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公开(公告)号:CN109860549A
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201910064452.9
申请日:2019-01-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种壳核结构二元碳酸盐负极材料的制备方法,属于锂离子电池负极材料的技术领域。本发明解决了由于碳酸盐合成方法等的限制具有分级结构的双金属碳酸盐作为负极材料的技术问题。本发明方法:一、将氧化石墨均匀分散到去离子水中,加入醋酸锰和醋酸镍,待完全溶解后边搅拌边滴加尿素溶液;二、滴加完毕后搅拌,倒入反应釜内,密封反应釜,置于烘箱中加热反应,反应完毕后用去离子水洗涤至中性,冷冻干燥,即得到负极材料。本发明制备出的具有壳核结构的混合双金属碳酸盐,具有优异的电化学性能和倍率性能。
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公开(公告)号:CN107425191A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710814092.0
申请日:2017-09-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052 , B82Y30/00
Abstract: 用于锂硫电池正极的介孔氧化硅/硫碳复合物及其制备方法,它涉及一种纳米复合材料及其制备方法。本发明是为了解决现有方法弱导电性的金属氧化物会提高整体电极的阻抗,不利于快速充放电的技术问题。用于锂硫电池正极的介孔氧化硅/硫碳复合物由介孔氧化硅、单质硫和碳材料组成,方法:制备氧化硅硫复合物,将氧化硅硫复合物分散于水中,磁力搅拌分散后,加入到浓度为1mg/mL的碳材料的水溶液中,继续搅拌12~48小时,沉淀,离心,洗涤,干燥,即得用于锂硫电池正极的介孔氧化硅/硫碳复合物。在0.1C放电,放电容量最高达到1625mA h g-1,经过500圈的循环后容量仍能保持在1000mA h g-1左右。
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公开(公告)号:CN104495850B
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201410834823.4
申请日:2014-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 威海云山科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种SiC/石墨烯核壳结构纳米材料的制备方法,包括以下步骤:Al、将SiC(粉体、纤维或纳米线等)置于加热炉中加热至400~650℃进行除碳处理,然后将加热后的SiC材料浸泡到HF溶液中20~26小时,得到预处理后的SiC;A2、使用去离子水反复冲洗预处理后的SiC,过滤后放入干燥箱里干燥,得到实验所需的SiC;A3、准备实验所需的金属粉或其化合物;A4、在石墨纸上扎孔,得到扎孔后的石墨纸,依次在石墨坩埚的底部铺放金属粉或其化合物、扎孔后的石墨纸、SiC和石墨纸,盖上坩埚盖,然后将石墨坩埚放入到气氛压力烧结炉中,在1200℃~1500℃的温度下保温1~4小时,得到SiC/石墨烯核壳结构纳米材料。
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公开(公告)号:CN105110430A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201510445097.1
申请日:2015-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: C02F1/469 , C02F103/08
Abstract: 本发明涉及一种海水除盐用石墨烯多孔电极材料和其制备方法,其以石墨烯/聚丙烯腈复合无纺毡布为原料,经预氧化热处理和高温碳化得到纳米碳纤维与石墨烯均匀、连续分布的多孔电极材料,由石墨烯和直径150-400nm的纳米碳纤维构成,其比表面积120-437m2/g,孔径2-100nm。石墨烯/聚丙烯腈复合无纺毡布采用静电纺丝法制备,工艺过程简单,降低了制造成本。制备的电极材料有高的离子容量和良好的导电性和耐腐蚀性,特别适合海水淡化除盐用。
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公开(公告)号:CN104891485A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201510307618.7
申请日:2015-06-08
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明涉及一种纳米石墨片的制备方法,其以的膨胀石墨粉体为原料,将膨胀石墨粉体按0.5~10g/L的比例添加到分散溶剂中;而后通过离心泵将混合溶液循环加入到超声波粉碎机中;启动超声波粉碎机对混合溶液进行超声剥离纳米化作业40分钟至72小时,得到纳米石墨片溶液。所述分散溶剂为乙醇溶液,超声纳米化作业得到纳米石墨片乙醇溶液,所述纳米石墨片乙醇溶液静置后,过滤、干燥得到厚度20-50纳米的石墨纳米片粉体。本发明制备过程简单,不需要复杂设备,且连续操作,产能效率高,适合工业化大批量连续生产。
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公开(公告)号:CN104591735A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201510020455.4
申请日:2015-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 威海云山科技有限公司
