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公开(公告)号：CN101345221A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810130233.8
申请日：2008-06-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种GaN衬底，由该GaN衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在GaN衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造GaN衬底的方法。该GaN衬底是具有主表面的衬底，相对于其法线矢量，[0001]平面取向在两个不同的离轴方向上倾斜。
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公开(公告)号：CN101350333A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810130234.2
申请日：2008-06-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的GaN衬底、具有在GaN衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该GaN衬底的方法，通过该GaN衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，如具有改进性能如发光效率、工作寿命等的发光元件。GaN衬底具有主表面，并包括低缺陷晶体区和邻近于低缺陷晶体区的缺陷集中区。低缺陷晶体区和缺陷集中区从主表面延伸到位于主表面的反向侧的后表面。面方向[0001]相对于该主表面的法线矢量在偏斜角方向上倾斜。
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公开(公告)号：CN1171621A
公开(公告)日：1998-01-28
申请号：CN97113522.3
申请日：1997-05-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y10S148/113
Abstract: 本发明可得到一种具有蓝光亮度更高的发光器件。在GaAs衬底(8)上形成氮化镓复合层(9),然后至少部分去除GaAs衬底(8)以形成发光器件。由于去除了GaAs衬底(8),与全部保留GaAs衬底(8)的情况相比,光吸收减少。这样,可以得到蓝光亮度更高的发光器件。
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公开(公告)号：CN1134037A
公开(公告)日：1996-10-23
申请号：CN95120460.2
申请日：1995-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/36
CPC classification number: H01L33/025 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供了可以使用在诸如发光元件等中的高性能的外延片，以及可工业化制造该外延片的方法。外延片具有由GaAs，GaP，InAs，InP形成的组中选出的化合物半导体基板1，形成在基板1上的厚度为10毫微米～80毫微米的由GaN构成的缓冲层2，形成在缓冲层2上的含有GaN的外延层3。用有机金属氯化物气相外延生长法，在第一温度下形成缓冲层2，用有机金属氯化物气相外延生长法，在比第一温度高的第二温度下形成外延层3。
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公开(公告)号：CN100573822C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710127356.1
申请日：2007-07-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L22/26 , H01L21/187 , H01L21/76251 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/0075 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法。提供一种制造薄GaN接合膜衬底的方法，包括步骤：在GaN块状晶体上接合与GaN类型或化学成分不同的衬底；在离不同类型的衬底的界面具有至少0.1μm和至多100μm距离的平面处隔开GaN块状晶体，以在不同类型的衬底上提供GaN薄膜，其中GaN块状晶体具有接合到不同类型的衬底的表面，具有至多20μm的最大表面粗糙度Rmax。由此可以以低成本制备一种包括薄GaN接合膜衬底和沉积在GaN薄膜上的至少一个基于GaN的半导体层的基于GaN的半导体器件，该薄GaN接合膜衬底包括不同类型的衬底和固定在不同类型衬底上的GaN薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101101868A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127356.1
申请日：2007-07-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L22/26 , H01L21/187 , H01L21/76251 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/0075 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法。提供一种制造薄GaN接合膜衬底的方法，包括步骤：在GaN块状晶体上接合与GaN类型或化学成分不同的衬底；在离不同类型的衬底的界面具有至少0.1μm和至多100μm距离的平面处隔开GaN块状晶体，以在不同类型的衬底上提供GaN薄膜，其中GaN块状晶体具有接合到不同类型的衬底的表面，具有至多20μm的最大表面粗糙度Rmax。由此可以以低成本制备一种包括薄GaN接合膜衬底和沉积在GaN薄膜上的至少一个基于GaN的半导体层的基于GaN的半导体器件，该薄GaN接合膜衬底包括不同类型的衬底和固定在不同类型衬底上的GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN1090382C
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN98109520.8
申请日：1998-05-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/02021 , H01L21/76224 , H01L21/76264 , H01L21/76281
Abstract: 一种由III-V族化合物半导体构成的晶片(21)包括由III-V族化合物构成的衬底(22)和在衬底(22)上形成的III-V族化合物层构成的外延层(26)，半导体衬底的外周边缘部分被这样倒角，使得其截面大体上是半径为R的弧形。离开衬底(22)的外周边缘距离为L的衬底(22)的一部分被去掉，所述距离L满足下面的表达式R≤L≤3R。
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公开(公告)号：CN102437265A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110393534.1
申请日：2008-10-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及外延晶片。假定r(m)表示GaN衬底(10)的半径，t1(m)表示GaN衬底的厚度，h1(m)表示在形成外延晶片(20)之前的GaN衬底(10)的翘曲，t2(m)表示AlxGa(1-x)N层(21)的厚度，h2(m)表示外延晶片的翘曲，a1表示GaN的晶格常数并且a2表示AlN的晶格常数，由下面的表达式1得到的值t1确定为GaN衬底(10)的最小厚度：(1.5×1011×t13+1.2×1011×t23)×{1/(1.5×1011×t1)+1/(1.2×1011×t2)}/{15.96×x×(1-a2/a1)}×(t1+t2)+(t1×t2)/{5.32×x×(1-a2/a1)}-(r2+h2)/2h＝0。形成厚度为至少该最小厚度(t1)且小于400μm的GaN衬底(10)。
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公开(公告)号：CN1201998A
公开(公告)日：1998-12-16
申请号：CN98109520.8
申请日：1998-05-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/02021 , H01L21/76224 , H01L21/76264 , H01L21/76281
Abstract: 一种由Ⅲ－V族化合物半导体构成的晶片(21)包括由Ⅲ－V族化合物构成的衬底(22)和在衬底(22)上形成的Ⅲ－V族化合物层构成的外延层(26),半导体衬底的外周边缘部分被这样倒角,使得其截面大体上是半径为R的弧形。离开衬底(22)的外周边缘距离为L的衬底(22)的一部分被去掉,所述距离L满足下面的表达式R≤L≤3R。
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公开(公告)号：CN1164759A
公开(公告)日：1997-11-12
申请号：CN97104545.3
申请日：1997-03-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/0075
Abstract: 在衬底上形成高质量InxGa1-xN(0＜x＜1)外延化合物半导体层的工艺。包括InCl3的第一气体和包括NH3的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以N2为载气在衬底上外延生长InN以形成InN缓冲层。此后，和第一和第二气体一起将包括HCl和Ga的第三气体引入到加热于高于第一温度的第二温度下的反应室，用N2气在缓冲层上生长外延InxGa1-xN层。用He代替N2作为载气，可获得质量更加均匀的InxGa1-xN层。此外，可将InN缓冲层更改为GaN缓冲层。
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