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公开(公告)号：CN110844876A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911136443.2
申请日：2019-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法，属于微纳加工领域。本发明在传统工艺的基础上，首先采用表面周期性处理工艺，在衬底101表面制备出一个个纳米柱106，其目的是将金属原子102的注入区域分隔开，转移石墨烯105并退火，退火过程中金属原子102团聚成金属纳米颗粒103。石墨烯105起到了完美的阻挡层作用，阻止金属原子102的蒸发。因此，退火温度可以远高于传统工艺中的退火温度。此外，表面周期性处理使得金属纳米颗粒呈现规则排列，这样能够获得结构排列可调的金属纳米颗粒阵列。同时，制备出的石墨烯被金属纳米颗粒保护，阻隔其与空气的接触，有效保证了金属纳米颗粒的长期性质稳定。
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公开(公告)号：CN108660430A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810455783.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/56 , C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。本发明采用CVD法在不具有石墨烯生长催化作用的氧化物绝缘衬底上类直接生长石墨烯，石墨烯免转移可以直接制备器件。通过在绝缘衬底镀一层金属作为催化剂，利用CVD首先在金属表面生长石墨烯，在生长同时使金属表面形成孔洞形貌。之后旋凃PMMA，以PMMA作为石墨烯支撑层利用湿法腐蚀金属。腐蚀液会穿过PMMA和石墨烯腐蚀下层的金属。金属腐蚀干净后石墨烯和PMMA会落在衬底上，再用有机溶剂去除石墨烯表面的PMMA，最终得到在绝缘衬底上类直接生长的石墨烯薄膜样品。本发明工艺简单，可重复性高，生长出的石墨烯质量高，大面积，几乎无破损。
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公开(公告)号：CN107768979A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710962891.2
申请日：2017-10-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，由于其自身氧化限制层材料的各向异性及有源区材料增益的各向异性等特点，导致其出现偏振不确定或不稳定现象，对于传统的外腔压窄线宽方法通常过于复杂，集成度低，不利于芯片级的设计。本发明中我们采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的腔长，通过一次外延的方式形成低折射率介质层作为光栅支撑层和光栅介质层；再通过刻蚀光栅介质层形成光栅微结构，达到控制光偏振的同时压窄线宽。
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公开(公告)号：CN110844876B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911136443.2
申请日：2019-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法，属于微纳加工领域。本发明在传统工艺的基础上，首先采用表面周期性处理工艺，在衬底101表面制备出一个个纳米柱106，其目的是将金属原子102的注入区域分隔开，转移石墨烯105并退火，退火过程中金属原子102团聚成金属纳米颗粒103。石墨烯105起到了完美的阻挡层作用，阻止金属原子102的蒸发。因此，退火温度可以远高于传统工艺中的退火温度。此外，表面周期性处理使得金属纳米颗粒呈现规则排列，这样能够获得结构排列可调的金属纳米颗粒阵列。同时，制备出的石墨烯被金属纳米颗粒保护，阻隔其与空气的接触，有效保证了金属纳米颗粒的长期性质稳定。
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公开(公告)号：CN110616408A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910879303.8
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于二维材料的多层金属纳米结构的制备方法，属于新型纳米结构加工领域。其制备过程主要分为三步：第一步:将超薄AAO模板转移到亲水处理后的衬底上。第二步:利用溅射的方法将金属均匀沉积到AAO模板孔洞中。第三步:用胶带粘掉衬底上的AAO模板并在上面转移一层h-BN，在h-BN上再次转移一层超薄AAO模板。第四步:将衬底放入溅射设备中再次沉积一层金属，并去除掉AAO模板，重复第三、四步工艺进行下一层纳米颗粒沉积。本发明工艺简单、成本较低；工艺重复性强，工艺参数好控制。可以大面积制备具有周期性的多层金属纳米结构阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107012443B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710246595.2
申请日：2017-04-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。绝缘衬底直接生长石墨烯和在此基础上进行的石墨烯图形化生长。通过在绝缘衬底上首先镀上一层铜作为催化剂，然后在铜的催化下石墨烯会生长在镀铜的表面，再保持高温退火使铜挥发，铜挥发后，石墨烯会落在绝缘衬底表面，达到绝缘衬底直接生长石墨烯的目的。之后，在直接生长的基础上，通过光刻工艺使镀的铜具有一定的图形，与之相对应的，在铜上生长出的石墨烯也具有了相同的图形，达到绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的目的。本发明通过直接生长的工艺，避免了石墨烯转移工艺中石墨烯的损坏，成本较低，适合大规模批量生产石墨烯。
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公开(公告)号：CN108111145A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810137925.9
申请日：2018-02-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明涉及一种衰减器，属于信号传输技术领域，尤其涉及一种采用相位相消的方式实现信号衰减的可变衰减器。该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2，pHEMT管M1，pHEMT管M2，负载电阻RL和射频输出端RFOUT。衰减器在信号传输系统中可以控制传输功率的大小，或作为去耦原件，还可以用于改善阻抗匹配等。本发明设计的衰减器，主要应用于射频微波电路中控制信号的功率。本发明采用相位相消的方式实现信号衰减，具有衰减范围大(43dB以上)，衰减幅度可连续调节，且芯片面积小的优点。
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公开(公告)号：CN107611779A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710953605.6
申请日：2017-10-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL耦合阵列与表面光学移相器片上集成的光束扫描芯片，属于半导体激光器技术和光束扫描技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入、光子晶体或腔诱导反波导等技术，实现VCSEL阵列单元间的耦合，阵列各单元发射出功率一致的相干光。利用VCSEL阵列平面结构的特点，通过光刻、溅射、PECVD、ICP、蒸镀等工艺，在VCSEL耦合阵列表面集成透射式光学移相器阵列，从而获得体积小、结构紧凑、集成度高的光束扫描芯片。它解决了传统的光学相控阵光束扫描装置中因激光光源与移相器阵列在空间上分离而导致的体积大、可靠性低、安装复杂等问题，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN109216496B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201811231680.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、轻掺杂n型硅、二氧化硅绝缘层、石墨烯薄膜、上金属电极。应用派瑞林N直接生长石墨烯，生长原理简单，生长速度快，石墨烯无需转移，大幅度提升器件制备效率。制得的石墨烯与衬底接触良好，石墨烯薄膜均匀，污染少，因此所得到的探测器一致性好。适合于未来石墨烯—硅肖特基结探测器的大规模产业化制备。
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公开(公告)号：CN107611779B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710953605.6
申请日：2017-10-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL耦合阵列与表面光学移相器片上集成的光束扫描芯片，属于半导体激光器技术和光束扫描技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入、光子晶体或腔诱导反波导等技术，实现VCSEL阵列单元间的耦合，阵列各单元发射出功率一致的相干光。利用VCSEL阵列平面结构的特点，通过光刻、溅射、PECVD、ICP、蒸镀等工艺，在VCSEL耦合阵列表面集成透射式光学移相器阵列，从而获得体积小、结构紧凑、集成度高的光束扫描芯片。它解决了传统的光学相控阵光束扫描装置中因激光光源与移相器阵列在空间上分离而导致的体积大、可靠性低、安装复杂等问题，应用前景广阔。
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