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公开(公告)号：CN108448090A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810224334.5
申请日：2018-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 宋爱利
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 一种锂电池硅碳复合负极材料的制备方法，本发明涉及锂电池硅碳负极材料的制备方法，它要解决现有的硅碳核壳结构锂电池负极材料的稳定性差的技术问题。本发明的方法：一、硅微粉热处理；二、硅微粉破碎研磨并筛分；三、用树脂进行包覆；四、高温炭化处理；五、用氢氟酸去除剩下的SiO2。本发明的硅碳复合负极材料的首次放电容量为800～1142mAh/g，首次库伦效率达82％～91％，而100次循环后库伦效率与首次库伦效率相当，仍可达到84％～92％，操作简单，原料易得，易于大规模生产，可用于电化学能源材料技术领域。
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公开(公告)号：CN103922344B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410166001.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 回收制备太阳能级硅材料的方法，它涉及太阳能级硅材料的制备方法，它提供了一种用表面带有二氧化硅层的硅微粉制造硅材料的方法。本方法包含步骤如下：收集硅微粉，放在密闭炉中，在纯氢气氛中加热至熔点以下的温度范围，在持续通入干氢气的条件下保温，使硅粉末表面的二氧化硅层与其他杂质被除掉，得到太阳能级硅材料。利用本法可利用回收的表面带有二氧化硅层的硅微粉制备太阳能级硅材料，包括利用硅晶体切割加工过程中的锯屑制备太阳能级硅材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105088331B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510530969.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种C‑向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，本发明涉及一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚，它为了解决现有生长蓝宝石单晶用坩埚产生的W型界面以及蘑菇状界面引发的晶体开裂以及易形成多晶生长的问题。本发明小角坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，坩埚底呈锥形，坩埚底纵切面的锥角为145°～160°。本发明通过改善液面以及等温线的形状，避免了液面W型和蘑菇状带来的缺点，应用该小角坩埚最终生长出优质蓝宝石单晶，尺寸达到Φ(260‑300)×150‑200mm，晶体不开裂，完整性好，提高制备蓝宝石晶体的质量和完整性。
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公开(公告)号：CN105088331A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510530969.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，本发明涉及一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚，它为了解决现有生长蓝宝石单晶用坩埚产生的W型界面以及蘑菇状界面引发的晶体开裂以及易形成多晶生长的问题。本发明小角坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，坩埚底呈锥形，坩埚底纵切面的锥角为145°～160°。本发明通过改善液面以及等温线的形状，避免了液面W型和蘑菇状带来的缺点，应用该小角坩埚最终生长出优质蓝宝石单晶，尺寸达到Φ(260-300)×150-200mm，晶体不开裂，完整性好，提高制备蓝宝石晶体的质量和完整性。
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公开(公告)号：CN105040093A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510527468.0
申请日：2015-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种混合热场结构蓝宝石晶体生长炉，本发明涉及蓝宝石晶体生长炉。本发明要解决现有装置存在高温下材料挥发污染热场，并且能耗大，晶体的性价比低的技术问题。该装置包括外壳、钼桶、顶保温层、底保温层、高温区侧保温层、填充球、钨杆加热器、钼坩埚和坩埚轴；其中钼坩埚设置在钼桶内部，钼坩埚的底部与坩埚轴连接，坩埚轴穿过底保温层。本发明装置结合了石墨加热器、钨钼材料、氧化铝材料、碳毡材料的保温的特点，既能解决高温下材料挥发污染热场的缺点，又能有效地降低能耗，从而提高晶体的性价比。本发明用于生长制备蓝宝石晶体。
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公开(公告)号：CN103803955B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410074632.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B29/06 , C04B35/14 , C04B35/622 , C30B28/06
Abstract: 一种氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法，它涉及一种复合坩埚的制备方法。本发明是要解决目前的底部的热导率高于侧壁的坩埚的生产造价高并且生产成功率低的技术问题。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法：制浆、浇注、脱坯、高温烧结。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚可以提高加热效率和散热效率，极大改进了硅熔体的定向凝固效果，从而提高硅晶体生长的质量，可以降低晶体硅光伏发电的成本。本发明主要应用于多晶硅定向凝固生长。
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公开(公告)号：CN103922344A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410166001.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 回收制备太阳能级硅材料的方法，它涉及太阳能级硅材料的制备方法，它提供了一种用表面带有二氧化硅层的硅微粉制造硅材料的方法。本方法包含步骤如下：收集硅微粉，放在密闭炉中，在纯氢气氛中加热至熔点以下的的温度范围，在持续通入干氢气的条件下保温，使硅粉末表面的二氧化硅层与其他杂质被除掉，得到太阳能级硅材料。利用本法可利用回收的表面带有二氧化硅层的硅微粉制备太阳能级硅材料，包括利用硅晶体切割加工过程中的锯屑制备太阳能级硅材料。
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