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公开(公告)号：CN117417289A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311298320.5
申请日：2023-10-09
Applicant: 山西浙大新材料与化工研究院 , 北京大学
IPC: C07D211/90
Abstract: 本发明公开了一种尼群地平晶型的制备方法。通过本发明的方法可以稳定获得尼群地平晶型Ⅱ，且产率和纯度较高。本发明还发现溶液结晶条件和熔融结晶的热处理条件均会对熔融结晶过程中晶型Ⅱ的产率产生影响。本发明有利于推进晶型Ⅱ在生理功能和生物利用率等性质的深入研究。
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公开(公告)号：CN117138851A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311025478.5
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开的微纳尺度石墨烯薄膜包覆式液体分子储存及可控释放装置，能够用于样品分析、药物输送、微观化学反应、生物传感器等，属于微纳尺度石墨烯储存液体分子及应用领域。本装置包括压盖、石墨烯薄膜和柔性基底；柔性基底上开设若干凹槽；石墨烯薄膜铺设在柔性基底表面，并通过预拉伸柔性基底得到弯曲态的石墨烯薄膜，在无外力作用下薄膜由于机械变形而保持为封闭的管状储存囊形态；两端使用压盖封闭，以保证液体储存的密封性。本发明以石墨烯薄膜的机械弯曲变形实现储存空间的开放和闭合，能够快速完成液体样品的收集，并通过控制储存空间的开口大小控制内容物的释放速率。本发明适用的内容物范围广，可多次重复使用。
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公开(公告)号：CN116492164A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310273381.X
申请日：2023-03-21
Applicant: 北京大学人民医院
Abstract: 一种具有自清洁功能的护理床，本发明涉及护理床技术领域，左右两个床靠板之间前后均固定有护板，前后两个护板之间固定有床架；床靠板的底部前后均固定有支脚；清洁机构分别设于左右两个床靠板上；消毒机构分别前后设于床靠板之间；辅助机构设于护板上；能够对床架进行自清洁并烘干，减少人工，省时省力；能够在进一步实现消毒的同时，在清洁时实现遮蔽，便于进行清洁。
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公开(公告)号：CN115073360A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110267395.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: C07D211/90 , C07B57/00
Abstract: 本发明公开一种以醋酸纤维素作为结晶拆分剂拆分尼莫地平的新方法。醋酸纤维素可以抑制S‑尼莫地平的结晶，使得R‑尼莫地平有效结晶析出。利用该方法，一次结晶可以得到对映体过量值(ee％)在69‑97％左右，产率最高可以达到9‑15％。该方法提供了醋酸纤维素这种原料广泛、合成简便、价格便宜的结晶拆分抑制剂，使得尼莫地平的分级结晶拆分过程变得更为简便和便宜，可以规模化拆分尼莫地平，具有工业应用价值。
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公开(公告)号：CN110871141B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201811018745.5
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构纳米复合物。该复合物由两亲性聚合物与疏水性修饰的磁性纳米粒子通过共组装形成，其核芯为疏水性修饰的磁性纳米材料，壳层为两亲性聚合物，其中，两亲性聚合物中的亲水链段位于所述壳层的最外层。利用上述复合物可通过单次结晶同时获得两种光学纯对映体。其关键是利用所述复合物，在外消旋底物的过饱和溶液中，其在抑制某一构型分子结晶的同时，还对相同构型分子有富集作用，在单元操作中生成一种无磁性晶体和一种有磁性晶体(其互为对映异构体)。利用该方法，一次结晶就能获得ee％值均高于90％的两种对映体，产率可达40％。该方法使得外消旋化合物的分级结晶拆分过程变得更为简便和高效，具有工业应用价值。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106601787B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201611087469.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公布了一种高电学性能InxAlyGa1‑x‑yN/GaN异质结构外延方法，是在生长一层GaN外延层后，在其上生长GaN沟道层；然后停止生长，将温度降至低温，即600‑900℃温度范围内；待温度稳定后生长低温AlN插入层；随后再生长InxAlyGa1‑x‑yN势垒层，形成InxAlyGa1‑x‑yN/GaN异质结构。与现有的高温AlN插入层技术相比，本发明改为低温AlN插入层，避免了GaN外延层在高温AlN插入层生长环境下的表面退化，降低了界面的粗糙度，提高了异质结构材料的界面质量，进而提高2DEG的迁移率，十分适合于高频、高功率器件的研制。
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公开(公告)号：CN107773324A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610769772.0
申请日：2016-08-30
Applicant: 北京大学口腔医学院
IPC: A61C19/00
CPC classification number: A61C19/00
Abstract: 本发明涉及一种防范种植体器件、修复体误吸误咽的咽障及使用方法，包括片状的主体和两个翼，所述主体与两个翼的连接处设有缺口，所述主体顶部为圆弧形，主体底部为矩形，主体中部设有若干个透气孔，主体顶部还设有凸缘，所述两个翼为椭圆形的边缘，在主体的上部设有固位牙线，固位牙线的作用既能随时调整咽障的位置，也利于当患者感到不适时能迅速将咽障取出。本发明能够在口腔治疗过程中有效降低器械误吸误吞的发生率，而且不影响患牙龈下边缘修复,不影响患者闭口,不影响压合检查,患者可随时闭口,也无需特殊的夹子,患者舒适度大幅度提高。本发明的目的还提供一种防范种植体器件、修复体误吸误咽的咽障的使用方法。
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公开(公告)号：CN105466970B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510921283.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种用于检测GaN基异质结构中陷阱态的检测方法和检测结构，首先制备得到用于检测氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态的检测结构，再对氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态进行检测，利用衬底和样品表面的导电特性，在样品的表面和衬底背面形成三端的欧姆接触，通过分别施加横向和纵向电应力来研究高场下热电子的俘获和发射过程，进而通过改变样品结构，最终确定样品中的陷阱位置是位于氮化镓沟道层、氮化镓外延层还是势垒层，还可获得陷阱的局域态信息。本发明方法简单且快捷有效，能够确定GaN基异质结构中陷阱态，有利于进一步提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN106601787A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611087469.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公布了一种高电学性能InxAlyGa1‑x‑yN/GaN异质结构外延方法，是在生长一层GaN外延层后，在其上生长GaN沟道层；然后停止生长，将温度降至低温，即600‑900℃温度范围内；待温度稳定后生长低温AlN插入层；随后再生长InxAlyGa1‑x‑yN势垒层，形成InxAlyGa1‑x‑yN/GaN异质结构。与现有的高温AlN插入层技术相比，本发明改为低温AlN插入层，避免了GaN外延层在高温AlN插入层生长环境下的表面退化，降低了界面的粗糙度，提高了异质结构材料的界面质量，进而提高2DEG的迁移率，十分适合于高频、高功率器件的研制。
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