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公开(公告)号：CN108010927B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201711018487.6
申请日：2017-10-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开内容涉及光电转换装置和图像拾取系统。一种光电转换装置包括多个单元，每个单元包括设置在半导体层中的电荷产生区。所述多个单元中的第一单元和第二单元均包括电荷储存区、电介质区以及第一遮光层，电荷储存区被配置为储存从电荷产生区传输到其的电荷，电介质区位于电荷产生区的上方并且被绝缘体层围绕，第一遮光层覆盖电荷储存区，位于绝缘体层和半导体层之间，并且第一遮光层具有位于电荷产生区上方的开口。第一单元的电荷产生区能够通过第一遮光层的开口接收光。第二单元的电荷产生区被第二遮光层覆盖。
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公开(公告)号：CN106169489B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610320405.2
申请日：2016-05-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及固态成像设备、固态成像设备的制造方法以及成像系统。根据一种实施例的固态成像设备的制造方法包括步骤：在基板上形成第一晶体管的栅电极和与第一晶体管相邻的第二晶体管的栅电极；形成覆盖第一晶体管的栅电极和第二晶体管的栅电极的绝缘体膜，使得在第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极之间形成空隙；在绝缘体膜上形成膜；以及通过经由蚀刻去除膜的一部分而形成遮光构件。
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公开(公告)号：CN108074945A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711118602.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L21/8238 , H01L27/14623 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 一种固态成像设备、成像系统和用于制造固态成像设备的方法。该固态成像设备包括：遮光层，部署在像素区域和外围区域中并且在外围区域中的接触部分处电连接到基板，其中像素区域包含像素，像素包括光电转换元件和电荷保持部分，并且来自像素的信号在外围区域中被处理；第一绝缘层，在平面图中具有在电荷保持部分和接触部分之间的侧表面，并且部署在基板和遮光层之间；以及第一绝缘构件，部署在第一绝缘层的端部的侧表面上并且缓冲由于该端部引起的台阶。在平面图中遮光层的与第一绝缘构件重叠的部分的上表面的形状遵循第一绝缘构件的形状。
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公开(公告)号：CN117497547A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310960472.0
申请日：2023-08-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置及装备。光电转换装置包括第一半导体层中的第一构件、第二半导体层中的第二构件以及第三半导体层中的第三构件。在第一半导体层中，第一构件包括光电转换单元和被配置为转移在光电转换单元中生成的电荷的转移晶体管。在第二半导体层中，第二构件包括读出电路，该读出电路被配置为输出基于从转移晶体管转移的电荷的信号。第三构件包括被配置为处理信号的信号处理电路。第一构件、第二构件和第三构件被堆叠，并且构成读出电路的晶体管的源极区域或漏极区域包括自对准硅化物结构。
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公开(公告)号：CN106169490A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610328020.0
申请日：2016-05-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/70
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H01L27/146 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法和包括它的图像拾取系统。该固态图像拾取装置的制造方法包括：在形成第一传输晶体管的栅电极和第二传输晶体管的栅电极之后在基板之上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；通过以使得第一绝缘膜保持在光电转换单元的半导体区域和电荷保持单元的半导体区域上的方式蚀刻第二绝缘膜，通过第一绝缘膜，分别在第一和第二传输晶体管的栅电极的侧表面上形成第一结构和第二结构；和形成覆盖第一传输晶体管的栅电极、电荷保持单元的半导体区域和第二传输晶体管的栅电极的遮光膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106169489A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610320405.2
申请日：2016-05-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及固态成像设备、固态成像设备的制造方法以及成像系统。根据一种实施例的固态成像设备的制造方法包括步骤：在基板上形成第一晶体管的栅电极和与第一晶体管相邻的第二晶体管的栅电极；形成覆盖第一晶体管的栅电极和第二晶体管的栅电极的绝缘体膜，使得在第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极之间形成空隙；在绝缘体膜上形成膜；以及通过经由蚀刻去除膜的一部分而形成遮光构件。
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公开(公告)号：CN102637706A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027895.9
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14609 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14687
Abstract: 公开了半导体装置制造方法。从上方观察，第一波导构件形成在半导体基板的图像拾取区域和外围区域中。第一波导构件的位于外围区域中的部分被去除。然后执行平坦化步骤以平坦化第一波导构件的与半导体基板相反的一侧的表面。
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公开(公告)号：CN111063701A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910985723.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置和包括光电转换装置的装备。光电转换装置包括：半导体层，其中在受光区域中布置有第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有第二光电转换器；遮光壁，布置在半导体层上方并限定分别与第一光电转换器对应的孔；以及遮光膜，布置在半导体层上方。遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖第二光电转换器的第一部分。第一部分具有下表面和上表面。遮光壁包括第二部分，其与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离。第一部分在垂直于主表面的方向上的厚度大于第二部分在平行于主表面的方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN102637712B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210028244.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。
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