公开(公告)号：CN110140192B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201780081147.X

申请日：2017-12-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  白井省三 ,  丹野雅行

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H03H9/25

Abstract: 提供一种在300℃的工艺后也能保持高电阻的复合基板、和复合基板的制造方法。本发明的复合基板的特征在于，其通过在压电材料基板上贴合晶格间氧浓度为2～10ppma的硅(Si)晶片作为支撑基板、在贴合后对压电材料基板进行减薄而制作。压电材料基板特别优选设为钽酸锂晶片(LT)基板或铌酸锂(LN)基板。

公开(公告)号：CN110140192A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201780081147.X

申请日：2017-12-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  白井省三 ,  丹野雅行

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H03H9/25

Abstract: 提供一种在300℃的工艺后也能保持高电阻的复合基板、和复合基板的制造方法。本发明的复合基板的特征在于，其通过在压电材料基板上贴合晶格间氧浓度为2～10ppma的硅(Si)晶片作为支撑基板、在贴合后对压电材料基板进行减薄而制作。压电材料基板特别优选设为钽酸锂晶片(LT)基板或铌酸锂(LN)基板。

公开(公告)号：CN109698266A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811245902.6

申请日：2018-10-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 丹野雅行 ,  阿部淳 ,  加藤公二 ,  桑原由则 ,  永田和寿

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  C04B37/00 ,  C30B29/30 ,  C30B31/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/06 ,  H03H9/02

Abstract: 钽酸锂单晶体衬底是具有36°Y-49°Y切向的晶体取向的旋转Y切向LiTaO3单晶体衬底，其特征在于：所述衬底从其表面向其一定深度中用Li扩散，使得所述衬底具有展示出在所述衬底表面与所述衬底的所述深度之间的Li浓度差异的Li浓度分布；并且所述衬底以单偏振处理进行处理，因此所述Li浓度从所述衬底表面到相当于在LiTaO3衬底表面中传播的表面声波或泄漏表面声波的波长的5-15倍的深度是大致上一致的。

公开(公告)号：CN108885971B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201780021504.3

申请日：2017-04-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  丹野雅行 ,  加藤公二

IPC: H01L21/02 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明提供一种用于制备复合晶圆的方法，其在包括具有低的热膨胀系数的支撑衬底和在支撑衬底上堆叠的具有高的热膨胀系数的钽酸锂薄膜的复合晶圆中，能够减少由钽酸锂薄膜和支撑衬底之间的接合界面上的入射信号的反射引起的杂散。用于制备复合晶圆的方法是这样的用于制备复合晶圆的方法：其通过将具有高的热膨胀系数的钽酸锂晶圆粘合到具有低的热膨胀系数的支撑晶圆上来制备复合晶圆，其中在粘合到一起之前，从钽酸锂晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面注入离子，以干扰各个粘合表面附近的结晶度。

公开(公告)号：CN114302982A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080059393.7

申请日：2020-06-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  丹野雅行

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明为一种层叠结构体，其具有结晶性衬底和以镓作为主要成分并且具有β‑gallia结构的结晶性氧化物膜，所述结晶性衬底为以钽酸锂作为主要成分的结晶性衬底；由此提供一种具有热稳定结晶性氧化物膜的廉价层叠结构体。

公开(公告)号：CN113676147A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110494829.1

申请日：2021-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 丹野雅行 ,  秋山昌次

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/15

Abstract: 提供了一种具有小损耗的用于SAW器件的压电复合基板。根据本发明的一个实施方式的用于表面声波器件的复合基板具有：压电单晶薄膜，支撑基板，以及在压电单晶薄膜和支撑基板之间的第一中间层。在所述复合基板中，第一中间层与压电单晶薄膜接触，并且第一中间层中的横波的声速比压电单晶薄膜中的快横波的声速快。

公开(公告)号：CN112746323A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011188769.2

申请日：2020-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 森山隼 ,  阿部淳 ,  丹野雅行 ,  桑原由则

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  C30B15/36 ,  C30B11/14 ,  G01N29/06 ,  G01N29/07

Abstract: 本发明提供能够以良好的成品率制造结晶性优异的单晶锭的单晶锭的制造方法、和能够制造器件特性优异的晶片的单晶晶片的制造方法。本发明的单晶锭的制造方法包括：准备第一单晶锭的步骤；从第一单晶锭切出评价用基板102和晶种用锭103，在晶种用锭上形成投影面104的步骤；对评价用基板102测定局部音速，在评价用基板上的测定的音速的测定值为规定范围内的位置配置正常点105的步骤；在投影面上配置正常点105的映射107的步骤；从晶种用锭切出包含通过正常点105的映射107且与晶体生长轴平行的直线的晶体片109的步骤；和将晶体片109用作晶种制作第二单晶锭的步骤。本发明的单晶晶片的制造方法包括将通过本发明的单晶锭的制造方法制造的第二单晶锭切片制作单晶晶片的步骤。

公开(公告)号：CN106464228A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580024395.1

申请日：2015-04-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 丹野雅行 ,  阿部淳 ,  桑原由则

IPC: H03H9/145 ,  H01L41/187 ,  H03H9/25

CPC classification number: H01L41/1873 ,  H01L41/18 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明的目的在于提供一种翘曲小，无破裂、损伤，温度特性良好的用于表面声波元件等的压电性氧化物单晶基板。本发明是具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布曲线的压电性氧化物单晶基板，具体地说，具有在基板的厚度方向上越靠近基板表面则Li浓度越高，越靠近基板的厚度方向的中心部则Li浓度越减小的浓度分布曲线。另外，在本发明的压电性氧化物单晶基板中，从基板表面到Li浓度开始减小为止的范围或者到Li浓度结束增大为止的范围为伪化学计量组成，基板的厚度方向的中心部为大致同成分组成。

公开(公告)号：CN109417376B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201780040362.5

申请日：2017-07-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  丹野雅行 ,  白井省三

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明提供一种可降低压电结晶膜和支承基板的接合界面上的波的反射造成的杂散的、温度特性良好且为高性能的表面声波器件用复合基板。表面声波器件用复合基板包含压电单晶基板和支承基板而构成，其特征在于，在压电单晶基板和该支承基板的接合界面部，至少压电单晶基板和支承基板中任一方具有凹凸构造，该凹凸构造的剖面曲线上的要素的平均长度RSm和用作表面声波器件时的表面声波的波长λ的比为0.2以上且7.0以下。

公开(公告)号：CN115315780A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180022998.3

申请日：2021-04-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  丹野雅行 ,  白井省三

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种复合基板以及制造该复合基板的方法，所述复合基板即使暴露于高温或低温下也不会出现裂纹，从而不会出现性能劣化。本发明的复合基板(10)具有按列出顺序层叠的支承基板(2)、应力松弛间层(3)和氧化物单晶薄膜(1)。应力松弛间层(3)具有介于支承基板(2)的热膨胀系数与氧化物单晶薄膜(1)的热膨胀系数之间的热膨胀系数。