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公开(公告)号：CN105088331B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510530969.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种C‑向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，本发明涉及一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚，它为了解决现有生长蓝宝石单晶用坩埚产生的W型界面以及蘑菇状界面引发的晶体开裂以及易形成多晶生长的问题。本发明小角坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，坩埚底呈锥形，坩埚底纵切面的锥角为145°～160°。本发明通过改善液面以及等温线的形状，避免了液面W型和蘑菇状带来的缺点，应用该小角坩埚最终生长出优质蓝宝石单晶，尺寸达到Φ(260‑300)×150‑200mm，晶体不开裂，完整性好，提高制备蓝宝石晶体的质量和完整性。
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公开(公告)号：CN105384172B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201511018855.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/035
Abstract: 一种改良西门子法多晶硅还原炉用石墨夹头及其使用方法，涉及一种石墨夹头及其使用方法。本发明要解决现有改良西门子法多晶硅还原炉用石墨夹头与硅芯接触不均匀，从而导致接触点局部温度过高，发生靠壁或倒棒现象的问题。本发明所述改良西门子多晶硅还原炉用石墨夹头包括圆台部分4、环形凹槽5、圆状部分6和凸缘7，圆台部分4和圆柱部分6中心为连通孔；使用方法：一、将硅芯下端加工成与倒圆台孔1相同锥度的倒圆台形；二、将加工后的硅芯的倒圆台形一端插入到石墨夹头的倒圆台孔1中。本发明石墨夹头及其使用方法能够提高改良西门子法多晶硅还原炉的运行稳定性，可避免发生靠壁或倒棒现象，结构简单、易于加工，所需石墨材料少，成本低。
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公开(公告)号：CN105088331A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510530969.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，本发明涉及一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚，它为了解决现有生长蓝宝石单晶用坩埚产生的W型界面以及蘑菇状界面引发的晶体开裂以及易形成多晶生长的问题。本发明小角坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，坩埚底呈锥形，坩埚底纵切面的锥角为145°～160°。本发明通过改善液面以及等温线的形状，避免了液面W型和蘑菇状带来的缺点，应用该小角坩埚最终生长出优质蓝宝石单晶，尺寸达到Φ(260-300)×150-200mm，晶体不开裂，完整性好，提高制备蓝宝石晶体的质量和完整性。
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公开(公告)号：CN103803955A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410074632.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/622 , C30B28/06 , C30B29/06
Abstract: 一种氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法，它涉及一种复合坩埚的制备方法。本发明是要解决目前的底部的热导率高于侧壁的坩埚的生产造价高并且生产成功率低的技术问题。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法：制浆、浇注、脱坯、高温烧结。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚可以提高加热效率和散热效率，极大改进了硅熔体的定向凝固效果，从而提高硅晶体生长的质量，可以降低晶体硅光伏发电的成本。本发明主要应用于多晶硅定向凝固生长。
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公开(公告)号：CN117543588A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311555822.1
申请日：2023-11-21
Applicant: 国网黑龙江省电力有限公司电力科学研究院 , 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨理工大学
Inventor： 孔繁荣 , 申昱博 , 刘洪臣 , 李超超 , 吕艳玲 , 邱月 , 孙巍 , 李萌 , 周萌 , 于博文 , 刘博 , 张航 , 周洪毅 , 刘妍均 , 王晓丹 , 王海姣 , 陈妍 , 刘丽娜 , 夏雪晶 , 周莉莉 , 王一 , 张文睿 , 张文博 , 朱博 , 高伟楠 , 于浩 , 卫兵 , 徐广野 , 王艳薇 , 陈培奇 , 郑树磊 , 王敏 , 钱亮 , 赵吉超 , 刘洋 , 王暖 , 李惠 , 刘凯 , 刘丽秋 , 关雨 , 谷海燕 , 孟璐 , 赵丽丽 , 杨芳 , 王芳 , 李芳
