微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN117219518B

    公开(公告)日:2024-04-23

    申请号:CN202311466364.4

    申请日:2023-11-07

    Abstract: 本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括:形成多个延伸入预制基板的导电通道,及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅,其中,导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板,导电通道的长度大于金属翅的长度;形成从第一侧延伸入预制基板的微流道,得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道,其中,微流道的深度小于导电通道的长度;形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层;从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板,得到基板并使导电通道暴露于第二侧;以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。

    一种晶上系统封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN117080352A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311330498.3

    申请日:2023-10-16

    Abstract: 本发明公开了一种晶上系统封装结构及其制备方法,包括:第一晶圆基板、第二晶圆基板及芯片。第一晶圆基板包括第一衬底和第一互连层,第一衬底的第二面处设有第一微通道。第二晶圆基板与第一晶圆基板堆叠,第二晶圆基板包括第二衬底和第二互连层,第二衬底的第二面处设有第二微通道,第一微通道和第二微通道互相连通形成微通道散热结构。芯片设置在第一互连层,至少部分芯片设置在微通道散热结构对应的位置。第一晶圆基板和第二晶圆基板具有良好的导热性,可以快速散去芯片产生的热量,第一微通道和第二微通道可以实现对多种预制件的精准散热,进一步提高了散热效果,减小温度不均匀性。

    基于双探测器相位成像的声场探测系统、方法、电子设备、介质

    公开(公告)号:CN118795034B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411284619.X

    申请日:2024-09-13

    Abstract: 本发明提供了一种基于双探测器相位成像的声场探测系统、方法、电子设备、介质,包括:平行光场发射模块,用于产生脉冲平行光场以照明声场介质,脉冲平行光场经声场介质进行波前调制,经成像模块放大成像,经分束器将脉冲平行光场分束为透射波前和反射波前,通过第一光场探测器记录透射波前对应的第一光场强度分布,通过第二光场探测器记录反射波前对应的第二光场强度分布;超声换能器模块,用于产生待测高频声场;控制及计算模块,用于控制平行光场发射模块和第一光场探测器、第二光场探测器的同步,存储第一光场强度分布以及第二光场强度分布以计算待测的高频声场的复振幅分布。

    面向晶上集成的耐高温静电驱动垂直微镜光开关芯片

    公开(公告)号:CN117466240A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311711891.7

    申请日:2023-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种面向晶上集成的耐高温静电驱动垂直微镜光开关芯片,包括晶圆及其上的固定电极、可静电驱动垂直微镜、反射镜,可静电驱动垂直微镜为悬臂式或梳齿式,可静电驱动垂直微镜或反射镜为平面、凸面或凹面,通过固定电极和可静电驱动垂直微镜之间的排斥或吸引实现出射光线的移动,其中凹面镜或凸面镜实现出射光线角度的偏转,实现光信号切换;光开关芯片的制备工艺包括:在晶圆上表面深刻蚀形成固定电极、垂直微镜及反射镜,对垂直侧壁进行平坦化抛光;在晶圆、固定电极、垂直微镜和反射镜表面沉积二氧化硅绝缘层;在固定电极、垂直微镜及反射镜表面沉积金属层,通过剥离的方法形成互连线及金属化的固定电极、垂直微镜、反射镜。

    具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法

    公开(公告)号:CN117003197B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311247135.3

    申请日:2023-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法,包括:在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱;围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙,并对间隙进行临时填充;在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶,并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层,形成光波导;在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构,减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆,并形成垂直敏感结构;用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块;去除临时填充的材料,对得到的芯体结构进行密封,形成垂直法珀腔。

    面向晶上集成的具有耐高温垂直微镜结构的光计算芯片

    公开(公告)号:CN117486167A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311711893.6

    申请日:2023-12-13

    Abstract: 本发明公开了面向晶上集成的具有耐高温垂直微镜结构的光计算芯片,包括晶圆及其上若干光计算基本单元和光路控制光学元件,光计算基本单元包括N型光逻辑开关和P型光逻辑开关,二者均包括透光结构、可动结构、固定结构,根据逻辑需要向所述透光结构、可动结构、固定结构施加电压,实现可动结构保持不动、偏转或移动,进而实现光路的通断;光计算基本单元通过如下过程制备得到:在晶圆上表面深刻蚀或先沉积结构层再光刻刻蚀形成包括透光结构、可动结构、固定结构的垂直微镜结构;对垂直微镜结构的垂直侧壁进行平坦化抛光;在垂直微镜结构上和晶圆衬底间沉积绝缘层,实现电学绝缘隔离;在垂直微镜结构上沉积金属层,形成引线互连。

