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公开(公告)号：CN117352754A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311449851.X
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供一种含铁双金属氮化物/Fe1‑N‑C棒状耦合型电催化剂及其合成方法，该棒状耦合型电催化剂为包覆有MFeN纳米点的棒状耦合型催化剂MFeN/Fe1‑N‑C，其中，M为Fe以外的另一种金属，MFeN纳米点的含量在5～60wt％，M:Fe的原子比例为0.1～10，颗粒尺寸在0.5～10nm。包覆有MFeN纳米点的棒状耦合型催化剂MFeN/Fe1‑N‑C，相较于传统电催化材料，具有活性位点分布均匀且密集、电荷转移效率高、气体产物释放快速、双功能性能优异等优点。本发明属于可持续能源技术领域。
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公开(公告)号：CN117317269A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311449849.2
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种棒状Pt/Co‑N‑C氢氧化反应电催化剂及其制备方法和应用，所述棒状Pt/Co‑N‑C氢氧化反应电催化剂中钴以单原子形式分散于氮掺杂的碳纳米棒中，铂以单原子和团簇形式分散于氮掺杂的碳纳米棒中。所述棒状Pt/Co‑N‑C氢氧化反应电催化剂中钴元素含量为0.1～1wt％，铂元素含量为1～3wt％，氮元素含量为1～5wt％。以克服传统电催化材料形态不规则、活性位点低、电子传输率低、活性中心分布不均匀等缺点。属于可持续能源技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114899423A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210473043.6
申请日：2022-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供一种棒状Fe‑N‑C氧还原反应电催化剂的合成方法，具体采用如下步骤：采用锌盐、含N有机连接体、表面活性剂和去离子水制备悬浊溶液并搅拌一定时间；将悬浊溶液进行固液分离、洗涤，将得到的反应产物置于有机溶剂中，保温一定时间；将有机溶液进行固液分离，洗涤、干燥，高温煅烧得到产物；将上步产物与铁源和有机溶剂配置溶液并搅拌一定时间，然后进行固液分离、高温煅烧，即得到具开放结构的棒状Fe‑N‑C氧还原反应电催化剂。以克服传统电催化材料形态不规则、活性位点低、电子传输率低、活性中心分布不均匀等缺点。本发明属于可持续能源技术领域。
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公开(公告)号：CN115094466A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210628573.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种空心碳十二面体封装WC、W2C或双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂的制备方法，属于电催化制氢技术领域。本发明解决了现有高温化合物碳化钨难以纳米化，以及碳化钨较弱的电催化活性的问题。本发明采用模板法辅助制备空心碳十二面体封装WC、W2C或双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂，由于该催化剂具有独特的空心十二面体结构，不仅可以增加催化剂与电解液的接触面积，还增加活性位点的数量。同时在空心碳十二面体封装双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂中由于W2C的引入还可以调节WC的电子结构，改善在析氢过程中对H+的吸附能，从而促进析氢反应的进行，提升活性位点的催化能力。
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公开(公告)号：CN115094466B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210628573.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种空心碳十二面体封装WC、W2C或双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂的制备方法，属于电催化制氢技术领域。本发明解决了现有高温化合物碳化钨难以纳米化，以及碳化钨较弱的电催化活性的问题。本发明采用模板法辅助制备空心碳十二面体封装WC、W2C或双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂，由于该催化剂具有独特的空心十二面体结构，不仅可以增加催化剂与电解液的接触面积，还增加活性位点的数量。同时在空心碳十二面体封装双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂中由于W2C的引入还可以调节WC的电子结构，改善在析氢过程中对H+的吸附能，从而促进析氢反应的进行，提升活性位点的催化能力。
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公开(公告)号：CN101597059B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910072598.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶液中进行处理；二、将金属纳米粉催化剂进行超声分散；三、将单晶硅片放入分散的金属纳米粉催化剂中进行处理；四、将单晶硅片和石墨置于气氛烧结炉中烧结，随炉冷却至室温即得到SiC纳米线。本发明的制作方法工艺简单，成本低，生产周期短，反应温度较低，在制作过程中不产生有害气体，不会危害人体健康，污染环境，本发明方法制作得到的SiC纳米线粗细均匀，表面平滑，产品质量好。
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公开(公告)号：CN101597059A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910072598.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶液中进行处理；二、将金属纳米粉催化剂进行超声分散；三、将单晶硅片放入分散的金属纳米粉催化剂中进行处理；四、将单晶硅片和石墨置于气氛烧结炉中烧结，随炉冷却至室温即得到SiC纳米线。本发明的制作方法工艺简单，成本低，生产周期短，反应温度较低，在制作过程中不产生有害气体，不会危害人体健康，污染环境，本发明方法制作得到的SiC纳米线粗细均匀，表面平滑，产品质量好。
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