公开(公告)号：CN118837705A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410960220.2

申请日：2024-07-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 罗涛 ,  侯欣蓝 ,  罗润鼎 ,  项载满 ,  王学良 ,  樊嘉杰

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04 ,  G01R1/20 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种空间辐照环境下SiC MOSFET器件阈值电压在线采集装置；其包括电源模块、样品试验模块、阈值电压监测模块和数据处理模块；其中：阈值电压监测模块，分为两部分，电压信号采集和开关信号控制，电压信号采集部分采集MOSFET器件的栅极、漏极信号，开关信号控制部分控制接入电压信号采集部分的电源连接方式以决定阈值电压的监测。本发明不依赖于控制电路，并且将测试信号与测试电路隔离，进一步保证了阈值电压监测的准确性。本发明信号控制简单，无额外控制电路，可以在辐照等极端环境条件下完成在线阈值电压的监测，并且可以用配备的机械封装进行组装，便于应用。

公开(公告)号：CN116643138A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310716372.3

申请日：2023-06-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  侯欣蓝

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统及其方法，包括依次连接的电源模块、高温偏置试验电路板、信号监测模块和信号采集模块，其中，电源模块通过外接电源信号向高温偏置试验电路板接入试验应用条件的栅极电压；信号监测模块用于监测实时的栅极、漏极电流信号，并传输给信号采集模块完成最终试验数据的计算整理和存储；高温偏置试验电路板连接有温度控制模块，用于提供试验条件所需温度。与现有技术相比，本发明能够在不中断试验的情况下进行实时的阈值电压在线监测，降低可靠性试验过程中的数据延迟问题，能够同时采集栅极、漏极实时电流信号，保证了采集数据与实际试验过程的同步。

公开(公告)号：CN112853319A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110025235.6

申请日：2021-01-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马宏平 ,  侯欣蓝 ,  张园览 ,  吴帆正树

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体为一种在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法。本发明采用等离子体增强原子层沉积技术，利用等离子增强原子层沉积能够大大降低生长温度的优势，使用前驱体三甲基镓作为镓源，氨气作为氮源；通过调节等离子体功率和前驱体脉冲时间工艺参数，实现高质量GaN薄膜的可控生长。本发明方法成功实现了GaN薄膜的低温异质外延生长，结晶性好，具有与ZnO纳米线完美匹配的晶向，且外延层厚度可原子层级精确调控。在功率器件、微电子、晶体管、传感器、光电探测、光电催化和能源等领域将发挥重要的科学价值，具有广泛应用前景。