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公开(公告)号：CN107200597B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710384629.4
申请日：2017-05-26
Applicant: 华中科技大学 , 北京钢研新冶精特科技有限公司 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B38/00 , C04B35/626 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/584 , C04B35/14 , C04B35/185 , C04B35/80
Abstract: 本发明属于无机非金属陶瓷制备领域，具体涉及一种高孔隙率复杂多孔陶瓷的直接凝固注模成型制备方法，包括如下步骤：首先将陶瓷纤维、分散剂和去离子水混合并充分球磨，制得陶瓷浆料；然后加入熔盐并球磨，接着在陶瓷浆料中加入酯类pH调节剂，搅拌均匀后注入增材制造的无孔模具中固化并干燥；最后置于烧结炉中烧结，得到高孔隙率全纤维复杂的多孔陶瓷烧结体。本发明通过直接凝固注模成型工艺结合熔盐法、增材制造技术和消失模成型工艺，制备出高孔隙率全纤维复杂多孔陶瓷，无需脱模、烧结温度低，制得陶瓷烧结体强度高且孔隙率高，还具有操作简单，模具形状可设计且制备周期短、成本低，适合于任何带负电的陶瓷浆料等优点。
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公开(公告)号：CN107139314A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710344284.X
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学 , 北京钢研新冶精特科技有限公司 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: B28B7/00 , B28B1/14 , C04B33/28 , C04B33/32 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/48 , C04B35/565 , C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/64
CPC classification number: B28B7/00 , B28B1/14 , C04B33/28 , C04B33/32 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/48 , C04B35/565 , C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/64 , C04B2235/6023 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567
Abstract: 本发明属于无机非金属陶瓷制备领域，并公开了一种用于陶瓷胶态成型的覆膜砂模具的制备方法，包括：构建覆膜砂模具三维模型进行切片，根据三维模型切片数据进行增材制造制备覆膜砂模具初坯；将覆膜砂模具初坯埋于玻璃微珠中，并置于烧结炉中进行烧结热处理；将烧结热处理后的覆膜砂模具初坯置于硅溶胶溶液中浸渗，取出后置于烘箱中干燥，得到覆膜砂模具；将陶瓷浆料注入到覆膜砂模具中，然后置于烘箱中使浆料固化并干燥得到陶瓷干坯；将陶瓷干坯与覆膜砂模具进行烧结处理，在烧结过程中覆膜砂模具发生溃散获得陶瓷烧结体。本发明能有效解决低强度陶瓷素坯由于脱模易产生裂纹和开裂的问题，具有操作简单，环境友好，陶瓷素坯无需脱模等优点。
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公开(公告)号：CN107139314B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710344284.X
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学 , 北京钢研新冶精特科技有限公司 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: B28B7/00 , B28B1/14 , C04B33/28 , C04B33/32 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/48 , C04B35/565 , C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于无机非金属陶瓷制备领域，并公开了一种用于陶瓷胶态成型的覆膜砂模具的制备方法，包括：构建覆膜砂模具三维模型进行切片，根据三维模型切片数据进行增材制造制备覆膜砂模具初坯；将覆膜砂模具初坯埋于玻璃微珠中，并置于烧结炉中进行烧结热处理；将烧结热处理后的覆膜砂模具初坯置于硅溶胶溶液中浸渗，取出后置于烘箱中干燥，得到覆膜砂模具；将陶瓷浆料注入到覆膜砂模具中，然后置于烘箱中使浆料固化并干燥得到陶瓷干坯；将陶瓷干坯与覆膜砂模具进行烧结处理，在烧结过程中覆膜砂模具发生溃散获得陶瓷烧结体。本发明能有效解决低强度陶瓷素坯由于脱模易产生裂纹和开裂的问题，具有操作简单，环境友好，陶瓷素坯无需脱模等优点。
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公开(公告)号：CN107200597A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710384629.4
申请日：2017-05-26
Applicant: 华中科技大学 , 北京钢研新冶精特科技有限公司 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B38/00 , C04B35/626 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/584 , C04B35/14 , C04B35/185 , C04B35/80
