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公开(公告)号：CN110433878B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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公开(公告)号：CN110433878A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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公开(公告)号：CN108873497A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810518119.6
申请日：2018-05-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种基于光刻工艺的液晶盒及制备方法，属于液晶光学技术领域。该液晶盒包括下玻璃基板(1)、透明导电膜(2)、光刻胶(3)、液晶(4)、上玻璃基板(5)和边框胶(6)。本发明利用光刻胶代替传统的金属微粒或绝缘微粒作为液晶盒间隔物，不仅工艺简单、成本低，而且可以通过选择不同胶型来获得不同的液晶盒厚度，并且可以实现均匀的盒厚，在液晶显示、液晶相控在等应用领域有潜在应用。
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公开(公告)号：CN107768979A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710962891.2
申请日：2017-10-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，由于其自身氧化限制层材料的各向异性及有源区材料增益的各向异性等特点，导致其出现偏振不确定或不稳定现象，对于传统的外腔压窄线宽方法通常过于复杂，集成度低，不利于芯片级的设计。本发明中我们采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的腔长，通过一次外延的方式形成低折射率介质层作为光栅支撑层和光栅介质层；再通过刻蚀光栅介质层形成光栅微结构，达到控制光偏振的同时压窄线宽。
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公开(公告)号：CN105529613A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610029639.1
申请日：2016-01-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/141
Abstract: 一种852nm超窄线宽外腔半导体激光器，由852nm激光器增益芯片和依次置于增益芯片出光方向上的准直透镜、可旋转的楔形棱镜对、立方分束器、可旋转的全介质薄膜法布里-珀罗滤光片、全反镜以及压电促动器组成；所述准直透镜将激光光束准直后射入外腔腔体内；所述楔形棱镜对绕光轴旋转使得正入射到棱镜镜片垂直表面的入射光束偏转；所述立方分束器将一部分光输出，另一部分光留在腔内振荡；所述法布里-珀罗滤光片可旋转以达到外腔选模的目的；所述全反镜以及PZT的结合可使全反镜沿自身法线方向移动。上述外腔激光器可以极大程度地减少机械振动对频率的影响，避免激光器出现跳摸现象，同时可以实现超窄线宽且波长线性连续可调。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110596798B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910915788.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于苯并环丁烯和氧化硅球的微透镜制备方法，利用SiO2和BCB来作为微透镜的制备材料不仅可以制备出不同球冠大小微透镜还可以制备出不同弧度的微透镜。该微透镜包括衬底、BCB和SiO2微球，用匀胶机将混有SiO2微球的BCB旋涂在衬底上，经加热固化和等离子刻蚀(RIE)在衬底上制备出由BCB和SiO2微球构成的微透镜结构。利用SiO2和BCB来作为微透镜的制备材料不仅可以制备出不同球冠大小微透镜还可以制备出不同弧度的微透镜。
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公开(公告)号：CN107012443B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710246595.2
申请日：2017-04-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。绝缘衬底直接生长石墨烯和在此基础上进行的石墨烯图形化生长。通过在绝缘衬底上首先镀上一层铜作为催化剂，然后在铜的催化下石墨烯会生长在镀铜的表面，再保持高温退火使铜挥发，铜挥发后，石墨烯会落在绝缘衬底表面，达到绝缘衬底直接生长石墨烯的目的。之后，在直接生长的基础上，通过光刻工艺使镀的铜具有一定的图形，与之相对应的，在铜上生长出的石墨烯也具有了相同的图形，达到绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的目的。本发明通过直接生长的工艺，避免了石墨烯转移工艺中石墨烯的损坏，成本较低，适合大规模批量生产石墨烯。
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公开(公告)号：CN108111145A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810137925.9
申请日：2018-02-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明涉及一种衰减器，属于信号传输技术领域，尤其涉及一种采用相位相消的方式实现信号衰减的可变衰减器。该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2，pHEMT管M1，pHEMT管M2，负载电阻RL和射频输出端RFOUT。衰减器在信号传输系统中可以控制传输功率的大小，或作为去耦原件，还可以用于改善阻抗匹配等。本发明设计的衰减器，主要应用于射频微波电路中控制信号的功率。本发明采用相位相消的方式实现信号衰减，具有衰减范围大(43dB以上)，衰减幅度可连续调节，且芯片面积小的优点。
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公开(公告)号：CN107611779A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710953605.6
申请日：2017-10-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL耦合阵列与表面光学移相器片上集成的光束扫描芯片，属于半导体激光器技术和光束扫描技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入、光子晶体或腔诱导反波导等技术，实现VCSEL阵列单元间的耦合，阵列各单元发射出功率一致的相干光。利用VCSEL阵列平面结构的特点，通过光刻、溅射、PECVD、ICP、蒸镀等工艺，在VCSEL耦合阵列表面集成透射式光学移相器阵列，从而获得体积小、结构紧凑、集成度高的光束扫描芯片。它解决了传统的光学相控阵光束扫描装置中因激光光源与移相器阵列在空间上分离而导致的体积大、可靠性低、安装复杂等问题，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN105870780A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610235021.0
申请日：2016-04-14
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01S5/405 , H01S5/34313
Abstract: 本发明公开了一种能够实现光束二维操控的同相耦合VCSEL阵列，传统的机械控制方法限制了VCSEL阵列光束偏转的速度。本发明采用氢离子多次注入方式，并结合淀积表面纳米Au电流扩展层形成新型电极，其顶部P型金属电极设置在出光孔外围周向位置，表面纳米Au电流扩展层均匀布置在P型接触层上的出光孔表面，出光孔与出光孔之间无表面纳米Au电流扩展层，从而形成电隔离区域，使注入到阵列单元的电流不会互相影响，通过调节注入到各单元内的电流，使阵列各个出光单元的相位连续可调，实现阵列单元间高的同相耦合度和较大的二维光束角度调节，实现光束二维方向的连续调节，即使在角度偏转的过程中，也能保持较大的同相耦合效率。
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