-
公开(公告)号：CN1192438C
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN00813472.3
申请日：2000-09-29
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明的半导体衬底(11)上彼此相挨地排列着第一源漏区(121)、沟道区(13)和第二源漏区(122)。一个电介质层(14)至少覆盖了该沟道区的表面和第一源漏区的大部分。上述电介质层的表面上两个极化电极16、18)之间具有一铁电机体层(17)。一个栅电极就位于此电介质层表面上。所述电介质层厚度尺寸的确定，要使得位于两个极化电极之间并与它们对齐的铁电体层的剩余的极化强度，能够在所述沟道区的一个部分中产生出补偿电菏来。这种铁电体晶体三极管适宜在一个存储单元装置中用作存储单元。
-
公开(公告)号：CN1192437C
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN00813458.8
申请日：2000-09-15
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
CPC classification number: H01L29/516 , H01L28/56
Abstract: 在一个在半导体衬底(1)中具有两个源/漏极区(13)和一个位于其间的沟道区的铁电晶体管中，在沟道区的表面上设有一个含有Al2O3的第一介电中间层(14)，在第一介电中间层(14)的上方设置一个铁电层(15)和一个栅极(16)。通过在第一介电中间层中使用Al2O3，阻塞了从沟道区到第一介电中间层(14)的补偿电荷隧道并且由此延长了数据保存时间。
-
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN1329998C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN00812491.4
申请日：2000-07-05
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L27/12 , H01L27/115 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/1203 , H01L29/78391
Abstract: 存储单元装置作为存储单元有一个铁电晶体管，这个在源极区/漏极区(14)之间在半导体基质的表面上有第一个栅中间层(15，16)和第一个栅电极(18)，其中第一个栅中间层(15，16)至少包括一个铁电层(18)。除了第一个栅中间层(15，16)之外在源极区/漏极区(14)之间安排了第二个栅中间层(15)和第二个栅电极(19)，其中第二个栅中间层(15)包括一个介电层。第一个栅电极(18)和第二个栅电极(19)是经过二极管结构相互连接的。在半导体基质上安排了条形掺杂的空穴区(12)，这个在各个铁电晶体管的源极区/漏极区之间延伸。
-
公开(公告)号：CN1376312A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN00813472.3
申请日：2000-09-29
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明的半导体衬底(11)上彼此相挨地排列着第一源漏区(121)、沟道区(13)和第二源漏区(122)。一个电介质层(14)至少覆盖了该沟道区的表面和第一源漏区的大部分。上述电介质层的表面上两个极化电极(16、18)之间具有一铁电机体层(17)。一个栅电极就位于此电介质层表面上。所述电介质层厚度尺寸的确定,要使得位于两个极化电极之间并与它们对齐的铁电体层的剩余的极化强度,能够在所述沟道区的一个部分中产生出补偿电荷来。这种铁电体晶体三极管适宜在一个存储单元装置中用作存储单元。
-
公开(公告)号：CN1376311A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN00813458.8
申请日：2000-09-15
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
CPC classification number: H01L29/516 , H01L28/56
Abstract: 在一个在半导体衬底(1)中具有两个源/漏极区(13)和一个位于其间的沟道区的铁电晶体管中,在沟道区的表面上设置了一个含有Al2O3的第一介电中间层(14),在第一介电中间层(14)的上方设置一个铁电层(15)和一个栅极(16)。通过在第一介电中间层中使用Al2O3,阻塞了从沟道区到第一介电层(14)的补偿电荷隧道并且由此延长了数据保存时间。
-
公开(公告)号：CN1372699A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN00812491.4
申请日：2000-07-05
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L27/12 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/1203 , H01L29/78391
Abstract: 存储单元装置作为存储单元有一个铁电晶体管,这个在源极区/漏极区(14)之间在半导体基质的表面上有第一个栅中间层(15,16)和第一个栅电极(18),其中第一个栅中间层(15,16)至少包括一个铁电层(18)。除了第一个栅中间层(15,16)之外在源极区/漏极区(14)之间安排了第二个栅中间层(15)和第二个栅电极(19),其中第二个栅中间层(15)包括一个介电层。第一个栅电极(18)和第二个栅电极(19)是经过二极管结构相互连接的。在半导体基质上安排了条形掺杂的空穴区(12),这个在各个铁电晶体管的源极区/漏极区之间延伸。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.017 seconds)
