公开(公告)号：CN110433878B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201910774171.2

申请日：2019-08-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  赵壮壮 ,  解意洋 ,  潘冠中 ,  胡良臣 ,  庞伟 ,  杨满坡

IPC: B01L3/00 ,  G01N21/41 ,  H01S5/183

Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。

公开(公告)号：CN110433878A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910774171.2

申请日：2019-08-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  赵壮壮 ,  解意洋 ,  潘冠中 ,  胡良臣 ,  庞伟 ,  杨满坡

IPC: B01L3/00 ,  G01N21/41 ,  H01S5/183

Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。