IPC: C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 一种抗氧化氮化硼石墨块体材料的制备方法。本发明涉及一种抗氧化氮化硼石墨块体材料的制备方法。本发明是为解决现有的氮化硼/石墨复合材料力学性能和抗氧化性较差的问题。方法:一、向氨硼烷溶液中加入石墨,边搅拌边加热,反应结束后进行蒸馏,得到原料粉末;二、将步骤一得到的原料粉末装入模具中,进行预压,得到预压后原料;三、将步骤二得到的预压后原料以加热并施加机械压力,保温保压结束后,随炉冷却至室温并卸压,得到抗氧化氮化硼石墨块体材料。本发明方法氮化硼相的生成与烧结一次完成,避免了物相预先合成后再混合而引起的团聚与组成偏聚,同时也简化了复合材料的制造工艺,提高了复合材料的综合性能。
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公开(公告)号:CN104495827A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201410834857.3
申请日:2014-12-30
Applicant: 威海云山科技有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种两步氧化法制备高质量石墨烯的方法,按照20-40ml浓硫酸对应1g天然石墨的比例,在低温0-25℃下将浓硫酸和天然石墨均匀混合,将高锰酸钾按照1∶1-6∶1的质量比例分成两份,任选一份缓慢加入到上述混合溶液中,使溶液在低温0-25℃下混合反应1-6小时,然后升至中温30-70℃,再加入剩余的高锰酸钾,保持中温30-70℃反应1-8小时,加入去离子水高温80-100℃水解0.5-4小时得到氧化石墨水溶液;所得氧化石墨水溶液采用现有技术进行水洗干燥、经高温还原后即可得到石墨烯。该方法制备的氧化石墨具有过程可控性好、氧化程度适中、有利于保持氧化石墨和石墨烯的完整性。
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公开(公告)号:CN102493204B
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201110402503.8
申请日:2011-12-07
Applicant: 萝北云山碳业有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: D06M15/693 , D06M15/643 , D06M15/564 , D06M11/74 , D06M11/49 , D06M11/83 , D06M11/38 , D06M101/06
Abstract: 一种提高吸波性能的可披挂式吸波复合材料的制备方法,本发明涉及吸波复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的以吸波纤维制备的吸波织物制备工艺复杂和成本较高、用电磁粉末填充织物空隙的吸波织物吸波性能差的技术问题。方法:将吸波体与液态的有机聚合物混合得到浆料,将经表面改性后纺织品浸入到浆料涂挂浆料,然后经刮胶、滚压或挤压操作后,固化、烘干,得到可披挂式吸波复合材料。本发明的可披挂式吸波复合材料最低反射率在-10~-80dB,小于-10dB的吸收频宽在1~10GH,而且制备工艺简单。该材料可用于军用飞行器、舰船、导弹等隐身军事领域。
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公开(公告)号:CN103360041A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310307820.0
申请日:2013-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: C04B35/19 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种碳/二硅酸锂复合陶瓷材料及其制备方法,其以SiO2、Li2O、P2O5、ZnO、CaO、K2O和碳粉为原料,各组份的质量百分比为:SiO267.6~73.6%、Li2O16.9~18.7%、P2O52.3~5.3%、ZnO0.8~3.1%、CaO1.1~2.3%、K2O1.8~5.3%、碳粉0.2~0.9%;在1400ºC-1500ºC对上述氧化物组成的玻璃混合料进行晶化热处理,制成基础玻璃体,与碳粉混合球磨后通过热压烧结,高温脱模并随炉冷却,得到碳/二硅酸锂复合陶瓷材料。该材料具有较好的机械性能,强度较高,化学稳定性好,其不同于其他二硅酸锂复合材料的地方在于它的耐磨损性能和自润滑性能较好,适于作为金刚石刀片和金刚石砂轮的修整材料使用。
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公开(公告)号:CN101928915B
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201010200513.9
申请日:2010-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法,它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触,导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下:将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中,将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部,再将坩埚置于气压炉中,然后在700℃~1600℃的条件下保温0.5h~4h,然后冷却至室温,即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm~50nm的氮化硼膜,防止一维纳米材料间互相接触,从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。
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