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公开(公告)号：CN101838886A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010204481.X
申请日：2010-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法，它涉及氮化硅纳米材料及其制备方法。本发明解决现有氮化硅纳米纤维在实际应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由单晶α-Si3N4纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度为0.5~20mm，其中氮化硅纳米纤维为单晶α-Si3N4、长度分布在0.1~60mm。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体放置于坩埚底部，盖上坩埚盖，并置于气氛烧结炉，在氮气氛中热处理即可。氮化硅纳米无纺布克服了现有氮化硅纳米纤维应用中分散不均匀、容易团聚等问题，有优良的均匀性，纯度高，物理化学稳定性高，有广阔的应用前景。制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高。
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公开(公告)号：CN101845711B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010204482.4
申请日：2010-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法，涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度0.2~50mm，单根长度为50微米至5厘米。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体研磨后与乙醇混合得浆料，再将浆料涂在坩埚底部后将坩埚置于气氛烧结炉，在惰性气氛中热处理即可。碳化硅纳米无纺布解决SiC纳米纤维难以应用的弊端，作为增强相得的复合材料中纳米纤维分布均匀，复合材料性能提高。方法简单，制备周期短，大规模、高产率地制备SiC纳米无纺布。
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公开(公告)号：CN102509752A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110348376.8
申请日：2011-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/00 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 多芯片组大功率LED基板制备方法，涉及LED基板制备方法。解决现有LED器件在LED金属封装中热膨胀系数不匹配、高分子绝缘层的热导率较低，从而导致LED失效等问题。它以聚碳硅烷、氮化铝粉体、氧化钇为原料，在玛瑙球磨罐中与二甲苯或四氢呋喃进行球磨混合，获得混合浆料后悬涂在洁净的钨铜合金表面并进行干燥；置于铜片表面在真空管式炉中进行热处理后冷却至室温，即获得本发明的多芯片组大功率LED基板。本发明制备的多芯片组大功率LED基板绝缘性能高、热导率高、热膨胀系数与半导体材料相匹配，并且可以简化LED封装结构。本发明适用于多芯片组大功率LED基板的制备。
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公开(公告)号：CN101597058B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910072347.6
申请日：2009-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种应用硼酸提高SiC纳米线产率的方法，它涉及了一种提高SiC纳米纤维产率的方法。本发明解决了现有SiC纳米线制备方法存在产率低的缺陷以及硼酸未被应用到SiC纳米线生产领域的问题。本发明应用硼酸提高SiC纳米线产率的方法按照如下步骤进行：一、将蔗糖与硅溶胶混合，再将硼酸加入到混合液中，干燥，得到干凝胶；二、将步骤一得到的干凝胶置入管式炉中，通入氮气，升温，保温，即得凝胶粉末；三、球磨3h，加入无水乙醇，气氛烧结炉，冷却至室温；即得到呈羊毛毡状的SiC纳米线毛层。本发明在纳米线生产中应用硼酸，应用硼酸后，SiC纳米线的产率提高了10倍以上，纤维长度达到5～6cm。
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公开(公告)号：CN102509752B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110348376.8
申请日：2011-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/00 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 多芯片组大功率LED基板制备方法，涉及LED基板制备方法。解决现有LED器件在LED金属封装中热膨胀系数不匹配、高分子绝缘层的热导率较低，从而导致LED失效等问题。它以聚碳硅烷、氮化铝粉体、氧化钇为原料，在玛瑙球磨罐中与二甲苯或四氢呋喃进行球磨混合，获得混合浆料后悬涂在洁净的钨铜合金表面并进行干燥；置于铜片表面在真空管式炉中进行热处理后冷却至室温，即获得本发明的多芯片组大功率LED基板。本发明制备的多芯片组大功率LED基板绝缘性能高、热导率高、热膨胀系数与半导体材料相匹配，并且可以简化LED封装结构。本发明适用于多芯片组大功率LED基板的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633225A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310610677.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/4803