    基于双探测器相位成像的声场探测系统、方法、电子设备、介质

    公开(公告)号:CN118795034A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202411284619.X

    申请日:2024-09-13

    Abstract: 本发明提供了一种基于双探测器相位成像的声场探测系统、方法、电子设备、介质,包括:平行光场发射模块,用于产生脉冲平行光场以照明声场介质,脉冲平行光场经声场介质进行波前调制,经成像模块放大成像,经分束器将脉冲平行光场分束为透射波前和反射波前,通过第一光场探测器记录透射波前对应的第一光场强度分布,通过第二光场探测器记录反射波前对应的第二光场强度分布;超声换能器模块,用于产生待测高频声场;控制及计算模块,用于控制平行光场发射模块和第一光场探测器、第二光场探测器的同步,存储第一光场强度分布以及第二光场强度分布以计算待测的高频声场的复振幅分布。

    晶上集成结构及其形成方法

    公开(公告)号:CN117246976A

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202311533163.1

    申请日:2023-11-17

    Abstract: 本公开涉及晶上集成结构及其形成方法。该用于形成晶上集成结构的方法包括:在第一基板形成锁孔结构,形成锁孔结构的步骤包括:形成从基板的键合面延伸入基板的键合槽;形成多个从键合槽延伸入基板的键合孔;形成低陷在键合槽内的金属层结构;在第二基板形成凸闩结构,形成凸闩结构的步骤包括:形成层叠于基板的金属焊盘,其中,金属焊盘的外周与对应的键合槽的槽壁匹配;形成多个层叠于金属焊盘的金属凸点,金属焊盘处金属凸点的位置与对应的键合槽内键合孔的位置匹配;形成延伸入基板的流道结构;将金属焊盘对接于键合槽内;以及将凸闩结构键合于锁孔结构。该方法执行简单。此外,该方法能够将两个基板牢固可靠地连接。

    晶上集成结构及其形成方法

    公开(公告)号:CN117246976B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311533163.1

    申请日:2023-11-17

    Abstract: 本公开涉及晶上集成结构及其形成方法。该用于形成晶上集成结构的方法包括:在第一基板形成锁孔结构,形成锁孔结构的步骤包括:形成从基板的键合面延伸入基板的键合槽;形成多个从键合槽延伸入基板的键合孔;形成低陷在键合槽内的金属层结构;在第二基板形成凸闩结构,形成凸闩结构的步骤包括:形成层叠于基板的金属焊盘,其中,金属焊盘的外周与对应的键合槽的槽壁匹配;形成多个层叠于金属焊盘的金属凸点,金属焊盘处金属凸点的位置与对应的键合槽内键合孔的位置匹配;形成延伸入基板的流道结构;将金属焊盘对接于键合槽内;以及将凸闩结构键合于锁孔结构。该方法执行简单。此外,该方法能够将两个基板牢固可靠地连接。

    一种晶上系统封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN117080352B

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311330498.3

    申请日:2023-10-16

    Abstract: 本发明公开了一种晶上系统封装结构及其制备方法,包括:第一晶圆基板、第二晶圆基板及芯片。第一晶圆基板包括第一衬底和第一互连层,第一衬底的第二面处设有第一微通道。第二晶圆基板与第一晶圆基板堆叠,第二晶圆基板包括第二衬底和第二互连层,第二衬底的第二面处设有第二微通道,第一微通道和第二微通道互相连通形成微通道散热结构。芯片设置在第一互连层,至少部分芯片设置在微通道散热结构对应的位置。第一晶圆基板和第二晶圆基板具有良好的导热性,可以快速散去芯片产生的热量,第一微通道和第二微通道可以实现对多种预制件的精准散热,进一步提高了散热效果,减小温度不均匀性。

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