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公开(公告)号：CN103715271B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410008913.8
申请日：2011-12-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/77 , H01L21/28 , H01L27/32
Abstract: 一种半导体组件，设置于一基板上。半导体组件包括一第一通道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极，以及一第三电极与一第四电极。第一通道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上，以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一通道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二通道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。
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公开(公告)号：CN103280539A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310067781.1
申请日：2013-03-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 谢信弘
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L51/525 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管结构、制作有机发光二极管结构的方法及显示面板，有机发光二极管结构包含薄膜晶体管以及有机发光二极管。有机发光二极管制作于平坦化层上且具有上表面，上表面实质上与基板平行且有机发光二极管中各层亦彼此实质上平行。有机发光二极管的各层的大部分皆具有均匀的厚度，以使有机发光二极管可表现均匀的亮度。平坦化层覆盖薄膜晶体管，而位于薄膜晶体管之上的平坦化层亦为一绝缘层所覆盖。制作一开口，开口穿透位于薄膜晶体管之上的平坦化层和绝缘层以露出薄膜晶体管的部分漏极，使有机发光二极管的上电极与薄膜晶体管的漏极电性连接。此外在薄膜晶体管之上的绝缘层，亦设置有多个具有均一高度的间隙子以保护像素结构。
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公开(公告)号：CN102427082B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110343223.4
申请日：2011-10-27
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种电激发光显示器，其包含一第一显示装置、一第二显示装置，以及一可调控式光开关单元。第一显示装置包含一第一发光元件及一第一薄膜晶体管，第二显示装置包含一第二发光元件及一第二薄膜晶体管。可调控式光开关单元设置于第一显示装置与第二显示装置之间，且可调控式光开关单元具有一透光状态与一不透光状态。
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公开(公告)号：CN102244090B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110184742.0
申请日：2011-06-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/3272 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提出一种半导体结构及应用此半导体结构的有机电致发光元件。其中，栅极与栅绝缘层配置于基板上，且栅绝缘层覆盖栅极。通道层位于栅绝缘层上，且位于栅极上方。通道层沿一通道方向上具有一通道长度L，且通道层具有第一侧边以及相对于第一侧边的一第二侧边。源极以及漏极位于通道层的相对两侧，且分别电性连接通道层的第一侧边与第二侧边。介电层覆盖源极、漏极以及通道层。导电遮光图案层配置于介电层上。导电遮光图案层跟部份源极与通道层在垂直投影上重迭，其中导电遮光图案层跟通道层具有重迭长度d1，且0.3≤d1/L≤0.85。本发明可遮挡光线直射通道层，并且不仅可以有效防止光线照射元件造成的元件特性变异，更可进一步提供良好、稳定的元件特性。
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公开(公告)号：CN102751333A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210209111.4
申请日：2012-06-20
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78603
Abstract: 一种主动元件及其制造方法。主动元件包括一缓冲层、一通道、一栅极、一栅绝缘层以及一源极与一漏极。缓冲层配置于一基板上，具有一定位区，其中缓冲层在定位区的部分的厚度大于在定位区以外的部分的厚度。通道配置于缓冲层上，且位于定位区。栅极位于通道上方，栅绝缘层则配置于通道与栅极之间。源极与漏极位于通道上方并电性连接通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847654A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010167036.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 谢信弘
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管显示器的像素结构及其制作方法，所述像素结构包括一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管包括一第一漏极与一第一源极。当第一漏极与第一源极间具有一电压差时，第一晶体管具有一第一次临界斜率。第二晶体管包括一第二漏极与一第二源极。当第二漏极与第二源极间具有此电压差时，第二晶体管具有一第二次临界斜率，且第二次临界斜率大于第一次临界斜率。本发明使第一晶体管的第一次临界斜率小于第二晶体管的第二次临界斜率，以差异化第一晶体管与第二晶体管的电流与电压特性，使第一晶体管可具有较快的开关速度，且第二晶体管则可提供多种不同的第二漏极电流。
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公开(公告)号：CN103779377A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210411203.0
申请日：2012-10-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种有机发光显示器，包括第一基板、有源驱动元件、有机发光元件以及透明保护层。有源驱动元件设置于第一基板上并位于不透明区域。有机发光元件设置于有源驱动元件上方，并包括依次设置在有源驱动元件上方阳极层、有机发光功能层、第一阴极层以及第二阴极层。阳极层与有源驱动元件电性连接，有机发光功能层与阳极层及第一阴极层连接。透明保护层设置于有源驱动元件与有机发光元件之间以及第一阴极层与第二阴极层之间。此有机发光显示器同时具有高穿透率和高发光强度。本发明还提供了一种有机发光显示器的制作方法。
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公开(公告)号：CN102427082A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110343223.4
申请日：2011-10-27
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种电激发光显示器，其包含一第一显示装置、一第二显示装置，以及一可调控式光开关单元。第一显示装置包含一第一发光元件及一第一薄膜晶体管，第二显示装置包含一第二发光元件及一第二薄膜晶体管。可调控式光开关单元设置于第一显示装置与第二显示装置之间，且可调控式光开关单元具有一透光状态与一不透光状态。
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公开(公告)号：CN101819990B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010167348.1
申请日：2010-04-23
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1368
Abstract: 本发明是关于一种电激发光显示面板的像素结构及其制作方法，所述的像素结构包括一基板、一第一图案化导电层、一绝缘层、一第二图案化导电层、一主动层、一第一保护层与一电激发光元件。第一图案化导电层包括一栅极。绝缘层设置于基板及第一图案化导电层上，其中绝缘层包括至少一第一接触洞，部分暴露出栅极。第二图案化导电层设置于绝缘层上，其中第二图案化导电层包括一第一源极与一第一漏极，以及一第二漏极与绝缘层的第一接触洞暴露出的栅极电性连接。
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公开(公告)号：CN102244090A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110184742.0
申请日：2011-06-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/3272 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提出一种半导体结构及应用此半导体结构的有机电致发光元件。其中，栅极与栅绝缘层配置于基板上，且栅绝缘层覆盖栅极。通道层位于栅绝缘层上，且位于栅极上方。通道层沿一通道方向上具有一通道长度L，且通道层具有第一侧边以及相对于第一侧边的一第二侧边。源极以及漏极位于通道层的相对两侧，且分别电性连接通道层的第一侧边与第二侧边。介电层覆盖源极、漏极以及通道层。导电遮光图案层配置于介电层上。导电遮光图案层跟部份源极与通道层在垂直投影上重迭，其中导电遮光图案层跟通道层具有重迭长度d1，且0.3≤d1/L≤0.85。本发明可遮挡光线直射通道层，并且不仅可以有效防止光线照射元件造成的元件特性变异，更可进一步提供良好、稳定的元件特性。
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