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公开(公告)号：CN116374999B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310290100.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01B32/16 , C01B32/162 , C09K5/14 , B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J37/16 , B01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种通过二次碳纳米管互联的热界面材料及其制备方法，属于热界面材料领域，方法包括：S1、在垂直碳纳米管阵列内部沉积金属氧化物纳米颗粒；S2、对所述金属氧化物纳米颗粒进行还原，形成金属催化剂纳米颗粒；S3、将所述金属催化剂纳米颗粒作为二次碳纳米管的生长位点，在所述垂直碳纳米管阵列内部生长二次碳纳米管。本发明将二次碳纳米管作为填充材料，能够实现二次碳纳米管的深度填充以及与垂直碳纳米管的共价键连接，减小与垂直碳纳米管间的接触热阻，进而提升垂直碳纳米管阵列的热传输性能，并且维持阵列的低热膨胀系数，保持其热机械稳定性，充分提高垂直碳纳米管阵列在热界面材料领域的应用。
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公开(公告)号：CN111845003B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010557982.X
申请日：2020-06-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了纳米材料的可控性热压实现方法，属于纳米材料加工与应用技术领域，包括以下步骤：首先，选择适用于生长纳米材料的原生衬底，制备纳米材料；其次，在理想的目标衬底上制备辅助界面层和热压截止层；再将原生衬底上的纳米材料与目标衬底表面的辅助界面层贴合，通过加热使辅助界面层进行物理或化学反应，在一定压力下，纳米材料对辅助界面层嵌入式接触；最后，冷却装置并移除原生衬底和辅助生长层，采用浸洗剂去除或直接移除热压截止层，即在目标衬底上转移得到所需纳米材料结构。本发明通过制备特定平整度、高度的热压截止层来实现纳米材料在平面衬底上的形貌完整性和均一性，以保证纳米材料物理化学性质的稳定性。
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公开(公告)号：CN111620340A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010427607.3
申请日：2020-05-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01B32/921 , B82Y40/00 , C01B32/16
Abstract: 本发明公开了一种原位生长TiC纳米管的方法，属于复合材料技术领域。包括以下步骤：制备碳纳米管；在所述碳纳米管表面采用原子层沉积的方式生长Ti或TiO2；进行真空高温烧结，生成TiC纳米管。采用原子层沉积Ti/TiO2的方式，不仅保留碳纳米管阵列原本的形貌结构，可以有效实现对碳纳米管阵列的均匀包覆，从而规避了其他传统沉积方式的弊端，而且沉积Ti/TiO2的前驱体源很丰富，选择性更高。原位生长TiC纳米管不仅有利于充分发挥碳纳米管阵列结构的特性，而且可以充分发挥TiC的电学和机械性能，拓宽了TiC纳米管在器件中的应用。
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公开(公告)号：CN111470468B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010324601.3
申请日：2020-04-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用原子层沉积法在碳纳米管表面沉积纳米量级的第一金属层，使第一金属层与碳纳米管形成欧姆接触；S2、在第一金属层的表面沉积微米量级的第二金属层，以填充碳纳米管表面空隙，形成金属薄膜；S3、在目标衬底表面沉积金属合金，将碳纳米管转移到目标衬底上。本发明采用沉积速率较慢、沉积包覆性好的原子层沉积在碳纳米管表面沉积一层纳米量级、浸滑性好的金属，实现金属纳米颗粒渗透入碳纳米管表面，增加金属纳米颗粒与碳管的接触面积，实现金属原子对碳纳米管的浸润和包覆，进而形成欧姆接触，有效的降低了目标衬底与碳纳米管之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN116332161A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310274781.2
申请日：2023-03-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01B32/168 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种内部互联的垂直碳纳米管阵列，属于热界面材料结构设计领域。热量以声子形式在垂直碳纳米管阵列内部传输时，除了沿着竖直碳纳米管进行传输，还会在微弱范德华力的作用下沿着垂直碳纳米管阵列生长的方向即横向进行传输，由于相邻碳管间大量空气的存在，声子在横向传输时受到巨大的阻碍作用，此时电子器件产生的热量将在碳纳米管阵列内部累积，导致后续产生的热量堆积在电子器件内部。本发明采用多个横向分布的一维纳米材料完全连接在相邻垂直碳纳米管之间，在垂直碳纳米管阵列内部形成互联结构，一维纳米材料的结构使得热量能够快速沿着横向传输到周围环境，不会受到空气的阻碍，减少热量在电子器件内部的累积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111470468A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010324601.3
