公开(公告)号：CN109148593B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201810775365.X

申请日：2018-07-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术在热氧化SiO2基片上制备p型CuBi2O4沟道层，源漏电极采用Au、Ni、Cu或ITO电极，形成具有一定p型调制功能的底栅结构型TFT器件。本发明制备的CuBi2O4沟道层具有稳定的p型半导体特性，器件结构简单且制备工艺与微电子兼容，在OLED显示以及透明电子电路中具有广阔的工业应用前景。

公开(公告)号：CN105255486A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510715029.2

申请日：2015-10-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈杰 ,  任锦华 ,  王俊 ,  郑明扬

IPC: C09K11/64 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  B32B9/04 ,  B32B15/00

Abstract: 本发明属于光致发光和太阳能电池技术领域，具体为一种Er、Yb共掺杂Al2O3/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法。本发明在石英或硅基片上制备双层薄膜，底层为Er/Yb共掺杂Al2O3薄膜，采用射频溅射技术沉积，溅射靶材为镶嵌金属Er片和Yb片的Al2O3陶瓷靶，通过控制Er片和Yb片在溅射区的面积和溅射功率来控制Er、Yb掺杂量；顶层为不连续的Ag金属膜，采用直流磁控溅射技术沉积，靶材为Ag靶，通过控制Ag的溅射功率和时间可获得不同表面形貌的Ag膜。本发明制备的双层薄膜结构与Er、Yb掺杂Al2O3单层薄膜结构相比，具有明显增强的上转换发光性能。本发明方法工艺稳定性好，可重复性高，具有工业生产前景。

公开(公告)号：CN110098260A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910287859.8

申请日：2019-04-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群 ,  沈杰 ,  李凯文 ,  黄瑜婷 ,  盛楚明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种宽禁带TmSnO半导体薄膜晶体管的制备方法，半导体薄膜晶体管制备方法包括以下步骤：提供一带有二氧化硅介质层的硅衬底，采用磁控溅射法在其上依次制备稀土元素Tm掺杂SnO2有源层，以及ITO透明导电薄膜源漏电极。本发明采用物理方法将稀土Tm元素掺杂进SnO2薄膜中，有效地抑制了SnO2半导体的氧空位，制备得到的TmSnO薄膜的禁带宽度大于3.8 eV。将制备得到的TmSnO薄膜应用于晶体管，得到的场效应薄膜晶体管具有优良的综合性能，优化的场效应迁移率大于5.0 cm2V-1s-1，开关比大于107，阈值电压大于-3 V，亚阈值摆幅小于0.7 Vdec-1，具有一定的产业应用前景。

公开(公告)号：CN108336146A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810133252.X

申请日：2018-02-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群 ,  李喜峰 ,  杨建文 ,  林东 ,  李凯文

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体为一种基于Al2O3高k介质层的GaxSn1-xO薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用溶液法在硅基片上制备Al2O3高k介质层和GaxSn1-xO沟道层，源漏电极采用ITO或Al电极，形成具有一定电学功能的底栅结构型TFT器件。本发明将传统的溶液制备Al2O3介质层技术和无铟GaxSn1-xO双金属氧化物沟道有机结合，实现了高性能的场效应TFT器件，最佳的性能参数为场效应迁移率76.3 cm2V-1s-1，饱和迁移率71.6 cm2V-1s-1，开关比1.8×107，阈值电压0.67V，亚阈值摆幅76mVdec-1。

公开(公告)号：CN109742152A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811649070.4

申请日：2018-12-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群 ,  沈杰

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种稀土Er掺杂SnO2薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用磁控溅射法在SiO2介质层上制备ErSnO沟道层，源漏电极采用ITO透明导电薄膜。本发明将稀土Er材料通过物理的方法掺杂进SnO2半导体中，有效地抑制了SnO2半导体的缺陷态。制备的场效应薄膜晶体管器件综合性能优良，器件场效应迁移率大于3.0 cm2V-1s-1，开关比大于106，阈值电压大于-9 V，亚阈值摆幅小于1 Vdec-1，具有广阔的工业应用前景。

公开(公告)号：CN109148593A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810775365.X

申请日：2018-07-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术在热氧化SiO2基片上制备p型CuBi2O4沟道层，源漏电极采用Au、Ni、Cu或ITO电极，形成具有一定p型调制功能的底栅结构型TFT器件。本发明制备的CuBi2O4沟道层具有稳定的p型半导体特性，器件结构简单且制备工艺与微电子兼容，在OLED显示以及透明电子电路中具有广阔的工业应用前景。

公开(公告)号：CN105255486B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201510715029.2

申请日：2015-10-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈杰 ,  任锦华 ,  王俊 ,  郑明扬

IPC: C09K11/64 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  B32B9/04 ,  B32B15/00

Abstract: 本发明属于光致发光和太阳能电池技术领域，具体为一种Er、Yb共掺杂Al2O3/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法。本发明在石英或硅基片上制备双层薄膜，底层为Er/Yb共掺杂Al2O3薄膜，采用射频溅射技术沉积，溅射靶材为镶嵌金属Er片和Yb片的Al2O3陶瓷靶，通过控制Er片和Yb片在溅射区的面积和溅射功率来控制Er、Yb掺杂量；顶层为不连续的Ag金属膜，采用直流磁控溅射技术沉积，靶材为Ag靶，通过控制Ag的溅射功率和时间可获得不同表面形貌的Ag膜。本发明制备的双层薄膜结构与Er、Yb掺杂Al2O3单层薄膜结构相比，具有明显增强的上转换发光性能。本发明方法工艺稳定性好，可重复性高，具有工业生产前景。

公开(公告)号：CN106884143A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710028457.7

申请日：2017-01-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈杰 ,  郑明扬 ,  任锦华 ,  靳琦

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为一种在太赫兹波段具有可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法。本发明利用反应直流磁控溅射及退火技术调控掺钼氧化锌薄膜在太赫兹波段的光学特性，具体为：利用反应直流磁控溅射方法，以锌钼金属镶嵌靶为靶材，以石英玻璃为基板，用Ar离子轰击靶材，形成具有多晶结构的掺钼氧化锌薄膜。然后在特定条件下退火，调节掺钼氧化锌薄膜在太赫兹波段的透射率。本发明方法工艺稳定性好，具有工业生产前景。