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公开(公告)号：CN118348744A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410438916.9
申请日：2024-04-12
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本说明书实施例提供了一种光刻标记分布式仿真计算的方法、设备和程序，其中，方法包括根据用户设定的光刻标记仿真参数生成仿真任务；调度器根据调度策略将所述仿真任务发送至任务队列；计算节点根据预设的光刻标记模型计算模块运行光刻标记仿真算法，对应所述任务队列中的所述仿真任务，获得仿真结果；将仿真结果进行排序融合，并根据用户ID及对应的任务ID进行反馈仿真结果，根据仿真结果选出最优化的标记设计参数和测量设备参数，以解决传统计算机硬件系统无法满足光刻标记仿真算力不足的技术问题。
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公开(公告)号：CN118311834A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410320391.9
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/67 , H01L23/544 , H01L21/66 , G06F30/20
Abstract: 本说明书实施例提供了一种光刻标记的设计仿真优化方法、系统、设备及存储介质，其中，方法包括：生成关键指标评价模型；新建或读取光刻标记数据文件；进行光刻标记工艺叠层、光刻标记图案设计及光刻标记测量设备参数设置；进行工艺扰动参数和范围、关键指标评价模型、关键指标优化参数以及计算设备硬件参数设置；通过关键指标评价模型用于将光刻标记设计质量和工艺适应性的多项关键技术指标进行综合评估，生成关键指标评价结果，在满足设定阈值的情况下，保存光刻标记数据文件，生成光刻标记版图文件；针对工艺叠层设计、标记图案设计、测量设备参数的优化流程，利用关键技术指标评价模型的关键指标评价结果对上述设计参数进行全局优化。
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公开(公告)号：CN119170633A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310735758.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本申请实施例提供了一种晶体管、半导体器件及其制造方法。在本申请实施例提供的晶体管中，通过在第一电极部的侧壁处设置功函数小于第一电极部的金属结构，使得第一电极部靠近金属结构的一端表面处、或与金属结构接触界面处的费米能级上移，使得金属结构的费米能级和第一电极部的费米能级在两者相互靠近处或接触的界面处相等或接近，从而带动第一电极部表面的导带和价带弯曲，使得第一电极部表面处载流子的浓度增大，从而能够降低第一电极部表面的电阻，进而在晶体管的第一电极部与位线连接的情况下，能够降低第一电极部的表面与位线之间的接触电阻，使之形成欧姆接触。同时，无需对第一电极部进行重度掺杂，能够提高晶体管的生产效率和成品率。
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公开(公告)号：CN119207507A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310767212.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C11/4094 , G11C11/408
Abstract: 本申请涉及一种写字线使能电路及使能控制方法、存储器、电子设备。写字线使能电路用于与存储单元连接，存储单元包括读晶体管和写晶体管，以及与读晶体管连接的读字线和读位线，与写晶体管连接的写字线和写位线，写字线使能电路包括感测控制电路，与写位线相连接，被配置为：获取写位线传输的数据信号，根据数据信号输出写控制信号；启动控制电路，与感测控制电路连接且与写字线相连接，被配置为：根据写控制信号向写字线输出使能信号。采用本申请的写字线使能电路能够提高读写容错率。
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公开(公告)号：CN115171751B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210804207.9
申请日：2022-07-07
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: G11C11/4094 , G11C11/408 , G11C11/401 , G11C11/4074
Abstract: 本申请实施例提供了一种存储器及其访问方法、电子设备。该存储器包括至少一个存储阵列、至少一个控制电路、若干用于读操作的读字线和读位线；存储阵列包括若干阵列排布的存储单元，存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；控制电路被配置为在预处理阶段，将第一电压传输至读字线和读位线；以及，在预充电阶段，将第二电压传输至存储单元连接的读位线，在读取感应阶段，将第三电压传输至存储单元连接的读字线。本申请提供的存储器能够将数据可靠的读出，同时能够避免或者有效降低串扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115171751A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210804207.9
申请日：2022-07-07
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: G11C11/4094 , G11C11/408 , G11C11/401 , G11C11/4074
Abstract: 本申请实施例提供了一种存储器及其访问方法、电子设备。该存储器包括至少一个存储阵列、至少一个控制电路、若干用于读操作的读字线和读位线；存储阵列包括若干阵列排布的存储单元，存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；控制电路被配置为在预处理阶段，将第一电压传输至读字线和读位线；以及，在预充电阶段，将第二电压传输至存储单元连接的读位线，在读取感应阶段，将第三电压传输至存储单元连接的读字线。本申请提供的存储器能够将数据可靠的读出，同时能够避免或者有效降低串扰。
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公开(公告)号：CN118246195A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410204049.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种套刻误差量测设备的仿真优化方法和装置，该方法包括：建立套刻误差量测设备的物理光学模型并进行仿真运行；获取所述物理光学模型的仿真运行结果，并根据所述仿真运行结果确定所述套刻误差量测设备的性能指标；根据所述性能指标，对物理光学模型的设备参数进行优化。本公开通过建立量测设备的物理光学模型，利用物理光学仿真过程，计算不同套刻标记和量测设备参数的套刻误差及各项性能指标，然后通过性能指标的仿真结果优化量测设备的各项设备参数，从而提高套刻误差的测量精度和工艺适应性，并有效缩短优化周期，降低优化成本。
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公开(公告)号：CN113359261B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110519753.3
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B7/00
Abstract: 本公开提供一种真空兼容的平面光学元件调整装置，包括：平面光学元件，包括相互垂直的光学面、侧面和底面；第一调节支架，与平面光学元件连接，能够在所述光学面所在平面内移动所述平面光学元件；第二调节支架，与所述第一调节支架连接，能够在所述侧面所在平面内移动所述平面光学元件。实现了光学元件空间直角坐标系的三个标准方向平移及绕标准方向旋转的调节；实现增加调节支架的数量，即可进一步增加光学元件的调节维度；结构通透，能够在真空环境下的使用。
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公开(公告)号：CN114614796A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210200789.X
申请日：2022-03-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03H17/06
Abstract: 本公开提供一种用于硅片表面高度测量的数字滤波装置及方法，装置包括：获取模块，用于获取滤波参数和/或对所述滤波参数进行设置；滤波模块，用于根据所述滤波参数对硅片表面高度的测量信号进行数字滤波，以滤除低频噪声、高频噪声以及白噪声；控制模块，用于将所述测量信号输入至所述滤波模块以及控制所述滤波模块根据滤波参数对硅片表面高度的测量信号进行数字滤波。该数字滤波装置及方法可以提高测量信号质量，使硅片表面高度测量数值更加精确。并且，可以根据不同的工作环境对滤波参数进行设置，有效提高硅片表面高度测量精度，且可扩展性强，实现成本较低。
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公开(公告)号：CN113358569A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110605782.1
申请日：2021-05-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种样品表面位置在线定位测量装置，包括：定位系统，用于对待测的样品表面进行在线定位，将所述样品表面保持在参考面位置；测量系统，用于对在参考面位置的所述样品进行测量，完成所述样品表面位置在线定位测量。能够在线完成样品表面定位至系统参考面位置；能够在系统发生漂移后，通过在线快速调节样品表面位置的方式辅助检测系统漂移的问题，能够判断是否需要对测量系统自身进行重新校准和标定。本公开还提供了一种样品表面位置在线定位测量装置的漂移监测方法。
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