公开(公告)号：CN116374999B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310290100.1

申请日：2023-03-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张一雳 ,  孙雷蒙 ,  肖东阳 ,  杜欢欢 ,  王维 ,  汤永威

IPC: C01B32/16 ,  C01B32/162 ,  C09K5/14 ,  B01J23/745 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J37/16 ,  B01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种通过二次碳纳米管互联的热界面材料及其制备方法，属于热界面材料领域，方法包括：S1、在垂直碳纳米管阵列内部沉积金属氧化物纳米颗粒；S2、对所述金属氧化物纳米颗粒进行还原，形成金属催化剂纳米颗粒；S3、将所述金属催化剂纳米颗粒作为二次碳纳米管的生长位点，在所述垂直碳纳米管阵列内部生长二次碳纳米管。本发明将二次碳纳米管作为填充材料，能够实现二次碳纳米管的深度填充以及与垂直碳纳米管的共价键连接，减小与垂直碳纳米管间的接触热阻，进而提升垂直碳纳米管阵列的热传输性能，并且维持阵列的低热膨胀系数，保持其热机械稳定性，充分提高垂直碳纳米管阵列在热界面材料领域的应用。

公开(公告)号：CN118231554A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410312773.7

申请日：2024-03-19

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 汤永威 ,  孙雷蒙 ,  王维 ,  杜欢欢

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明涉及一种具有防光学串扰硅墙的微发光元件及制备方法，属于半导体技术领域。本发明通过叠片刻蚀得到硅基硅墙，再将硅基硅墙与光源阵列键合，硅材料对可见光并不是完全吸收，因此光源侧壁光能可以得到有效利用；另外硅墙侧壁镀制金属反射膜，进一步提高对光源所发出光能的利用率；且光源上表面发光导致的串扰也可以得到有效抑制。

公开(公告)号：CN116332161A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310274781.2

申请日：2023-03-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张一雳 ,  孙雷蒙 ,  肖东阳 ,  杜欢欢 ,  王维 ,  汤永威

IPC: C01B32/168 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明公开了一种内部互联的垂直碳纳米管阵列，属于热界面材料结构设计领域。热量以声子形式在垂直碳纳米管阵列内部传输时，除了沿着竖直碳纳米管进行传输，还会在微弱范德华力的作用下沿着垂直碳纳米管阵列生长的方向即横向进行传输，由于相邻碳管间大量空气的存在，声子在横向传输时受到巨大的阻碍作用，此时电子器件产生的热量将在碳纳米管阵列内部累积，导致后续产生的热量堆积在电子器件内部。本发明采用多个横向分布的一维纳米材料完全连接在相邻垂直碳纳米管之间，在垂直碳纳米管阵列内部形成互联结构，一维纳米材料的结构使得热量能够快速沿着横向传输到周围环境，不会受到空气的阻碍，减少热量在电子器件内部的累积。

公开(公告)号：CN118231543A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410312934.2

申请日：2024-03-19

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 王维 ,  孙雷蒙 ,  杜欢欢 ,  汤永威

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/50 ,  H01L33/48 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明涉及一种蓝光Micro LED芯片高效全彩化的方法，属于半导体发光技术领域。将蓝光Micro LED芯片与驱动IC进行倒装键合；剥离键合后的蓝光Micro LED芯片的蓝宝石衬底；在衬底剥离后暴露出来的n‑GaN层运用电化学腐蚀的方法制备纳米多孔；将量子点光刻胶图形化至所述纳米多孔层上从而实现蓝光Micro LED芯片的高效全彩化。采用电化学腐蚀法制备纳米多孔层具有多孔孔径、密度、深度可调节的优点。纳米多孔层不仅可以提高蓝光Micro LED芯片的蓝光出光率，而且加载量子点后的多孔层可以提高量子点的色转换效率，从而实现蓝光Micro LED芯片的高效全彩化显示。

公开(公告)号：CN116374999A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310290100.1

申请日：2023-03-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张一雳 ,  孙雷蒙 ,  肖东阳 ,  杜欢欢 ,  王维 ,  汤永威

IPC: C01B32/16 ,  C01B32/162 ,  C09K5/14 ,  B01J23/745 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J37/16 ,  B01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种通过二次碳纳米管互联的热界面材料及其制备方法，属于热界面材料领域，方法包括：S1、在垂直碳纳米管阵列内部沉积金属氧化物纳米颗粒；S2、对所述金属氧化物纳米颗粒进行还原，形成金属催化剂纳米颗粒；S3、将所述金属催化剂纳米颗粒作为二次碳纳米管的生长位点，在所述垂直碳纳米管阵列内部生长二次碳纳米管。本发明将二次碳纳米管作为填充材料，能够实现二次碳纳米管的深度填充以及与垂直碳纳米管的共价键连接，减小与垂直碳纳米管间的接触热阻，进而提升垂直碳纳米管阵列的热传输性能，并且维持阵列的低热膨胀系数，保持其热机械稳定性，充分提高垂直碳纳米管阵列在热界面材料领域的应用。