公开(公告)号：CN1192437C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN00813458.8

申请日：2000-09-15

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： T·P·哈尼德 ,  H·巴奇霍弗 ,  E·昂格尔

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L28/56

Abstract: 在一个在半导体衬底(1)中具有两个源/漏极区(13)和一个位于其间的沟道区的铁电晶体管中，在沟道区的表面上设有一个含有Al2O3的第一介电中间层(14)，在第一介电中间层(14)的上方设置一个铁电层(15)和一个栅极(16)。通过在第一介电中间层中使用Al2O3，阻塞了从沟道区到第一介电中间层(14)的补偿电荷隧道并且由此延长了数据保存时间。

公开(公告)号：CN1376311A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN00813458.8

申请日：2000-09-15

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： T·P·哈尼德 ,  H·巴奇霍弗 ,  E·昂格尔

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L28/56

Abstract: 在一个在半导体衬底(1)中具有两个源/漏极区(13)和一个位于其间的沟道区的铁电晶体管中,在沟道区的表面上设置了一个含有Al2O3的第一介电中间层(14),在第一介电中间层(14)的上方设置一个铁电层(15)和一个栅极(16)。通过在第一介电中间层中使用Al2O3,阻塞了从沟道区到第一介电层(14)的补偿电荷隧道并且由此延长了数据保存时间。