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公开(公告)号：CN118331639A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310137189.8
申请日：2023-02-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及工业实时数据处理领域，具体涉及一种软件定义实时计算微处理结构和方法。该结构包含了4个可配置计算计算单元与两个数据加减选择模块，共同构成2级可拆分可组合的实时计算微结构。通过配置该结构中的寄存器、操作码，既可以实时地并行处理4路工业现场数据在阈值比较、倍数放大、偏置计算等简单运算，又可以通过组合的方式实现组合方程、坐标变换等复杂运算，在实现数据实时处理的同时，保证了灵活性。
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公开(公告)号：CN117003197B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311247135.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法，包括：在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱；围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙，并对间隙进行临时填充；在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶，并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层，形成光波导；在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构，减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆，并形成垂直敏感结构；用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块；去除临时填充的材料，对得到的芯体结构进行密封，形成垂直法珀腔。
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公开(公告)号：CN116429299A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310686488.7
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种可晶圆系统集成的压力传感芯片制造方法，包括深槽隔离步骤，深刻蚀间隙步骤，电极生长步骤，深刻蚀进气孔步骤，气密封装步骤。本发明在绝缘体上硅晶圆的垂直方向制造深槽平行板电容结构，与传统的在晶圆上下表面水平方向制造压力敏感膜片的方法相比，占用的芯片面积较小；深槽平行板电容结构的真空参考腔需要密封的面积小，并不一定依赖复杂的硅‑硅、硅‑玻璃键合工艺；且垂直方向的压力敏感膜片可以与梳齿式平行板电容结构相结合，形成类似差分式的结构，具有放大压力信号的功能，有利于与信号处理部分在晶圆上实现单片集成。
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公开(公告)号：CN116130436A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211566235.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了关于集成多孔微流道散热结构阵列的封装结构及其制备方法，所述封装结构包括晶圆基板，芯片阵列和PCB供电板。晶圆基板为集成了高密度的纳米多孔微流道散热结构阵列和信号传递部分的一体结构。根据不同芯片的功耗，纳米多孔微流道散热结构可设置具有不同通道宽度和孔隙尺寸的微通道，在实现对芯片阵列精准散热的同时，明显减小封装结构的厚度，提高了系统集成度。微流道盖板采用聚二甲基硅氧烷材料，做密封层和应力缓冲层；并且在封装结构制备过程中采用两次临时氮化铝载板键合，可避免大尺寸晶圆基板异质异构集成过程产生的应力积累和基板损坏。
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公开(公告)号：CN116108796A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310223644.6
申请日：2023-03-02
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本说明书公开了一种晶圆基板版图生成方法、装置、设备及存储介质，可以通过将组成晶圆基板的各层结构划分为两个不同的模块，并且在生成第一适配模块和结构模块对应的版图时可以分别基于不同的光刻工艺进行生成，通过第一适配模块在结构模块和异质异构芯粒之间进行适配，通过结构模块实现对应的结构功能连接，以及通过第二适配模块在结构模块和辅助供电板之间进行适配，进而使得可以生成能够适配于各种异质异构芯粒的晶圆基板版图。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115799076B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310052792.6
申请日：2023-02-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , G01D21/02 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种可测流速压力温度的晶圆系统微流道制造方法，包括：液体传感测量元件制造步骤：在硅晶圆上的微流道中分别沉积温度传感单元和流速传感单元、压力传感单元及对应的水平引线；薄膜沉积步骤：在所述硅晶圆上依次生长牺牲层和二氧化硅层；信号引出步骤：生长垂直引线，将所述硅晶圆上的所述温度传感单元、流速传感单元、压力传感单元通过所述水平引线和垂直引线引到外侧；选择性释放牺牲层步骤：用激光选择性加热或者湿法腐蚀的方法将所述牺牲层选择性去除，形成微流道。该方法在不需要与额外的硅片或玻璃片键合的情况下，就能制造出供冷却液水平方向流动的闭合管路，而且可以实时监测冷却液的温度、流速、压力等物理参数。
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公开(公告)号：CN114899185B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210812604.0
申请日：2022-07-12
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/18 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种适用于晶圆级异质异构芯粒的集成结构和集成方法，包括异质异构芯粒、硅转接板、晶圆基板以及芯粒配置基板，硅转接板上表面具有异构的微凸点用于键合异质异构芯粒，与一组异质异构芯粒键合形成标准集成件，硅转接板下表面具有统一标准化的微焊盘，与晶圆基板上表面的标准集成区域连接，标准及城区通过重布线层和统一标准化的微凸点阵列形成，晶圆基板利用其底部硅通孔与芯粒配置基板连接，芯粒配置基板为有机材料制作，其底部完成大型功率器件以及接插件的集成。本发明解决了因晶圆厂晶圆制备过程中光罩图案无法频繁更换的工艺流程的问题，从而为晶圆级的异质异构芯粒拼装集成提供高效可行的技术保障。
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公开(公告)号：CN114864525B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210796930.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/485 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了适用于晶上集成的晶圆基板标准集成区域布线结构与方法，包括核心电压网络、互连信号网络、时钟信号网络、以及地线网络，核心电压网络与互连信号网络同属于顶层金属层，时钟信号网络位于中层金属层，地线网络位于底层金属层。标准集成区域向上提供的管脚包括核心电压管脚、互连信号管脚、时钟信号管脚、地线管脚、复杂功能管脚，复杂功能管脚由晶圆底部TSV直接连接到系统外部，其余管脚通过所属信号网络实现连接；核心电压管脚与地线管脚采用条纹交错的方式分布在中心对称的井字形核心电压区内，互连信号管脚分布在标准集成区域四周的互连信号区。本发明解决了因布线层数多、布线缺乏规划引起的晶圆基板金属走线良率低的问题。
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公开(公告)号：CN115159444A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211045028.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种无引线的三维异构集成结构及制造方法，该结构包括密封键合部分、垂直通孔部分和异构集成部分，所述密封键合部分是使用与硅通孔填充材料兼容的材料制作的微电子传感器密封环、光波导密封环、微流道密封环，使用与硅通孔键合工艺兼容的工艺条件实现微电子传感器、光波导通路、微流道的密封键合；所述垂直通孔部分包括电学垂直通孔、光学垂直通孔、微流体垂直通孔；所述异构集成部分是在硅晶圆基板上制作带有重布线层和微凸点的电学互连结构、光学互连结构、冷却液流通结构，并通过使用所述硅晶圆基板、气密键合结构和带有垂直通孔部分的硅通孔转接板实现将不同功能的芯片实现晶上异构三维集成，同时具有局部冷却散热的功能。
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公开(公告)号：CN114823594A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210738227.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/492 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料界面的混合键合结构及方法，对待键合的芯粒下表面的绝缘层进行凹陷化处理；对待键合的半导体晶圆上表面键合区域的绝缘层进行凹陷化处理，凹陷处设置二维材料层，再将芯粒下表面与半导体晶圆上表面键合，利用二维材料薄层覆盖绝缘层，有效消除绝缘层表面的悬挂键，使键合界面达到原子级平整，有效降低键合的压力和温度，提升键合良率；此外，二维材料键界面可以降低键合界面缺陷密度，减少电迁移的发生，并通过热导率较高的二维材料界面，可以均匀化芯粒向晶圆的散热，从而提高键合的可靠性。
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