申请日：2020-04-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用原子层沉积法在碳纳米管表面沉积纳米量级的第一金属层，使第一金属层与碳纳米管形成欧姆接触；S2、在第一金属层的表面沉积微米量级的第二金属层，以填充碳纳米管表面空隙，形成金属薄膜；S3、在目标衬底表面沉积金属合金，将碳纳米管转移到目标衬底上。本发明采用沉积速率较慢、沉积包覆性好的原子层沉积在碳纳米管表面沉积一层纳米量级、浸滑性好的金属，实现金属纳米颗粒渗透入碳纳米管表面，增加金属纳米颗粒与碳管的接触面积，实现金属原子对碳纳米管的浸润和包覆，进而形成欧姆接触，有效的降低了目标衬底与碳纳米管之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN118231554A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410312773.7
申请日：2024-03-19
IPC: H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/48 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种具有防光学串扰硅墙的微发光元件及制备方法，属于半导体技术领域。本发明通过叠片刻蚀得到硅基硅墙，再将硅基硅墙与光源阵列键合，硅材料对可见光并不是完全吸收，因此光源侧壁光能可以得到有效利用；另外硅墙侧壁镀制金属反射膜，进一步提高对光源所发出光能的利用率；且光源上表面发光导致的串扰也可以得到有效抑制。
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公开(公告)号：CN111863459A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010601614.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于滤波电容、微纳制造技术与电子电路的交叉技术领域，公开了一种贴片式微型滤波电容器的制备方法与应用，采用图形化的3D硅基框架(100)，进行集流体(101)和活性材料(102)的包覆，制得电容器的电极，将其固定于封装外壳下部(103a)，涂覆电解质(104)；最后封装外壳上部(103b)并预留导电连接点，将导电引脚(105)内嵌入壳中，实现电容器的贴片设计导电引脚。本发明对贴片式微型滤波电容器整体流程工艺进行设计，通过半导体工艺实现其贴片电极的定制化制作；采用了简易的封装结构，便于密封；制作尺寸可调的内嵌式导电引脚对电路板进行点焊式电连接，保证了连接可靠性和微缩化集成。最终，将其实际应用于贴片的电路板，实现了滤波功能。
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公开(公告)号：CN111845003A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010557982.X
申请日：2020-06-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了纳米材料的可控性热压实现方法，属于纳米材料加工与应用技术领域，包括以下步骤：首先，选择适用于生长纳米材料的原生衬底，制备纳米材料；其次，在理想的目标衬底上制备辅助界面层和热压截止层；再将原生衬底上的纳米材料与目标衬底表面的辅助界面层贴合，通过加热使辅助界面层进行物理或化学反应，在一定压力下，纳米材料对辅助界面层嵌入式接触；最后，冷却装置并移除原生衬底和辅助生长层，采用浸洗剂去除或直接移除热压截止层，即在目标衬底上转移得到所需纳米材料结构。本发明通过制备特定平整度、高度的热压截止层来实现纳米材料在平面衬底上的形貌完整性和均一性，以保证纳米材料物理化学性质的稳定性。
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公开(公告)号：CN118231543A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410312934.2
申请日：2024-03-19
Abstract: 本发明涉及一种蓝光Micro LED芯片高效全彩化的方法，属于半导体发光技术领域。将蓝光Micro LED芯片与驱动IC进行倒装键合；剥离键合后的蓝光Micro LED芯片的蓝宝石衬底；在衬底剥离后暴露出来的n‑GaN层运用电化学腐蚀的方法制备纳米多孔；将量子点光刻胶图形化至所述纳米多孔层上从而实现蓝光Micro LED芯片的高效全彩化。采用电化学腐蚀法制备纳米多孔层具有多孔孔径、密度、深度可调节的优点。纳米多孔层不仅可以提高蓝光Micro LED芯片的蓝光出光率，而且加载量子点后的多孔层可以提高量子点的色转换效率，从而实现蓝光Micro LED芯片的高效全彩化显示。
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