公开(公告)号：CN104934409B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410234625.4

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  郭启良 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用减少空隙的预填充工艺形成的金属互连层及其相关联的方法。在一些实施例中，金属互连层具有设置在衬底上方的介电层。具有水平面以上的上部和水平面以下的下部的开口向下延伸穿过介电层。第一导电层填充开口的下部。上部势垒层设置在第一导电层上方以覆盖开口的上部的底面和侧壁表面。第二导电层设置在上部势垒层上方以填充开口的上部。

公开(公告)号：CN104934409A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410234625.4

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  郭启良 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用减少空隙的预填充工艺形成的金属互连层及其相关联的方法。在一些实施例中，金属互连层具有设置在衬底上方的介电层。具有水平面以上的上部和水平面以下的下部的开口向下延伸穿过介电层。第一导电层填充开口的下部。上部势垒层设置在第一导电层上方以覆盖开口的上部的底面和侧壁表面。第二导电层设置在上部势垒层上方以填充开口的上部。

公开(公告)号：CN1324677C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200410034125.2

申请日：2004-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  彭兆贤 ,  眭晓林 ,  梁孟松

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明涉及一种改善蚀刻中止层与金属导线间的粘着性的工艺与结构，本发明的工艺与结构包括利用原子层沉积法在金属导线与蚀刻中止层间增加了一层金属氮化物作为覆盖层，藉以增加蚀刻中止层与金属导线间的粘着性，以提升可靠度。

公开(公告)号：CN113299600A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110558603.3

申请日：2015-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  吕志伟 ,  李明翰 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明涉及形成金属互连的方法。具体而言，本发明揭示一种制造半导体装置的方法。所述方法包含在衬底上方形成介电层，在所述介电层中形成渠道，在所述渠道中形成第一阻障层。所述第一阻障层具有沿着所述渠道的侧壁安置的第一部分和安置在所述渠道的底部上方的第二部分。所述方法还包含应用非等向性等离子处理以将所述第一阻障层的所述第二部分转化成第二阻障层，在沿着所述渠道的侧壁安置所述第一阻障层的所述第一部分时移除所述第二阻障层。所述方法还包含在所述渠道中形成导电特征。

公开(公告)号：CN1783477A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510074901.6

申请日：2005-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  彭兆贤 ,  吴启明 ,  张志维 ,  眭晓林

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31625 ,  H01L23/482 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：一基底；至少一晶体管，位于该基底上；一介电层，覆盖该晶体管且具有一开口，露出该晶体管的一主动区；一氮化钽阻障层，顺应地衬覆于该开口内，其中该氮化钽阻障层是原子层沉积而成且具有少于20埃的厚度；以及一铜层，位于该氮化钽阻障层上并填入于该开口。本发明所述半导体装置及其制造方法可有效防止如铜扩散的金属扩散问题。

公开(公告)号：CN1734740A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510071917.1

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  林俊成 ,  谢静华 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明是有关于一种在含导体层铜上形成阻障层的方法，其中此含导体层铜会线经由一含氢电浆进行处理，再经由一含氩电浆进行处理，此阻障层可使用一化学气相沉积法，例如原子层沉积法，来加以形成，当此沉积方法使用金属和含碳物质作为源材料时，此二阶段的电浆前处理制程可让此阻障层具有改善的电性特性。

公开(公告)号：CN1540744A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410034125.2

申请日：2004-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  彭兆贤 ,  眭晓林 ,  梁孟松

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明涉及一种改善蚀刻中止层与金属层间的粘着性的工艺与结构，本发明的工艺与结构包括利用原子层沉积法在金属层与蚀刻中止层间增加了一层金属氮化物作为覆盖层，藉以增加蚀刻中止层与金属层的粘着性，以提升可靠度。

公开(公告)号：CN113192880A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110378439.8

申请日：2014-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，其中，金属线的顶面暴露于通孔开口；以及用导电材料填充通孔开口以形成通孔。

公开(公告)号：CN105304555A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201410440487.5

申请日：2014-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，其中，金属线的顶面暴露于通孔开口；以及用导电材料填充通孔开口以形成通孔。本发明还涉及导体纳米线的选择性形成。

公开(公告)号：CN100452386C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510074901.6

申请日：2005-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  彭兆贤 ,  吴启明 ,  张志维 ,  眭晓林

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31625 ,  H01L23/482 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：一基底；至少一晶体管，位于该基底上；一介电层，覆盖该晶体管且具有一开口，露出该晶体管的一有源区；一氮化钽阻障层，顺应地衬覆于该开口内，其中该氮化钽阻障层是原子层沉积而成且具有少于20埃的厚度；以及一铜层，位于该氮化钽阻障层上并填入于该开口。本发明所述半导体装置及其制造方法可有效防止如铜扩散的金属扩散问题。