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公开(公告)号：CN114613880B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210142701.3
申请日：2022-02-16
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法。该二维光电探测器基于MoS2、hBN、BP、WSe2垂直结构，具有光电流放大增益效果和宽谱响应。制备步骤包括：利用PDMS胶带机械剥离特定层数范围内的MoS2、hBN、BP、WSe2；再将剥离好的材料转移到表面沉积SiO2的Si衬底上，旋涂光刻胶，利用激光直写对光刻胶进行图形化；电子束蒸发得到金属电极；对残余光刻胶进行lift‑off；利用原子层沉积Al2O3对器件进行封装，制备得到具有光电流放大效果的宽光谱光电探测器。该光电探测器在抑制暗电流的同时对光电流信号进行放大，探测率高，响应度高，具有宽范围响应。
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公开(公告)号：CN116666469A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310374900.1
申请日：2023-04-10
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/111 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体为一种宽光谱吸收的二维柔性光电探测器及其制备方法。本发明二维柔性光电探测器由自下至依次迭合的PET衬底、石墨烯吸收层、hBN接触层、BP吸收层、hBN接触层、WSe2吸收层、hBN接触层、WS2吸收层，以及源电极和漏电极组成；三个hBN接触层分别与石墨烯吸收层、BP吸收层、WSe2吸收层、WS2吸收层形成异质结接触；源电极和漏电极分别与石墨烯吸收层和WS2吸收层形成欧姆接触。本发明利用带隙不同的几种二维材料进行光吸收，实现全二维光电探测器的构建，并能实现宽光谱探测；凭借hBN超薄的厚度和无悬挂键的表面，可减少表面电荷陷阱，改善二维材料之间的接触；并在弯折条件下仍然能够实现光电探测。
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公开(公告)号：CN114628596B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210142702.8
申请日：2022-02-16
Abstract: 本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法。本发明方法包括：采用柔性材料作为衬底；在衬底上沉积一层氧化物材料；将二维半导体材料转移至衬底上；在二维材料两端形成金属电极；在整个器件上旋涂一层有机物；在有机物上转移一层二维BN材料；最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料。与现有技术相比，本发明可以实现可擦除的光存储功能，同时，器件可随意弯曲折叠，在弯折后器件的电学性能保持不变，满足在某些光通讯和光存储下的应用需求。
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公开(公告)号：CN114628596A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210142702.8
申请日：2022-02-16
Abstract: 本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法。本发明方法包括：采用柔性材料作为衬底；在衬底上沉积一层氧化物材料；将二维半导体材料转移至衬底上；在二维材料两端形成金属电极；在整个器件上旋涂一层有机物；在有机物上转移一层二维BN材料；最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料。与现有技术相比，本发明可以实现可擦除的光存储功能，同时，器件可随意弯曲折叠，在弯折后器件的电学性能保持不变，满足在某些光通讯和光存储下的应用需求。
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公开(公告)号：CN114613880A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210142701.3
申请日：2022-02-16
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/111
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法。该二维光电探测器基于MoS2、hBN、BP、WSe2垂直结构，具有光电流放大增益效果和宽谱响应。制备步骤包括：利用PDMS胶带机械剥离特定层数范围内的MoS2、hBN、BP、WSe2；再将剥离好的材料转移到表面沉积SiO2的Si衬底上，旋涂光刻胶，利用激光直写对光刻胶进行图形化；电子束蒸发得到金属电极；对残余光刻胶进行lift‑off；利用原子层沉积Al2O3对器件进行封装，制备得到具有光电流放大效果的宽光谱光电探测器。该光电探测器在抑制暗电流的同时对光电流信号进行放大，探测率高，响应度高，具有宽范围响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110451564B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910705361.9
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明属于二维半导体材料技术领域，具体为基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法。本发明以硅片作为生长衬底，在衬底经过清洗之后，将其置于石英试管中在含硫蒸气的环境下进行硫化处理，接着采用化学气相沉积的方法制备单层二硫化钼。本发明通过优化衬底硫化处理的温度、时间，制备出高质量的单层二硫化钼单晶及大面积连续薄膜。该方法过程简单，无需价格昂贵的硫化源及生长源。所制备的高质量单层二硫化钼可以用于制备具有更高荧光量子产率、更优异性能的特殊功能的光电子器件和微纳电子器件。
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公开(公告)号：CN103413832B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310284206.7
申请日：2013-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该金属氧化物薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源/漏电极、半导体沟道层以及钝化层，在半导体沟道层与钝化层之间有自组装的单分子层；该自组装单分子层可以将底栅金属氧化物薄膜晶体管的沟道背表面改性为疏水，有效防止外界水汽入侵，亦可保护沟道在后期的钝化层沉积过程中不受化学及物理损伤，以增强底栅氧化物薄膜晶体管的可靠性。
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公开(公告)号：CN104964946A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510122299.2
申请日：2015-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/359 , G01N21/3577
Abstract: 本发明属于食品卫生安全检测技术领域，具体为一种基于近红外光谱分析的蔬菜水果农药化肥残留检测装置及检测方法。本发明装置包括光源、单色仪、探测器以及数字信号处理系统；光源用于产生特定波长的辐射光束,辐射光束经过探测器探头照射到蔬菜水果洗涤液表面，由洗涤液返回的漫反射光经探测器探头送至单色仪；单色仪从光源中或从连续光谱中分离出不同波长的单色光；探测器用于检测经单色仪筛选出的特定光信号，并将其转变为电信号，最终以数字信号形式输出；数字信号处理系统对采集到的数字信号进行处理，得到某一表征体征的物质含量。本发明可方便、快捷地检测蔬菜水果中所残留的汞离子、铜离子等重金属离子等各物质。
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公开(公告)号：CN104266996A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410519530.7
申请日：2014-10-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/359
Abstract: 本发明属于医疗检测技术领域，具体为一种基于近红外光谱分析的无创便携医疗检测装置。本发明装置包括光源、单色仪、探测器以及数字信号处理系统；光源用于产生足够功率的辐射光束,辐射光束经过探测器探头照射到人体皮肤，由人体皮肤返回的漫反射光经由探测器探头送至单色仪；单色仪是用来从具有复杂光谱组成的光源中或从连续光谱中分离出不同波长的单色光的仪器；探测器用于检测经单色仪筛选出的特定光信号，并将光信号转变为电信号，最终以数字信号形式输出；数字信号处理系统对采集到的数字信号进行处理，得出相对应的某一表征体征的物质含量。本发明可用于无创检测人体血糖、血红素等各体征指标，具有无创、便携、功能多样的特点。
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公开(公告)号：CN103413832A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310284206.7
申请日：2013-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该金属氧化物薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源/漏电极、半导体沟道层以及钝化层，在半导体沟道层与钝化层之间有自组装的单分子层；该自组装单分子层可以将底栅金属氧化物薄膜晶体管的沟道背表面改性为疏水，有效防止外界水汽入侵，亦可保护沟道在后期的钝化层沉积过程中不受化学及物理损伤，以增强底栅氧化物薄膜晶体管的可靠性。
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