Abstract: 本发明属于无机非金属陶瓷制备领域，具体涉及一种高孔隙率复杂多孔陶瓷的直接凝固注模成型制备方法，包括如下步骤：首先将陶瓷纤维、分散剂和去离子水混合并充分球磨，制得陶瓷浆料；然后加入熔盐并球磨，接着在陶瓷浆料中加入酯类pH调节剂，搅拌均匀后注入增材制造的无孔模具中固化并干燥；最后置于烧结炉中烧结，得到高孔隙率全纤维复杂的多孔陶瓷烧结体。本发明通过直接凝固注模成型工艺结合熔盐法、增材制造技术和消失模成型工艺，制备出高孔隙率全纤维复杂多孔陶瓷，无需脱模、烧结温度低，制得陶瓷烧结体强度高且孔隙率高，还具有操作简单，模具形状可设计且制备周期短、成本低，适合于任何带负电的陶瓷浆料等优点。
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公开(公告)号：CN119505872A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411661936.9
申请日：2024-11-20
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种长时间耐高温的硫化铅胶体量子点薄膜及其制备方法，包括：获得第一PbS量子点固体，其表面配体为第一配体，将第一PbS量子点固体溶解于第一非极性溶剂中，形成第一PbS量子点溶液；在第一PbS量子点溶液里加入硫醇配体；得到第二PbS量子点固体，此时量子点表面为硫醇配体；将表面为硫醇配体的量子点溶解在第二非极性溶剂，得到第二PbS量子点溶液；将第二PbS量子点溶液旋涂在基底上，制成PbS胶体量子点薄膜制成；硫醇配体为巯基乙醇(ME)或丁硫醇中的一种或多种组合。本发明实施例通过采用巯基乙醇(ME)或丁硫醇作为PbS量子点固体配体，利用耐高温的硫醇配体代替高温不稳定的金属卤化物配体，使PbS量子点薄膜在长时间高温稳定性方面有了很大提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114907846B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110184890.6
申请日：2021-02-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种量子点材料以及制备方法、应用。量子点材料为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括聚酰亚胺配体和卤化铅配体；所述胶体量子点包括PbS、PbSe中的至少一种。该量子点材料为经有机聚合物聚酰亚胺(PI)和卤化铅配体协同修饰的胶体量子点，大大降低了量子点的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。
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公开(公告)号：CN115353573A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210863325.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于近红外成像的香菇多糖荧光标记物及其合成方法，属于多糖荧光标记物技术领域。本发明通过对香菇多糖的具体结构进行修饰，得到可用于近红外成像的香菇多糖衍生物，并相应的对合成方法的整体工艺流程设计，各个步骤的反应条件及参数进行控制，得到的香菇多糖荧光标记物用于近红外成像，可以有效解决天然植物多糖的体内外实验中代谢示踪的问题。
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公开(公告)号：CN112521943B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010999795.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种量子点材料以及制备方法、应用。所述量子点材料为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体。该量子点材料通过引入金属Sn元素，与卤化铅配体共同修饰胶体量子点，从而降低了量子点材料的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。
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公开(公告)号：CN113241298A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110359561.0
申请日：2021-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种碲半导体薄膜的制备方法，以及得到的碲半导体薄膜、相关制备仪器、应用。所述制备方法包括：将Te源进行气相传输沉积，获得所述碲半导体薄膜。本申请提供了一种碲半导体薄膜的制备方法，气相传输沉积(Vapor transport deposition)法与热蒸发法和磁控溅射方法相比之下具有操作简便、设备简单、生长成本低、可实时观察(基于VTD设备的翻盖设计)等优点。
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公开(公告)号：CN114814395B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202110133261.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于BGA封装类前端芯片的光电探测材料测试系统，属于光电探测材料技术领域，能够解决现有BGA封装中系统封装密度和引脚数较大时，所设计的PCB板层数较多的问题。所述系统包括：PCB板，其上设置有多个过孔；光电探测材料，设置在PCB板的第一表面上；光电探测材料构成多个独立的像素；每个过孔与每个像素一一对应；BGA封装类前端芯片，设置在PCB板的第二表面上，BGA封装类前端芯片具有多个引脚，每个过孔均对应一个引脚，每个像素的阳极通过对应的过孔与对应的引脚电气连接；FPGA开发板，用于对BGA封装类前端芯片传输的信号进行打包和传送；显示屏，用于对FPGA开发板传送的信号进行显示。本发明用于新型光电探测材料的研发。
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