一种三芯电缆短路故障的非侵入式分类方法

    公开(公告)号:CN119805296A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411971131.4

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种三芯电缆短路故障的非侵入式分类方法,包括以下步骤:S1、创建实验平台,通过实验平台中的三个磁电传感器测量三芯电力电缆表面的切向磁场;在三芯电力电缆表面放置三个磁电传感器,三个传感器彼此相差120度;S2、根据Concordia变换将三个位置的切向磁场Btan1、Btan2和Btan3进行模态变换与降维处理,得到α和β模态下的磁场,并且绘制Bα与Bβ两者在极坐标下的曲线,称为磁图;S3、采用随机森林算法对短路故障类型进行识别。本发明采用上述的一种三芯电缆短路故障的非侵入式分类方法,采用具有抗干扰能力强且高灵敏度的磁电传感器来检测三芯电缆表面的磁场变化,最后将随机森林算法用于故障特征数据集,实现短路故障类型的分类。

    一种数据存储介质间的调度方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN115712389B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211343027.1

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种数据存储介质间的调度方法、装置及电子设备,所述方法包括:判断叠瓦式磁盘是否触发更新;若叠瓦式磁盘触发更新,计算所述叠瓦式磁盘中每一个叠瓦分区的内存索引空间对应的优先因子;选择优先因子满足预设条件的目标叠瓦分区;将所述目标叠瓦分区对应的高速存储单元中的数据写入到所述目标叠瓦分区中。本发明通过设计叠瓦分区与闪存块间的调度方法,减少了复合型磁盘在高写入场景下的磁盘写入操作,降低了复合型磁盘的性能开销。

    一种数据存储介质间的调度方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN115712389A

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202211343027.1

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种数据存储介质间的调度方法、装置及电子设备,所述方法包括:判断叠瓦式磁盘是否触发更新;若叠瓦式磁盘触发更新,计算所述叠瓦式磁盘中每一个叠瓦分区的内存索引空间对应的优先因子;选择优先因子满足预设条件的目标叠瓦分区;将所述目标叠瓦分区对应的高速存储单元中的数据写入到所述目标叠瓦分区中。本发明通过设计叠瓦分区与闪存块间的调度方法,减少了复合型磁盘在高写入场景下的磁盘写入操作,降低了复合型磁盘的性能开销。

    一种区块打包方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN115617806A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211360635.3

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种区块打包方法、装置、电子设备及存储介质,方法包括:当新一轮按照预设数量打包区块开始前,将区块链上剩余的未打包区块按照预设要求划分为多个区间,其中划分的第一个区间为当前轮次打包的区块数量,第二个区间打包区块的数量根据所述当前轮次打包的区块数量以及当前轮次预估新增区块的数量确定;确定每一区间包含的区块对应的有效性证明申请次数以及历史目标轮次打包操作时对应的区块增长数量;根据每一区间包含的区块对应的有效性证明申请次数以及历史目标轮次打包操作时对应的区块增长数量,确定下一轮打包区块数量。本发明通过动态调整打包区块数量,可以更好地应对灵活多变的业务场景,最大化利用系统资源。

    抗单粒子瞬态效应的触发器

    公开(公告)号:CN103812472B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201410074893.4

    申请日:2014-03-03

    Abstract: 抗单粒子瞬态效应的触发器,涉及集成电路领域。解决了集成电路设计中单粒子瞬态效应的发生概率越来越高,其脉冲干扰信号被集成电路系统中存储单元捕获导致电路软错误的概率越来越高的问题。初始信号经第一反相器反相后发送至第三脉冲锁存器并输出至异或门xor1和第二反相器,异或门xor1的输出信号经第三反相器反相后同时发送至第一脉冲锁存器和第二脉冲锁存器,第一脉冲锁存器与第二脉冲锁存器的输出信号均发送至与非门,与非门的输出信号经第四反相器反相后发送至异或门xor2,第三脉冲锁存器的输出信号经第二反相器反相后发送至第四脉冲锁存器,第四脉冲锁存器的输出信号经第五反相器反相后发送至异或门xor2,异或门xor2的输出信号为触发器的输出信号。本发明适用于消除单粒子瞬态效应。

    导电胶木粉的制备方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101303912B

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200810064828.8

    申请日:2008-06-30

    Abstract: 导电胶木粉的制备方法,它涉及一种导电胶木粉的制备方法。本发明解决了现有的胶木粉由于其高的绝缘性使其应用范围受到了限制的问题。本发明所述方法为:步骤一、将胶木粉和炭黑按体积份数比5∶2~3的比例混和制成混合粉料,再将混合粉料放入酒精中制成混合液;所述炭黑的颗粒径向尺寸为2~5μm;步骤二、将上述混合液水浴加热至70℃~100℃,然后机械搅拌混合液30~60分钟;步骤三、将混合液在100℃以下烘干制成块状物,将块状物粉碎后即得导电胶木粉。本发明方法使胶木粉具有导电性,扩大了其应用范围。用本方法制备出的导电胶木粉可根据要求将粉体制成规定的形状,其成品的体积电阻率一般为55-130Ω/cm。

    一种基于RSS的自动驾驶路权优化换道方法

    公开(公告)号:CN119389205A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411589507.5

    申请日:2024-11-08

    Abstract: 本发明提供了一种基于RSS的自动驾驶路权优化换道方法。该方法包括:建立责任敏感安全模型RSS模型,该RSS模型包括利用自动驾驶车辆AV的周围环境信息和车辆状态信息设置的纵向最小安全距离,周围车辆到AV的纵向距离小于最小安全距离的行驶距离安全约束条件;构建决策制定模型,利用设定的全局奖励函数和车辆换道性能评估指标对决策制定模型进行训练,得到训练好的决策制定模型;通过训练好的决策制定模型利用行驶距离安全约束条件设计路权优先策略,根据周围环境信息和路权换道决策评估反馈信息利用路权优先策略进行AV的路权优先换道决策。本发明方法能够动态评估和优化车辆的效率,确保换道安全,平衡安全与效率,并适应不同车辆的路权优化需求。

    抗多节点翻转的存储器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103778954B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201410062259.9

    申请日:2014-02-24

    Abstract: 抗多节点翻转的存储器,涉及集成电路领域。本发明是为了降低甚至消除SEU效应在存储器中的影响。它具有对存储单元发生单节点翻转和多节点翻转时的容错保护功能,它包括两个PMOS存取晶体管以及一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构。所述的一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构(stacked structure),由PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5和P6同NMOS晶体管N1、N2、N3和N4共同组成。它的一个作用是来降低存储单元的功耗。本发明可以对于存储器中任意单个节点的翻转进行加固,还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错,而不依赖于存储器所存储的值。

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