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公开(公告)号：CN115347114A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210983344.3
申请日：2022-08-16
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高阻值半导体结构及其制备方法。该结构包括：自下而上依次为衬底、高阻值缓冲层、拓扑材料层，高阻值缓冲层为III‑V族半导体层，其中，高阻值缓冲层的厚度为5‑50 nm。本发明还公开了一种基于高阻值半导体结构的自旋电子器件结构。高阻值半导体结构通过在拓扑材料层和衬底间引入高阻值缓冲层，在保证拓扑材料层质量的同时，极大地提高了拓扑材料层的外延成功率和可控性，并且可以极大地减小输运实验和器件应用中衬底的分流效应。
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公开(公告)号：CN113972319A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111211968.5
申请日：2021-10-18
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L49/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体/金属/半导体量子阱结构，其特征在于，包括第一半导体层、金属Al薄膜层和第二半导体层，其中金属Al薄膜层夹杂在第一半导体层和第二半导体层之间，金属Al薄膜层为取向唯一的单晶且没有孪晶。本发明还提供了一种半导体/金属/半导体量子阱结构的制备方法。本发明利用两步法外延制备的金属Al薄膜表面平整，单晶质量高，无孪晶，光学损耗低，半导体/金属/半导体量子阱结构可用于半导体量子信息器件。
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公开(公告)号：CN109166788A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810992194.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。该方法具体步骤包括：步骤1，获取(100)晶面的硅衬底或者(111)晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底。本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，制备工艺更简单，可以降低成本。
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公开(公告)号：CN113972292A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110333443.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/30 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于InP基带隙可调的结构，包括依次层叠设置的上电极层、超晶格功能层、下电极层和InP衬底，其中超晶格功能层作为光电转换器件光的吸收或发射区，超晶格功能层为晶格常数大于和小于InP衬底的晶格常数的半导体层交替堆叠生长组成的超晶格。本发明还公开了基于此结构的光电转换器件以及此结构的分子束外延生长方法。由于超晶格内部的应变补偿的方法，将两种大失配的半导体材料集成在一起，且无需考虑由于失配应变产生的位错缺陷导致超晶格的质量变差和引起器件暗电流等因素。同时，通过改变短周期超晶格的周期长度可以改变应变补偿短周期超晶格的光学带隙，拓展了结构的光电转换响应波长范围，使得近红外波段的光电转换器件可在同一材料体系中实现宽的可调响应范围。
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公开(公告)号：CN109166788B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201810992194.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。该方法具体步骤包括：步骤1，获取(100)晶面的硅衬底或者(111)晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底。本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，制备工艺更简单，可以降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110044957B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910336860.5
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请提供一种测量电路、测量系统及热物性参数测量方法。该测量电路包括：第一放大电路、第二放大电路、差分放大电路、可调电阻器及电子乘法器。第一放大电路、第二放大电路的输出端中的至少一个通过电子乘法器与差分放大电路的输入端连接；可调电阻器用于在测量前调节两个输入端的基频电压差，以使测量前的基频电压差小于或等于第一预设阈值，电子乘法器用于在测量时调节与电子乘法器连接的输入端的基频电压，以使差分放大器的两个输入端的基频电压差小于或等于第二预设阈值，第二预设阈值小于第一预设阈值，差分放大电路用于测量基频电压及三次谐波电压，能够提高测量的三次谐波电压的精度，改善因基频电压导致热物性测量精度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN109979996A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910237587.0
申请日：2019-03-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/47 , H01L21/285 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管。本发明提供的半金属/半导体肖特基结，包括半导体层和半金属层，所述半导体层和半金属层之间形成肖特基接触；其中，形成所述半金属层的化合物为稀土元素与VA族元素组成的化合物。本发明提供的半金属/半导体肖特基结中半导体层和半金属层的界面热稳定性良好，基于所述半金属/半导体肖特基结的肖特基二极管，理想因子约为1.05，噪声等效功率可降低至pW/Hz1/2甚至亚pW/Hz1/2量级，具有更灵敏的探测性能。
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公开(公告)号：CN107723789A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710889208.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括：(1)对(100)晶面的InSb衬底加热进行去氧化处理；(2)通过分子束外延的方法在InSb衬底上生长一层InSb缓冲层，生长温度为450℃；(3)在InSb缓冲层的表面沉积一层50nm厚的非晶Sb作为保护层，防止氧化；(4)在Ⅳ族分子束外延设备中，将InSb衬底加热至400℃去除非晶Sb；(5)通过分子束外延的生长方法，在10℃～15℃的条件下，生长灰锡薄膜，生长速率为0.025A/sec；最终得到20nm～100nm厚的灰锡单晶薄膜。本发明利用低温外延法制备的灰锡薄膜的相变温度由已知的13.2℃提高到了120℃。
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公开(公告)号：CN107065058A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710266022.6
申请日：2017-04-21
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3033
Abstract: 本发明公开了一种用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料具体为：在锑化镓的基质中嵌入锑化铒的纳米线阵列，纳米线阵列的方向与基质表面垂直或者平行，当锑化铒的体积比浓度为10％时，纳米线阵列的方向垂直于基质表面；当锑化铒的体积比浓度为15‑25％时，纳米线阵列的方向平行于基质表面，本发明通过分子束外延的方法，获得在半导体材料中嵌入具有半金属性质的纳米线结构的复合材料，这种材料可用作宽频的太赫兹和红外偏振器，并可与基于III－V族半导体材料的太赫兹和红外光电器件进行集成。
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公开(公告)号：CN119630269A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311180720.6
申请日：2023-09-13
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多层薄膜结构、制备方法及其应用。其中，一种多层薄膜结构包括：单晶衬底，铝薄膜，以及钽薄膜。制备方法包括以下步骤：对单晶衬底的表面进行处理；在单晶衬底表面外延生长铝薄膜；在铝薄膜上方外延生长钽薄膜。本发明提供的一种多层薄膜结构、制备方法以及超导量子比特器件拓展了钽薄膜的制备方法，实现了大面积α相钽薄膜的均匀生长，多层薄膜的界面质量高，超导临界温度2至4 K。同时，本发明设计的超导量子比特器件，退相干时间长，制造的谐振腔电路具有高的品质因子，可应用于超导量子比特器件，超导量子计算机等领域。
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