Abstract: 本发明资源聚合商模式下的配电网分布式储能调压控制方法，解决了配电网电压越限的问题，属于用户侧分布式储能领域。本发明方法包括：基于配电网系统的基础数据，在资源聚合商模式下对用户侧储能进行等效聚合，聚合成供资源聚合商调度的等效柔性分布式储能，并对配电网进行集群划分；根据不同集群，设置电压调节比例为初始值；选取电压越限最严重集群中的最严重节点作为优先调节对象，计算调节比例对应的电压调节上下限，利用所处集群内部储能充放电进行电压调节，循环检测并调节各越限集群节点电压，直至全网电压恢复至合理范围内；接着不断更新电压调节比例，输出不同调节比例下的有功网损；最后，确定最小有功网损所对应的储能时序出力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466407A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011337537.9
申请日：2020-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用CGSim软件模拟获取大尺寸黄铜矿类单晶的方法，它涉及计算机模拟生长单晶的方法，它要解决现有的大尺寸黄铜矿类ABP2单晶生长的研究周期长﹑无法直接观察此类单晶生长及应力分布的问题。本方法：实际测量单晶生长装置的各个部分的实际结构、材质和尺寸，根据实测结果利用CGSim模拟仿真平台建立二维旋转轴对称模型，通过校准验证获得稳定热场的模型；在该模型中设定晶体生长参数进行模拟生长，获得随着晶体高度变化晶体的热应力分布情况，利用平均热应力预测晶体生长状态，完成大尺寸黄铜矿类单晶的模拟生长。通过计算机模拟生长大尺寸的ABP2晶体，效率高、操作简单，成本低，可用于黄铜矿类单晶的生长领域。
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公开(公告)号：CN104231701A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410525613.7
申请日：2014-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09D5/00 , C09D163/00 , C09D161/06 , C09D7/12 , H01L31/049
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种用于光伏组件背板的红外散热涂料及散热光伏组件背板的制备方法，本发明涉及散热涂料及光伏组件散热背板的制备方法。本发明是要解决的现有的降低太阳能电池背板温度的金属导热层的耐侯性差、成本高的技术问题。本发明的红外散热涂料由碳材料、粘结剂和溶剂组成。制备散热光伏组件背板的方法：一、对已经封装好的光伏组件，或者组件半成品，清洁背板的散热区域；二、将碳材料、粘结剂和溶剂混合均匀，得到浆料；三、将浆料涂于背板的散热区域；四、固化，得到散热光伏组件背板。本发明制备的涂覆了红外散热涂料的散热光伏组件背板与没有该红外散热涂料的组件相比，在工作状态时背板平均温度低3～4℃，光伏组件的输出功率高1～1.8％。
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公开(公告)号：CN103449435A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310378947.1
申请日：2013-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 赵丽丽
Abstract: 碳包覆生产微纳米级碳化物陶瓷的方法，它涉及一种碳热还原反应生成碳化物陶瓷的方法，它要解决现有碳化物陶瓷的生产方法反应温度高以及生产效率低的问题。碳化物陶瓷生产方法：一、氧化物原料与树脂充分混合，在醇类溶剂中球磨，烘干后压制固化成混合物；二、混合物置于炭化炉中加热反应，使树脂炭化分解，得到包覆碳的氧化物粉体；三、在惰性气体保护下进行固相碳化反应；四、将步骤三获得的碳化物粉末进行氧化处理；五、将步骤四获得的碳化物粉末酸洗处理后烘干得到微纳米级碳化物陶瓷。本发明生产微纳米级碳化物陶瓷的反应效率高，反应温度较低，得到的碳化物粉末尺度均匀可控。
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公开(公告)号：CN105463568B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201511023450.3
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法。本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法。本发明是为了解决现有掺钬氟化钇钡晶体难以生长的问题。一、晶体生长原料的制备；二、晶体的生长；三、退火；四、后处理。本发明采用缓冷法和坩埚下降法结合的方式制备掺钬的氟化钇钡晶体，能有效避免晶体生长过程中由于温度梯度过大造成的晶体开裂问题，可得到大尺寸、高质量的完整晶体；并且该方法不需要籽晶，设备简单，整个生长过程在高真空条件下进行，解决了氟化钇钡熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中包裹气泡等不利因素。
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公开(公告)号：CN105384172A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201511018855.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 一种改良西门子法多晶硅还原炉用石墨夹头及其使用方法，涉及一种石墨夹头及其使用方法。本发明要解决现有改良西门子法多晶硅还原炉用石墨夹头与硅芯接触不均匀，从而导致接触点局部温度过高，发生靠壁或倒棒现象的问题。本发明所述改良西门子多晶硅还原炉用石墨夹头包括圆台部分4、环形凹槽5、圆状部分6和凸缘7，圆台部分4和圆柱部分6中心为连通孔；使用方法：一、将硅芯下端加工成与倒圆台孔1相同锥度的倒圆台形；二、将加工后的硅芯的倒圆台形一端插入到石墨夹头的倒圆台孔1中。本发明石墨夹头及其使用方法能够提高改良西门子法多晶硅还原炉的运行稳定性，可避免发生靠壁或倒棒现象，结构简单、易于加工，所需石墨材料少，成本低。
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