公开(公告)号：CN1376312A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN00813472.3

申请日：2000-09-29

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： R·斯坦格尔 ,  H·雷辛格 ,  T·汉德 ,  H·巴奇霍弗

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明的半导体衬底(11)上彼此相挨地排列着第一源漏区(121)、沟道区(13)和第二源漏区(122)。一个电介质层(14)至少覆盖了该沟道区的表面和第一源漏区的大部分。上述电介质层的表面上两个极化电极(16、18)之间具有一铁电机体层(17)。一个栅电极就位于此电介质层表面上。所述电介质层厚度尺寸的确定,要使得位于两个极化电极之间并与它们对齐的铁电体层的剩余的极化强度,能够在所述沟道区的一个部分中产生出补偿电荷来。这种铁电体晶体三极管适宜在一个存储单元装置中用作存储单元。

公开(公告)号：CN1192438C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN00813472.3

申请日：2000-09-29

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： R·斯坦格尔 ,  H·雷辛格 ,  T·汉德 ,  H·巴奇霍弗

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明的半导体衬底(11)上彼此相挨地排列着第一源漏区(121)、沟道区(13)和第二源漏区(122)。一个电介质层(14)至少覆盖了该沟道区的表面和第一源漏区的大部分。上述电介质层的表面上两个极化电极16、18)之间具有一铁电机体层(17)。一个栅电极就位于此电介质层表面上。所述电介质层厚度尺寸的确定，要使得位于两个极化电极之间并与它们对齐的铁电体层的剩余的极化强度，能够在所述沟道区的一个部分中产生出补偿电菏来。这种铁电体晶体三极管适宜在一个存储单元装置中用作存储单元。