公开(公告)号：CN118748907A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410785257.6

申请日：2024-06-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 何攀 ,  沈健 ,  刘昊 ,  殷立峰 ,  王文彬 ,  周晓东 ,  郭杭闻 ,  朱银燕

IPC: H10N52/01 ,  H10N52/00 ,  H10N52/80

Abstract: 本发明公开了一种基于N型碲单质半导体的非线性霍尔整流器及其制备方法。本发明制备方法包括水热法生长碲纳米片，微纳工艺将样品制成霍尔长条，蒸镀镍/金作为接触电极，整体覆盖有氧化铝薄膜用于载流子浓度调节与器件保护。本发明的整流器依托于非线性霍尔效应产生的谐振信号与整流信号，在经过氧化铝调节后，可以将P型碲调控为N型碲，进一步通过施加背栅压，费米能级接近导带底Weyl点，得到很强的非线性霍尔整流信号。本发明得到的碲的器件在室温下表现出很高性能的整流电压响应度，可达1.7×106 V/W。