公开(公告)号：CN1534780A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200310102652.8

申请日：2003-10-28

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： G·布朗 ,  H·鲁科鲍尔 ,  M·库滋门卡

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/50

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C5/04 ,  H01L2224/16225 ,  H05K1/14

Abstract: 在一个记忆装置之记忆模块(2)中，该记忆装置系具有一个由复数个信号线(31、32)所组成的总线系统，每个信号线(31、32)分别必须已经不具任何柱塞的由一供应接触装置(23a)而被制造到一放电接触装置(23b)，其系紧邻于该供应接触装置(23a)而配置，以便提升在该记忆装置内的最大数据传输速度。在该供应接触装置(23a)与该放电接触装置(23b)之间，每个该信号线系连续地透过连接组件(221)而以一最小距离被安置，其中该连接组件(221)系与位在联合于信号线(31、32)的记忆芯片(22)上的该信号线(31、32)相联合。

公开(公告)号：CN1156852C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN01116227.9

申请日：2001-02-14

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： H·巴奇霍弗 ,  T·P·汉德 ,  M·厄尔曼恩 ,  G·布朗 ,  W·霍恩莱恩

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 读出或储存存储单元中的铁电晶体管的状态，存储矩阵中另一些存储单元中的另一些铁电晶体管的阈值电压在读出或存储期间增大或永久性增大。

公开(公告)号：CN1320928A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN01116227.9

申请日：2001-02-14

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： H·巴奇霍弗 ,  T·P·汉德 ,  M·厄尔曼恩 ,  G·布朗 ,  W·霍恩莱恩

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 读出或储存存储单元中的铁电晶体管的状态,存储矩阵中另一些存储单元中的另一些铁电晶体管的阈值电压在读出或存储期间增大或永久性增大。

公开(公告)号：CN1367949A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN00808130.1

申请日：2000-05-26

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： R·伊斯他尔 ,  G·布朗

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/073

Abstract: 本发明涉及的电荷泵具有二个用于各一个输入定时选通信号(A1、B1)的输入端和一个用于输出被泵的输出电位(VPUMP)的输出端。二个泵电容(CpumpA、CpumpB)与输入端连接。泵电容的第二电极分别经过一个第一电路单元(T1、T4;D1、D4)与供电电位连接并且经过第二电路单元(T2、T3;D2、D3)与输出端连接。此外存在可控制的短路元件,其可控制的区间布置在二个泵电容的第二电极(VA1、VB1)之间。