公开(公告)号：CN119710907A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411827594.3

申请日：2024-12-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱银燕 ,  沈健 ,  朱志飞 ,  高文萍

IPC: C30B23/02 ,  C30B30/00 ,  C30B29/22 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明公开了一种复杂氧化物界面一维体系的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积技术，基于衬底本身的台阶结构，通过沿台阶流动的生长方式制备复杂氧化物的新型一维纳米材料，其包括：在衬底上外延生长材料S，厚度为1个台阶高度，横向宽度为L1；在衬底上或者在材料S上沿新的台阶边缘横向外延生长材料B，横向宽度为L2，厚度为1个台阶高度；将L1+L2作为一个周期，重复生长n个周期；重复上述步骤，在纵向方向上实现N个重复，即实现复杂氧化物新型界面一维体系的制备。本发明方法开拓了一种新的材料界面调控途径，并且可以推广到其他关联体系，为全氧化物自旋电子器件的研发奠定物理基础。