公开(公告)号：CN106169489B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201610320405.2

申请日：2016-05-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 矶部真里 ,  中塚俊介 ,  板桥政次 ,  关根康弘 ,  铃木翔

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及固态成像设备、固态成像设备的制造方法以及成像系统。根据一种实施例的固态成像设备的制造方法包括步骤：在基板上形成第一晶体管的栅电极和与第一晶体管相邻的第二晶体管的栅电极；形成覆盖第一晶体管的栅电极和第二晶体管的栅电极的绝缘体膜，使得在第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极之间形成空隙；在绝缘体膜上形成膜；以及通过经由蚀刻去除膜的一部分而形成遮光构件。

公开(公告)号：CN106169490A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610328020.0

申请日：2016-05-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中塚俊介 ,  铃木健太郎 ,  矶部真里 ,  板桥政次 ,  关根康弘 ,  铃木翔

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法和包括它的图像拾取系统。该固态图像拾取装置的制造方法包括：在形成第一传输晶体管的栅电极和第二传输晶体管的栅电极之后在基板之上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；通过以使得第一绝缘膜保持在光电转换单元的半导体区域和电荷保持单元的半导体区域上的方式蚀刻第二绝缘膜，通过第一绝缘膜，分别在第一和第二传输晶体管的栅电极的侧表面上形成第一结构和第二结构；和形成覆盖第一传输晶体管的栅电极、电荷保持单元的半导体区域和第二传输晶体管的栅电极的遮光膜。

公开(公告)号：CN106169489A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610320405.2

申请日：2016-05-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 矶部真里 ,  中塚俊介 ,  板桥政次 ,  关根康弘 ,  铃木翔

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及固态成像设备、固态成像设备的制造方法以及成像系统。根据一种实施例的固态成像设备的制造方法包括步骤：在基板上形成第一晶体管的栅电极和与第一晶体管相邻的第二晶体管的栅电极；形成覆盖第一晶体管的栅电极和第二晶体管的栅电极的绝缘体膜，使得在第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极之间形成空隙；在绝缘体膜上形成膜；以及通过经由蚀刻去除膜的一部分而形成遮光构件。