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公开(公告)号：CN105728695A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410747927.1
申请日：2014-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22D18/02
Abstract: 本发明涉及一种具有复合式结构的高定向导热材料的制备方法，属于热管理材料制备技术领域。首先采用金属封装材料粉末制备金属粉末预制件，在预制件中埋入高导热碳材料；然后将预制件装入石墨模具中，熔炼同种金属封装材料，挤压铸造入预制件中；冷却，脱模后制得具有复合式结构的高定向导热材料。本发明将材料制备和界面改性在同一工艺步骤中完成，即改进了原有工艺中存在的高导热材料与密封金属材料之间机械接触，减少热阻，同时减少工艺环节。该材料可以广泛应用在需要局部高效散热的于微电子封装、激光二极管、IGBT和半导体、散热片和盖板。
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公开(公告)号：CN105562660A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510926650.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22D19/00 , C04B35/565 , C04B35/622
CPC classification number: B22D19/0072 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B2235/3821 , C04B2235/425 , C04B2235/658 , C04B2235/668 , C04B2235/94
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制造领域的一种IGBT用带S形水冷管的齿状水冷板一体化制备方法。所述制备方法为：先加工一面带多个齿形孔的长方体模具和S形水冷管，将S形水冷管埋入碳化硅颗粒中压制成矩形板状坯体后，对其脱脂得到预制件；然后将预制件置于带多个齿形孔的长方体模具上表面后，将其放入压力溶渗模具中，并将铝合金溶液注入压力溶渗模具中，待其浸没预制件时，将压力溶渗模具加压至8MPa-20MPa，当其温度降至500℃以下时撤掉压力即可。由该制备方法获得的产品为一体化的IGBT用带S形水冷管的齿状水冷板，工艺简单易于控制，制得产品能够为IGBT提供最佳的冷却效果，适于高功率密度IGBT产品使用。
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公开(公告)号：CN104733399A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310723599.7
申请日：2013-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于电子技术领域的一种层状高导热绝缘基板及其制备方法。本发明的高导热绝缘基板由高导热复合材料基体及其上沉积的绝缘膜层所组成，该高导热绝缘基板是在高导热复合材料的基础上采用物理或化学方法在其表面沉积绝缘薄膜制备而成。该绝缘基板除具有高导热、低热膨胀系数、高强度、良好的尺寸稳定性能外，还具有高击穿强度、高介电常数等性质。本发明中的高导热绝缘基板解决了电子封装基板在保持基材良好的散热基础上对绝缘作用的需求。
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公开(公告)号：CN103896282A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210572204.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅粉末压坯来制备氧化硅纳米线的方法。本发明中氧化硅纳米线的制备方法如下：将硅胶、硅油或硅脂与不含硅水基粘结剂进行混合形成复合粘结剂，该粘结剂加入单一粒度或多粒度配比的碳化硅颗粒粉末中混合均匀并装入石墨或金属模具中，加压制成不同厚度的预制块，预制块平放于耐高温板上，然后把耐高温板推入气氛热处理炉。RT~500℃时，无气氛保护，或采用压缩空气或吹入冷风以尽快除去水分及挥发份；炉温高于500℃时，通入惰性气体进行保护，最高温度为900℃~1200℃，保温1~5小时，即得到非晶的氧化硅纳米线，所得产物直径较细，长度达毫米级，同时可获得表面生长阳化硅纳米线的多孔碳化硅预制体。本制备方法不需添加有机金属化合物，简单易行，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。
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公开(公告)号：CN102052342A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910236948.6
申请日：2009-10-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于钛合金材料及其制造技术领域的一种钛合金整体叶片盘及其制造方法。该整体叶片盘由轮盘和叶片组成，轮盘与叶片为一整体，其特征在于：所述轮盘由高强度钛合金组成，所述叶片由钛铝金属间化合物合金组成。所述轮盘与叶片之间的成分过渡为直接过渡。本发明利用激光逐层熔化堆积材料直接制备出具有阻燃和高温强度的近终形钛合金整体叶片盘，无需传统加工方法的多步热加工过程，显著减少加工量，提高材料的利用率和结构效率；轮盘具有高的塑性、强度及低周疲劳性能，叶片具有阻燃性能和高的高温强度和刚性，满足了压气机整体叶片盘在使用过程中对轮盘和叶片不同的性能要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105695981B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201410709437.2
