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公开(公告)号：CN107012443B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710246595.2
申请日：2017-04-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。绝缘衬底直接生长石墨烯和在此基础上进行的石墨烯图形化生长。通过在绝缘衬底上首先镀上一层铜作为催化剂，然后在铜的催化下石墨烯会生长在镀铜的表面，再保持高温退火使铜挥发，铜挥发后，石墨烯会落在绝缘衬底表面，达到绝缘衬底直接生长石墨烯的目的。之后，在直接生长的基础上，通过光刻工艺使镀的铜具有一定的图形，与之相对应的，在铜上生长出的石墨烯也具有了相同的图形，达到绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的目的。本发明通过直接生长的工艺，避免了石墨烯转移工艺中石墨烯的损坏，成本较低，适合大规模批量生产石墨烯。
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公开(公告)号：CN105870780A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610235021.0
申请日：2016-04-14
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01S5/405 , H01S5/34313
Abstract: 本发明公开了一种能够实现光束二维操控的同相耦合VCSEL阵列，传统的机械控制方法限制了VCSEL阵列光束偏转的速度。本发明采用氢离子多次注入方式，并结合淀积表面纳米Au电流扩展层形成新型电极，其顶部P型金属电极设置在出光孔外围周向位置，表面纳米Au电流扩展层均匀布置在P型接触层上的出光孔表面，出光孔与出光孔之间无表面纳米Au电流扩展层，从而形成电隔离区域，使注入到阵列单元的电流不会互相影响，通过调节注入到各单元内的电流，使阵列各个出光单元的相位连续可调，实现阵列单元间高的同相耦合度和较大的二维光束角度调节，实现光束二维方向的连续调节，即使在角度偏转的过程中，也能保持较大的同相耦合效率。
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公开(公告)号：CN104393093A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410641038.7
申请日：2014-11-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/108
CPC classification number: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接触的情况下，能形成大约0.5ev的势垒。形成之势垒表现为接近金属电极的GaN内部能带弯曲，形成空间电荷区可以进行分离电子空穴，从而产生光生电动势和光生电流。通过引入表面缺陷的方法可以大大提高探测器的响应度。这一结构工艺简单，效率高；从而增加电子空穴对的分离能力，增大探测器内量子效率，增大探测率和响应度。
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公开(公告)号：CN106654857A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710125696.4
申请日：2017-03-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列，属于半导体激光器技术领域，该阵列为一种带网格电极的高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列，采用质子注入法实现出光单元间的电隔离。器件工作时，使得出光孔区域的有效折射率低于间隔区域的有效折射率，形成特殊的反波导结构。而间隔区域的网格电极进一步加大了反波导的折射率台阶，使得同相耦合的难度降低。通过适当的调节质子注入的深度d和单元间距，使得阵列满足同相激射的条件，便能够实现同相耦合阵列。本发明通过合理设计阵列单元间距和质子注入深度d，可以得到同相激光输出，提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。
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公开(公告)号：CN104393093B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410641038.7
申请日：2014-11-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/108
Abstract: 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接触的情况下，能形成大约0.5ev的势垒。形成之势垒表现为接近金属电极的GaN内部能带弯曲，形成空间电荷区可以进行分离电子空穴，从而产生光生电动势和光生电流。通过引入表面缺陷的方法可以大大提高探测器的响应度。这一结构工艺简单，效率高；从而增加电子空穴对的分离能力，增大探测器内量子效率，增大探测率和响应度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105655867A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610232363.7
申请日：2016-04-14
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极，能够解决大规模VCSEL阵列电流扩展不均匀的问题，同时还能解决传统的单条网格电极存在的同相模式吸收的问题，使阵列获得高功率同相输出。用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极包括外部边框大电极、内部双条网格电极；本发明采用多次质子注入方式制备VCSEL阵列，通过合理设计阵列单元间距和新型双条网格电极，可以解决单条网格电极存在的模式吸收问题，在保证同相激光输出的同时，可以获得高功率输出，大大提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。
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公开(公告)号：CN106058642B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610500581.4
申请日：2016-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了高对比度光栅耦合腔窄光谱线宽面发射激光器，属于光电子技术领域。将具有高反射率和反射带宽的高对比度光栅作为反射镜，通过微纳米加工工艺集成到基横模垂直腔面发射激光器顶部，通过高对比度光栅的高反射率对器件出射光进行反馈，对器件进行光注入，形成新型的耦合腔集成面发射激光器，实现器件的有效谐振腔的延长，进而压缩基横模垂直腔面发射激光器的光谱线宽，得到窄光谱线宽面发射激光器。低折射率支撑高对比度光栅结构的采用，简化上集成外腔制备难度，降低了器件加工工艺，且制备工艺为纯平面工艺，可有效提高器件的成品率及可靠性，具有光谱线宽调节范围大，压窄效果明显等优势，且设计制备简单。
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公开(公告)号：CN105655867B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610232363.7
申请日：2016-04-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极，能够解决大规模VCSEL阵列电流扩展不均匀的问题，同时还能解决传统的单条网格电极存在的同相模式吸收的问题，使阵列获得高功率同相输出。用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极包括外部边框大电极、内部双条网格电极；本发明采用多次质子注入方式制备VCSEL阵列，通过合理设计阵列单元间距和新型双条网格电极，可以解决单条网格电极存在的模式吸收问题，在保证同相激光输出的同时，可以获得高功率输出，大大提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。
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公开(公告)号：CN106058642A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610500581.4
申请日：2016-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18386
Abstract: 本发明公开了高对比度光栅耦合腔窄光谱线宽面发射激光器，属于光电子技术领域。将具有高反射率和反射带宽的高对比度光栅作为反射镜，通过微纳米加工工艺集成到基横模垂直腔面发射激光器顶部，通过高对比度光栅的高反射率对器件出射光进行反馈，对器件进行光注入，形成新型的耦合腔集成面发射激光器，实现器件的有效谐振腔的延长，进而压缩基横模垂直腔面发射激光器的光谱线宽，得到窄光谱线宽面发射激光器。低折射率支撑高对比度光栅结构的采用，简化上集成外腔制备难度，降低了器件加工工艺，且制备工艺为纯平面工艺，可有效提高器件的成品率及可靠性，具有光谱线宽调节范围大，压窄效果明显等优势，且设计制备简单。
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公开(公告)号：CN107012443A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710246595.2
申请日：2017-04-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/0281 , C23C16/56
Abstract: 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。绝缘衬底直接生长石墨烯和在此基础上进行的石墨烯图形化生长。通过在绝缘衬底上首先镀上一层铜作为催化剂，然后在铜的催化下石墨烯会生长在镀铜的表面，再保持高温退火使铜挥发，铜挥发后，石墨烯会落在绝缘衬底表面，达到绝缘衬底直接生长石墨烯的目的。之后，在直接生长的基础上，通过光刻工艺使镀的铜具有一定的图形，与之相对应的，在铜上生长出的石墨烯也具有了相同的图形，达到绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的目的。本发明通过直接生长的工艺，避免了石墨烯转移工艺中石墨烯的损坏，成本较低，适合大规模批量生产石墨烯。
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