用高能电子衍射仪RHEED实时监控生长过程，确保了生长时薄膜晶体质量及厚度，通过原子力显微镜观察所制备的样品表明形貌，证实了其表面的原子级平整度；本发明在单晶衬底上生长的PZT薄膜，在最薄只有2层晶格时依然保持铁电性，并可实现铁电极化翻转。