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公开(公告)号：CN110433878B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110433878A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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公开(公告)号：CN108873497A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810518119.6
申请日：2018-05-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种基于光刻工艺的液晶盒及制备方法，属于液晶光学技术领域。该液晶盒包括下玻璃基板(1)、透明导电膜(2)、光刻胶(3)、液晶(4)、上玻璃基板(5)和边框胶(6)。本发明利用光刻胶代替传统的金属微粒或绝缘微粒作为液晶盒间隔物，不仅工艺简单、成本低，而且可以通过选择不同胶型来获得不同的液晶盒厚度，并且可以实现均匀的盒厚，在液晶显示、液晶相控在等应用领域有潜在应用。
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公开(公告)号：CN114640021A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210174124.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种质子注入VCSEL耦合阵列与微流通道结合芯片制备方法，本发明在两个VCSEL耦合阵列单元间设计微流通道，通过在微流通道注入不同折射率的液体使达到光束偏转的目的，通过采用质子注入、光子晶体或腔诱导反波导等技术，实现VCSEL阵列单元间的耦合，阵列各单元发射出功率一致的相干光。利用VCSEL阵列平面结构的特点，通过光刻、溅射、PECVD、ICP、蒸镀等工艺，在两个VCSEL耦合阵列单元间设计微流通道，从而获得体积小、结构紧凑、集成度高的光束扫描芯片。它解决了传统的光学相控阵光束扫描装置中因激光光源与移相器阵列在空间上分离而导致的体积大、可靠性低、安装复杂等问题，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN108873497B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201810518119.6
申请日：2018-05-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种基于光刻工艺的液晶盒及制备方法，属于液晶光学技术领域。该液晶盒包括下玻璃基板(1)、透明导电膜(2)、光刻胶(3)、液晶(4)、上玻璃基板(5)和边框胶(6)。本发明利用光刻胶代替传统的金属微粒或绝缘微粒作为液晶盒间隔物，不仅工艺简单、成本低，而且可以通过选择不同胶型来获得不同的液晶盒厚度，并且可以实现均匀的盒厚，在液晶显示、液晶相控在等应用领域有潜在应用。
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公开(公告)号：CN109116684A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810808254.4
申请日：2018-07-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了可转移键合PDMS基纳米结构制备方法，首先在刚性基底上旋涂一种可被有机溶剂如丙酮等溶解的牺牲层；然后在所制作的牺牲层表面旋涂一层PDMS，固化后在PDMS上面通过干涉光刻的方法制作出周期性纳米图形；再将制作好的图形进行刻蚀，得到图形化了的PDMS。将刻蚀好的PDMS放入丙酮等有机溶剂中，将牺牲层溶解，最终得到具有纳米图形的可转移可键合的PDMS薄膜。本发明使用干涉光刻的方法制备周期性纳米图形，极大的提高了效率。相较于现有的几种制备柔性材料微纳结构的方法，干涉光刻具有速度快，成本低，面积大，易于调节周期及占空比的优点。大大降低了制作过程中薄膜释放的操作难度，提高了薄膜制作的成功率，社会效益及经济效益十分显著。
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