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公开(公告)号:CN106451058B
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201611027876.0
申请日:2016-11-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器,涉及激光器。设有偏心高斯泵浦源和激光器谐振系统,偏心高斯泵浦源依次设有808nm光纤耦合激光二极管、两个透镜;808nm光纤耦合激光二极管和第二透镜位于同一光轴上;激光器谐振系统设有激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜;激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜固定在同一夹具中。
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公开(公告)号:CN106451058A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201611027876.0
申请日:2016-11-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器,涉及激光器。设有偏心高斯泵浦源和激光器谐振系统,偏心高斯泵浦源依次设有808nm光纤耦合激光二极管、两个透镜;808nm光纤耦合激光二极管和第二透镜位于同一光轴上;激光器谐振系统设有激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜;激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜固定在同一夹具中。
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公开(公告)号:CN115791912B
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202211433058.6
申请日:2022-11-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置,包括:电机;导电滑环,套设于电机的转轴上;电解池,底部设有透光底座,其底部与电机的转轴转动连接,顶部设有圆环凹槽;对电极,嵌套于圆环凹槽内,并从导电滑环穿出;抛光垫,设于透光底座上,且设有通孔;半导体电极,位于通孔的正上方;金属柱,固定于半导体电极的上端;参比电极,固定于金属柱的左端;电化学工作站,分别连接至金属柱、参比电极和对电极;力传感器,固定于金属柱的上端;计算机,连接至力传感器;电解液,注入于电解池内;及光源,放置于透光底座下方,正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法,了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。
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公开(公告)号:CN115791912A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211433058.6
申请日:2022-11-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明提供了一种半导体摩擦光电化学的测量装置,包括:电机;导电滑环,套设于电机的转轴上;电解池,底部设有透光底座,其底部与电机的转轴转动连接,顶部设有圆环凹槽;对电极,嵌套于圆环凹槽内,并从导电滑环穿出;抛光垫,设于透光底座上,且设有通孔;半导体电极,位于通孔的正上方;金属柱,固定于半导体电极的上端;参比电极,固定于金属柱的左端;电化学工作站,分别连接至金属柱、参比电极和对电极;力传感器,固定于金属柱的上端;计算机,连接至力传感器;电解液,注入于电解池内;及光源,放置于透光底座下方,正对于通孔位置。本发明还提供了一种半导体摩擦光电化学的测量方法,了解表面氧化层对非氧化型半导体光电化学的影。
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