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公开(公告)号：CN116885118A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310658318.8
申请日：2023-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本申请涉及一种高镍NCM三元正极材料及其制备方法，所述方法包括：将高镍三元前驱体、LiOH与SnO2混合，后通入氧气进行烧结、第一保温，得Sn元素掺杂的高镍三元正极材料；将所述Sn元素掺杂的高镍三元正极材料与NH4VO3混合，后于氧气气氛中第二保温，保温后降至室温，得高镍NCM三元正极材料。本申请采用Sn元素掺杂和Li3VO4表面包覆双改性策略对三元正极材料进行改性，可同时提高材料的结构稳定性和循环寿命，生成的Li3VO4包覆层为快离子导体，在隔绝电解液的侵蚀作用的同时，有助于锂离子的脱嵌，提高了材料的倍率性能。
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公开(公告)号：CN103043665B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310026873.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅粉的制备方法，涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；2)硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550℃～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的造渣剂；3)将硅液温度控制在1500～1700℃，然后打开阀门，启动雾化器；硅液经由导流管进入雾化器；调整雾化器出气口的气压，使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室，由承接转盘收集得到所述的硅粉。
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公开(公告)号：CN103011169B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210546258.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
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公开(公告)号：CN103387236A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310342874.0
申请日：2013-08-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种高纯硅的精炼装置及其方法，涉及一种硅的精炼装置及其方法。提供低成本、高效、工艺简单和适合产业化推广的一种高纯硅的精炼装置及其方法。所述装置设有中频感应熔炼炉、升降装置、等离子熔炼装置、透气塞装置、真空系统和浇注用石墨模具。将硅料放入坩埚中，抽真空后启动熔炼炉对硅料加热；熔化后提高熔炼炉功率，使硅液在1600～1850℃保温；通入工作气体熔炼；启动熔炼装置，引弧后，将引弧装置转移，对硅液表面进行等离子熔炼；熔炼完成后关闭熔炼装置，透气塞降至坩埚底部，当透气塞降至坩埚底部后关闭透气塞装置，停止通气；将硅液倒入浇注用模具中，即得高纯硅锭。
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公开(公告)号：CN103043665A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310026873.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅粉的制备方法，涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；2)硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550℃～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的造渣剂；3)将硅液温度控制在1500～1700℃，然后打开阀门，启动雾化器；硅液经由导流管进入雾化器；调整雾化器出气口的气压，使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室，由承接转盘收集得到所述的硅粉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102851679A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210137782.4
申请日：2012-05-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法，涉及多晶硅材料的提纯方法。提供一种选择性高、工艺简单的熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法。Si-M合金阳极的制备，电解质预处理，电解槽组装，熔盐电解提纯多晶硅。采用真空熔炼Si-M合金，作为可溶性阳极；以复合氯化物-氧化物复合熔盐作为新型低温电解质体系；以金属、硬质合金、太阳能级多晶硅或高纯石墨作为阴极。进一步降低了电解温度和电解电压，保证了电解过程的高效、稳定、低能耗运行，对多晶硅中杂质元素B和P的高选择性提纯。
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公开(公告)号：CN102659110A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210115457.8
申请日：2012-04-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用硅铁合金定向凝固提纯多晶硅的方法，涉及一种多晶硅的提纯方法。将工业硅粉放入盐酸中浸泡，然后用去离子水冲洗；将硅粉和铁粉放入石墨坩埚，再将石墨坩埚放入定向凝固炉中，关闭炉盖，抽真空至10Pa以下，通入氩气；打开感应加热电源，使石墨坩埚内温度达到1570～1650℃后保温；启动定向凝固升降装置进行定向凝固，除去硅中的杂质，得铸锭；将铸锭放入真空退火炉中退火处理，之后炉冷至室温，得合金铸锭；取出合金铸锭，切除上部的20％～40％，剩余部分即为采用硅铁合金定向凝固提纯多晶硅。设备成本低、工艺简单易行，且提纯效果好，在太阳能级多晶硅生产领域市场前景十分广阔。
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公开(公告)号：CN113363438A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110601746.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开一种含有La、Ce共掺杂的NCMA四元前驱体制备方法，包括：1)将可溶性镍盐、钴盐、锰盐配置成总的金属离子浓度为1.5mol/L‑2.0mol/L的溶液A；2)向混合液A中加入镧盐和铈盐溶液混合均匀，得到溶液B；3)将偏铝酸钠溶液以预设速率加入到氢氧化钠溶液，得到溶液C；4)将溶液B、氢氧化钠溶液、氨水溶液加入反应釜进行共沉淀反应；5)结晶颗粒大小D50长至6um时，向反应釜中通入溶液C继续反应；6)待溢出产物的粒度D50长至10±1um后停止反应，将溢流浆料进行陈化、洗涤、干燥、除铁得到镍钴锰铝前驱体；本发明通过通过配方及工艺条件的合理设置制备出高球形度、高结晶度、高振实等优点的NCMA前驱体。
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公开(公告)号：CN102583387B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210024958.5
申请日：2012-02-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法，涉及多晶硅的提纯方法。将装有工业硅和工业铁粉的石墨坩埚放入感应熔炼炉中加热，通入氩气；将感应熔炼炉升温至1550～1620℃，保温3～5h；将经过保温的合金降温至1220～1270℃，然后淬火处理；将经过淬火处理的硅锭粉碎，然后磨成硅粉，再清洗；将清洗后的硅粉放入氢氟酸中酸洗，清洗后烘干；将烘干后的硅粉与钙粒混合后放入石墨坩埚，进行二次熔炼后，降温至1050～1100℃，然后淬火处理；将硅锭粉碎，清洗，然后放入盐酸中酸洗，再清洗后烘干，得到的硅粉即为采用二次合金法提纯的多晶硅。
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公开(公告)号：CN103395787B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310343089.7
申请日：2013-08-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 一种由硅矿石制备高纯硅的装置及其制备方法，涉及一种高纯硅的制备方法。所述装置设有矿热炉、辅助电极系统和定向凝固炉；矿热炉设有主电极；辅助电极系统设有辅助电极、绝缘板和手推车；定向凝固炉设有水冷装置、感应线圈、石墨坩埚、充气孔、枪体夹持器、抽气孔、红外探测仪和等离子枪。将硅矿石、油焦和木炭混合进入炉内加热，加入造渣剂造渣精炼；开启定向凝固炉电源和辅助电极，使造渣精炼后的硅液流入坩埚中；开启充气孔和抽气孔，向定向凝固炉内通入氩气和水蒸气；使硅液温度达到1700～1800℃；开启等离子枪，对硅液表面进行熔炼；维持硅液表面温度在1450～1520℃；开启水冷装置；定向凝固完成后硅锭冷却，即得高纯硅。
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