公开(公告)号：CN102822998A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201280001044.5

申请日：2012-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  石原邦亮 ,  八乡昭广 ,  吉田乔久 ,  上野昌纪 ,  木山诚

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025

Abstract: 半导体器件（5），其包括支撑衬底（60）、置于支撑衬底（60）上的导电层（50）以及置于导电层（50）上的至少一个III族氮化物半导体层（200）。在III族氮化物半导体层（200）之中，导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度和至多为5×1018cm-3的氧浓度。因此，可以提供具有高结晶度的半导体层的n向下型器件。

公开(公告)号：CN101315967A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108445.6

申请日：2008-05-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了粘贴有III－V族氮化物半导体层的衬底，由其可生产性能提高的半导体器件，和包含所述粘贴有III－V族氮化物半导体层的衬底的半导体器件。在所述粘贴有III－V族氮化物半导体层的衬底中，III－V族氮化物半导体层和基础衬底被粘贴到一起，其特征在于所述III－V族氮化物半导体层和基础衬底之间的热膨胀系数之差为4.5×10－6K－1或更小，且所述基础衬底的导热系数为50W·m－1·K－1或更大。

公开(公告)号：CN101241855A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810008534.3

申请日：2008-01-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广 ,  松本直树 ,  西浦隆幸

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/40 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30621

Abstract: 提供一种能够增强衬底PL强度的III－V族化合物半导体衬底制造方法。在这种III－V族化合物半导体衬底制造方法中，首先，抛光晶片3的表面3a(抛光步骤)。其次，清洗晶片3的表面3a(第一清洗步骤S7)。接下来，使用含卤素气体，对晶片3的表面3a进行第一干蚀刻，同时将第一偏压功率施加到用于承载晶片3的卡盘24上。随后，使用含卤素气体，对晶片3的表面3a进行第二干蚀刻(第二干蚀刻步骤S11)，同时将比第一偏压功率低的第二偏压功率施加到卡盘24。

公开(公告)号：CN101038895A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710088106.1

申请日：2007-03-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02005 ,  C30B29/406 ,  C30B33/08 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00

Abstract: 使抗破裂氮化镓衬底和测试并制造这种衬底的方法可用。氮化镓衬底(10)设有被抛光为镜面磨光的正面(12)、与正面(12)相对的衬底侧面上的背面(14)。在背面(14)上形成其厚度d是30μm或以下的损坏层(16)。假定正面(12)的强度是I1，以及背面(14)的强度是I2，那么比率I2/I1是0.46或以上。

公开(公告)号：CN1883859A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610093295.7

申请日：2006-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  西浦隆幸

IPC: B23H1/00 ,  B23H1/06 ,  B23H7/08 ,  H01L21/302

Abstract: 在加工晶体的方法中，当加工氮化物半导体晶体(1)时，将电压施加在所述氮化物半导体晶体(1)和工具电极(3)之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和加工。

公开(公告)号：CN104781907B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480002997.2

申请日：2014-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  松本直树 ,  中西文毅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L27/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts的支撑衬底(11)和具有比厚度ts薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数αf中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数αs确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10‑6K‑1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量Es和厚度ts、III族氮化物膜(13)的杨氏模量Ef和厚度tf，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN104781907A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201480002997.2

申请日：2014-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  松本直树 ,  中西文毅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L27/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts的支撑衬底(11)和具有比厚度ts薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数αf中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数αs确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10-6K-1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量Es和厚度ts、III族氮化物膜(13)的杨氏模量Ef和厚度tf，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN103014866A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210441633.7

申请日：2007-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。

公开(公告)号：CN102906857A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025487.3

申请日：2011-11-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  吉田浩章 ,  山本喜之 ,  八乡昭广 ,  松原秀树

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种III族氮化物复合衬底(1)，其包含支持衬底(10)；在所述支持衬底(10)上形成的氧化物膜(20)；和在所述氧化物膜(20)上形成的III族氮化物层(30a)。所述氧化物膜(20)可以为选自由TiO2膜和SrTiO3膜组成的组中的膜，并且在所述氧化物膜中可添加有杂质。因此，提供其中支持衬底和III族氮化物层之间的结合强度高的III族氮化物复合衬底。

公开(公告)号：CN102282684A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200980154826.0

申请日：2009-11-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广 ,  中村孝夫 ,  吉村雅司

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种缺陷最少的发光器件用衬底，其使得发射的光能够从器件的衬底侧面射出，且本发明提供一种发光器件用衬底(100)，其具有对波长为400nm～600nm的光透明的透明衬底(10)；和通过接合而形成在所述透明衬底(10)的一个主表面上的氮化物类化合物半导体薄膜(1c)。设所述透明衬底在与所述透明衬底的主表面垂直的方向上的热膨胀系数为α1，且设所述氮化物类化合物半导体薄膜的热膨胀系数为α2，则(α1-α2)/α2为-0.5～1.0，并在1200℃以下的温度下，所述透明衬底不会与所述氮化物类化合物半导体薄膜(1c)反应。所述透明衬底(10)的绝对折射率优选是所述氮化物类化合物半导体薄膜的绝对折射率的60％～140％。