公开(公告)号：CN105463568B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201511023450.3

申请日：2015-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵丽丽 ,  朱逢锐 ,  徐超

IPC: C30B29/12 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02

Abstract: 一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法。本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法。本发明是为了解决现有掺钬氟化钇钡晶体难以生长的问题。一、晶体生长原料的制备；二、晶体的生长；三、退火；四、后处理。本发明采用缓冷法和坩埚下降法结合的方式制备掺钬的氟化钇钡晶体，能有效避免晶体生长过程中由于温度梯度过大造成的晶体开裂问题，可得到大尺寸、高质量的完整晶体；并且该方法不需要籽晶，设备简单，整个生长过程在高真空条件下进行，解决了氟化钇钡熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中包裹气泡等不利因素。

公开(公告)号：CN105463568A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201511023450.3

申请日：2015-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵丽丽 ,  朱逢锐 ,  徐超

IPC: C30B29/12 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B29/12 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02

Abstract: 一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法。本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法。本发明是为了解决现有掺钬氟化钇钡晶体难以生长的问题。一、晶体生长原料的制备；二、晶体的生长；三、退火；四、后处理。本发明采用缓冷法和坩埚下降法结合的方式制备掺钬的氟化钇钡晶体，能有效避免晶体生长过程中由于温度梯度过大造成的晶体开裂问题，可得到大尺寸、高质量的完整晶体；并且该方法不需要籽晶，设备简单，整个生长过程在高真空条件下进行，解决了氟化钇钡熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中包裹气泡等不利因素。