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种钛合金表面高韧性高硬度抗压涂层及其制备方法，属于金属表面涂层材料及其制备领域。该涂层由α‑Ti、TiCr2和TiC组成，TiC的含量为5‑10wt.％，TiCr2的含量为45‑60wt.％，其余为α‑Ti。首先制备Ti粉、Cr粉与TiC粉或Cr3C2粉的混合粉末，然后采用激光熔覆同步输送的混合粉末，在钛合金零件表面制备出涂层，最后进行退火处理。该涂层在激光熔覆时由固溶较多Cr的亚稳β‑Ti和一定量的原位析出TiC组成，保证了激光熔覆过程涂层具有高的韧性，不发生开裂，随后的退火处理消除了涂层应力，并析出较多量的TiCr2 Laves相，提高了涂层的硬度及抗压性能。
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公开(公告)号：CN106801158B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611253826.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C22C1/10 , B23K1/00 , B23K101/36
Abstract: 本发明提供一种镶嵌金刚石铜的高功率密度基板及其制备方法。所述基板主体包括金刚石铜复合材料部分和钨铜、钼铜合金或无氧铜部分。所述合金部分镶嵌在复合材料上或所述复合材料镶嵌在合金上，两部分为冶金结合或焊接结合，采用真空压力浸渗工艺，可以直接近终成型。该基底具有高于钨铜等合金材料的热导率；热膨胀系数与半导体材料相匹配；易于机械加工，比纯金刚石铜材料具有更好的可加工性；相对质量小和价格适中，便于推广使用，可以满足高功率电子器件的散热需求，解决了制约电子器件向高功率和小型化发展的散热问题。
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公开(公告)号：CN106670897B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611226063.4
申请日：2016-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于金刚石/铜复合材料的表面加工方法，属于复合材料表面处理技术领域。该方法采用陶瓷结合剂金刚石砂轮进行一次粗磨，去除表面多余的铜；采用细粒金刚石的陶瓷结合剂金刚石砂轮进行二次粗磨，使得表面粗糙度小于2微米；距离目标尺寸0.03‑0.08mm时，采用高硬度金刚石砂轮进行精磨，最终表面粗糙度小于1微米。本发明从粗磨到精磨均采用砂轮平磨，磨削效率高、成本低，加工方便，可以实现大批量加工，保证复合材料表面光洁度，最重要的是在加工过程中不会引入其他杂质，增加了复合材料表面镀覆后的镀层可靠性。
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公开(公告)号：CN105562660B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510926650.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22D19/00 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制造领域的一种IGBT用带S形水冷管的齿状水冷板一体化制备方法。所述制备方法为：先加工一面带多个齿形孔的长方体模具和S形水冷管，将S形水冷管埋入碳化硅颗粒中压制成矩形板状坯体后，对其脱脂得到预制件；然后将预制件置于带多个齿形孔的长方体模具上表面后，将其放入压力溶渗模具中，并将铝合金溶液注入压力溶渗模具中，待其浸没预制件时，将压力溶渗模具加压至8MPa‑20MPa，当其温度降至500℃以下时撤掉压力即可。由该制备方法获得的产品为一体化的IGBT用带S形水冷管的齿状水冷板，工艺简单易于控制，制得产品能够为IGBT提供最佳的冷却效果，适于高功率密度IGBT产品使用。
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公开(公告)号：CN106801158A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611253826.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C22C1/10 , B23K1/00 , B23K101/36
CPC classification number: C22C1/1036 , B23K1/00 , B23K2101/36 , C22C1/1015 , C22C2001/1073
Abstract: 本发明提供一种镶嵌金刚石铜的高功率密度基板及其制备方法。所述基板主体包括金刚石铜复合材料部分和钨铜、钼铜合金或无氧铜部分。所述合金部分镶嵌在复合材料上或所述复合材料镶嵌在合金上，两部分为冶金结合或焊接结合，采用真空压力浸渗工艺，可以直接近终成型。该基底具有高于钨铜等合金材料的热导率；热膨胀系数与半导体材料相匹配；易于机械加工，比纯金刚石铜材料具有更好的可加工性；相对质量小和价格适中，便于推广使用，可以满足高功率电子器件的散热需求，解决了制约电子器件向高功率和小型化发展的散热问题。
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