Abstract: 高导热绝缘铜基板的制备方法，涉及一种铜表面陶瓷化方法。所述方法为：将所需要的铜基板进行抛光处理；称取定量聚碳硅烷置于球磨罐中，然后向球磨罐中加入适量的二甲苯，得到聚碳硅烷-二甲苯溶液；称取经表面改性的氮化铝粉体，并置于球磨罐中，进行球磨混合，完成混合浆料制备；将混合浆料涂覆或流延到已抛光的铜基板表面，然后干燥，获得预制陶瓷铜基板坯料；将预制陶瓷铜基板坯料置于管式炉内在湿惰性气体保护下完成热处理；采用多次涂覆-干燥-烧结工艺，制备出规定厚度、无针孔、无裂纹的高绝缘涂层。本发明所制备的高导热绝缘铜基板陶瓷涂层厚度为10～100微米，陶瓷涂层的热导率为5～100W/m·K，耐击穿电压大于2000V，介电常数低。
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公开(公告)号：CN101597059B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910072598.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶液中进行处理；二、将金属纳米粉催化剂进行超声分散；三、将单晶硅片放入分散的金属纳米粉催化剂中进行处理；四、将单晶硅片和石墨置于气氛烧结炉中烧结，随炉冷却至室温即得到SiC纳米线。本发明的制作方法工艺简单，成本低，生产周期短，反应温度较低，在制作过程中不产生有害气体，不会危害人体健康，污染环境，本发明方法制作得到的SiC纳米线粗细均匀，表面平滑，产品质量好。
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公开(公告)号：CN101597059A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910072598.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶液中进行处理；二、将金属纳米粉催化剂进行超声分散；三、将单晶硅片放入分散的金属纳米粉催化剂中进行处理；四、将单晶硅片和石墨置于气氛烧结炉中烧结，随炉冷却至室温即得到SiC纳米线。本发明的制作方法工艺简单，成本低，生产周期短，反应温度较低，在制作过程中不产生有害气体，不会危害人体健康，污染环境，本发明方法制作得到的SiC纳米线粗细均匀，表面平滑，产品质量好。
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公开(公告)号：CN103626497A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310610679.1
申请日：2013-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/582 , C04B35/622
Abstract: 高导热氮化铝基复相陶瓷的制备方法，涉及一种高导热陶瓷材料的制备方法。所述方法为：称取定量聚碳硅烷置于球磨罐中，加入适量的二甲苯，得到聚碳硅烷-二甲苯溶液；称取经表面改性的氮化铝粉体置于球磨罐中球磨混合，完成混合浆料制备；将混合浆料进行干燥，获得陶瓷预制体；将陶瓷预制体置于管式炉内在湿惰性气体保护下完成热处理。本发明所制备的AlN-莫来石复相陶瓷材料可以拥有AlN和莫来石相的优点，密度低、介电常数低，热导率可以达到5~170W/m·K，热膨胀系数小，可很好地与半导体材料相匹配，烧结制备温度低，并且所制备的陶瓷材料致密度高、成本小，可以满足陶瓷封装材料的需求，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN101838886B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010204481.X
申请日：2010-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D04H1/4209 , D01F9/10
Abstract: 一种氮化硅纳米无纺布的制备方法，它涉及氮化硅纳米材料的制备方法。本发明解决现有氮化硅纳米纤维在实际应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由单晶α-Si3N4纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度为0.5～20mm，其中氮化硅纳米纤维为单晶α-Si3N4、长度分布在0.1～60mm。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体放置于坩埚底部，盖上坩埚盖，并置于气氛烧结炉，在氮气氛中热处理即可。氮化硅纳米无纺布克服了现有氮化硅纳米纤维应用中分散不均匀、容易团聚等问题，有优良的均匀性，纯度高，物理化学稳定性高，有广阔的应用前景。制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高。
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