公开(公告)号：CN1328700A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN99813121.0

申请日：1999-09-23

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： T·施勒泽尔 ,  W·克劳特施奈德 ,  F·霍夫曼 ,  T·P·哈尼德

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507

Abstract: 存储单元装置的存储单元各自具有一只选择晶体管(AT)、一只存储晶体管(ST)和一只铁电电容器。选择晶体管(AT)和存储晶体管串联。铁电电容器连接在存储晶体管(ST)的控制极(GS)和选择晶体管(AT)的第一连接端(AA1)之间。

公开(公告)号：CN1192437C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN00813458.8

申请日：2000-09-15

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： T·P·哈尼德 ,  H·巴奇霍弗 ,  E·昂格尔

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L28/56

Abstract: 在一个在半导体衬底(1)中具有两个源/漏极区(13)和一个位于其间的沟道区的铁电晶体管中，在沟道区的表面上设有一个含有Al2O3的第一介电中间层(14)，在第一介电中间层(14)的上方设置一个铁电层(15)和一个栅极(16)。通过在第一介电中间层中使用Al2O3，阻塞了从沟道区到第一介电中间层(14)的补偿电荷隧道并且由此延长了数据保存时间。

公开(公告)号：CN1329998C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN00812491.4

申请日：2000-07-05

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： T·P·哈尼德 ,  H·巴奇霍弗

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L27/115 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78391

Abstract: 存储单元装置作为存储单元有一个铁电晶体管，这个在源极区/漏极区(14)之间在半导体基质的表面上有第一个栅中间层(15，16)和第一个栅电极(18)，其中第一个栅中间层(15，16)至少包括一个铁电层(18)。除了第一个栅中间层(15，16)之外在源极区/漏极区(14)之间安排了第二个栅中间层(15)和第二个栅电极(19)，其中第二个栅中间层(15)包括一个介电层。第一个栅电极(18)和第二个栅电极(19)是经过二极管结构相互连接的。在半导体基质上安排了条形掺杂的空穴区(12)，这个在各个铁电晶体管的源极区/漏极区之间延伸。

公开(公告)号：CN1376311A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN00813458.8

申请日：2000-09-15

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： T·P·哈尼德 ,  H·巴奇霍弗 ,  E·昂格尔

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L28/56

Abstract: 在一个在半导体衬底(1)中具有两个源/漏极区(13)和一个位于其间的沟道区的铁电晶体管中,在沟道区的表面上设置了一个含有Al2O3的第一介电中间层(14),在第一介电中间层(14)的上方设置一个铁电层(15)和一个栅极(16)。通过在第一介电中间层中使用Al2O3,阻塞了从沟道区到第一介电层(14)的补偿电荷隧道并且由此延长了数据保存时间。

公开(公告)号：CN1372699A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN00812491.4

申请日：2000-07-05

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： T·P·哈尼德 ,  H·巴奇霍弗

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78391

Abstract: 存储单元装置作为存储单元有一个铁电晶体管,这个在源极区/漏极区(14)之间在半导体基质的表面上有第一个栅中间层(15,16)和第一个栅电极(18),其中第一个栅中间层(15,16)至少包括一个铁电层(18)。除了第一个栅中间层(15,16)之外在源极区/漏极区(14)之间安排了第二个栅中间层(15)和第二个栅电极(19),其中第二个栅中间层(15)包括一个介电层。第一个栅电极(18)和第二个栅电极(19)是经过二极管结构相互连接的。在半导体基质上安排了条形掺杂的空穴区(12),这个在各个铁电晶体管的源极区/漏极区之间延伸。