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公开(公告)号：CN110869541A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880043909.1
申请日：2018-06-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种再装填管，其具备收纳原料的圆筒部件、以及对该圆筒部件的下部的开口部进行开闭的圆锥状的阀门，其特征在于，所述圆筒部件在内周面的下端部具有下部圆锥口部且在比所述下端部的所述下部圆锥口部更靠近上方处具有上部圆锥口部，其中，所述下部圆锥口部是内径朝向下方变小的圆锥状的开口部，所述上部圆锥口部是内径朝向下方变小的圆锥状的开口部，所述阀门位于所述下部圆锥口部与所述上部圆锥口部之间。由此，能够简单地进行向单晶制造装置内的导入、从单晶制造装置的取出，并能够直接向坩埚内的熔液面投入块状、粒状等固体形状的原料，而且，通过使从熔液飞溅的飞溅液体仅附着于再装填管、石英坩埚，从而能够保护单晶制造装置，且提供一种廉价的再装填管。
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公开(公告)号：CN104995340A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008259.9
申请日：2014-01-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L21/322 , H01L21/66
CPC classification number: C30B15/203 , C30B15/04 , C30B15/14 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，在N区域的情况下，也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此，提供一种即使不良不发生，也能够根据样本晶圆的检查结果，调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1304647C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN03810538.1
申请日：2003-05-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L21/322
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203
Abstract: 本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法，将生长速度控制在：在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下，通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度，及在进一步逐渐降低生长速度的情况下，在进行氧析出处理时，BMD密度表示为1×107个/cm3以上及/或者晶片寿命表示为30μsec以下的数值的高氧析出Nv区域衰减的边界生长速度之间，以育成单晶体。由此，提供一种在由柴可拉斯基法制造单晶硅时，不属于空位多的V区域、OSF区域、及晶格间硅多的I区域的任意其一，并且具有优异的电特性及吸气能力，可以确实提升器件成品率的单晶硅及外延片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1323196C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN03808958.0
申请日：2003-04-23
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/22 , C30B15/36 , C30B29/06 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为(110)的单晶硅的育成，也可以育成固定直径部直径超过200mm的大直径高重量的单晶硅。
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公开(公告)号：CN116568872A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180080412.9
申请日：2021-11-01
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明的第一方式提供一种单晶制造装置，其特征在于，具有：主腔室；提拉腔室；配置为与硅熔液对置的热屏蔽部件；以包围提拉中的单晶硅的方式配置在热屏蔽部件上的整流筒；配置为围住提拉中的单晶硅且包含朝向硅熔液延伸的部分的冷却筒；以及嵌合于冷却筒的内侧的冷却辅助筒，冷却筒的延伸的部分具有面向硅熔液的底面，冷却辅助筒至少具有围绕冷却筒的底面的第一部分和围绕整流筒的上端部的第二部分。由此，能够提供与现有技术相比能够制造碳浓度更低的单晶的装置。
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公开(公告)号：CN104995340B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201480008259.9
申请日：2014-01-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L21/322 , H01L21/66
CPC classification number: C30B15/203 , C30B15/04 , C30B15/14 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，在N区域的情况下，也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此，提供一种即使不良不发生，也能够根据样本晶圆的检查结果，调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1653213A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810538.1
申请日：2003-05-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L21/322
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203
Abstract: 本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法，将生长速度控制在：在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下，通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度，及在进一步逐渐降低生长速度的情况下，在进行氧析出处理时，BMD密度表示为1×107个/cm3以上及/或者晶片寿命表示为30μsec以下的数值的高氧析出Nv区域衰减的边界生长速度之间，以育成单晶体。由此，提供一种在由柴可拉斯基法制造单晶硅时，不属于空位多的V区域、OSF区域、及晶格间硅多的I区域的任意其一，并且具有优异的电特性及吸气能力，可以确实提升器件成品率的单晶硅及外延片。
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公开(公告)号：CN1646736A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808958.0
申请日：2003-04-23
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/22 , C30B15/36 , C30B29/06 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为 的单晶硅的育成，也可以育成固定直径部直径超过200mm的大直径高重量的单晶硅。
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