公开(公告)号：CN105161433A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510629484.0

申请日：2015-09-28

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林正忠 ,  蔡奇风

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2924/18162 ,  H01L24/81

Abstract: 本发明提供一种扇出型晶圆级封装方法，包括：提供一载体，在载体表面形成粘合层；将至少一半导体芯片正面朝上贴装于粘合层表面；采用塑封工艺将所述半导体芯片塑封于塑封材料层中，并同时在塑封材料层内形成与后续要形成的连接通孔及重新布线层相对应的开口；在开口内形成连接通孔及重新布线层。本发明采用塑封工艺将所述半导体芯片塑封于塑封材料层中，并同时在塑封材料层内形成与连接通孔及重新布线层相对应的开口，减少了涂覆介电层、光刻RDL层等工艺步骤，有效地降低了生产成本，且整个工艺过程中步骤简单，可以大大提高产品的产量，在半导体封装域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN106206333A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610654528.X

申请日：2016-08-10

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 蔡奇风 ,  林正忠

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明提供一种扇出型晶圆级封装方法，包括：在一载体表面形成释放层；在形成有释放层的载体表面开设凹槽；将裸芯片正面朝下放入所述凹槽中，使所述裸芯片的局部嵌入在所述凹槽内，背面凸出于所述载体表面；在嵌有所述裸芯片的载体表面形成成型复合物，使所述成型复合物包裹所述裸芯片凸出于所述载体表面的部分；去除所述释放层，使所述裸芯片与所述载体分离，露出所述裸芯片的正面；以及形成再布线层和安装金属凸块。本发明利用凹槽的卡位作用固定裸芯片，避免或减少了封装过程中裸芯片的位移，使封装件可以具有更窄的器件焊盘间隙和更高的输入输出数；并且可以提高产品良率和产量，减小再布线层的线宽和线隙，缩小封装尺寸，降低成本。

公开(公告)号：CN109994594A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201711467954.3

申请日：2017-12-29

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 蔡奇风 ,  陈彦亨 ,  林正忠 ,  吴政达

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法，所述封装结构包括：重新布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块；发光二极管芯片，装设于所述重新布线层的第二面上，其中，所述发光二极管芯片的电极背离所述重新布线层；导线，连接于所述发光二极管芯片的电极与所述重新布线层的第二面，以实现所述发光二极管芯片与所述重新布线层的电性连接；以及荧光材料，包围于所述发光二极管芯片及所述导线。本发明的发光二极管芯片创新的采用扇出型封装结构，封装密度高，可有效降低封装体积，本发明具有良好的散热效果，可大大提高芯片的耐用性能及寿命。

公开(公告)号：CN105203175B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510621605.7

申请日：2015-09-24

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林正忠 ,  蔡奇风

IPC: G01F17/00

Abstract: 本发明提供一种焊料层的体积测量方法，包括：提供一基底；在基底上形成凸块结构，凸块结构由下至上依次包括导电柱、覆盖层及焊料层；在第一温度条件下，采用塑封工艺将凸块结构塑封于塑封材料中；继续升温至第二温度，使所述凸块结构与塑封材料相分离，并在塑封材料中形成与凸块结构相对应的凹槽；向凹槽内注入液体，注入的液体刚好填满凹槽内对应于焊料层的区域；量测凹槽内液体的体积，并依据液体的体积判断焊料层的体积。本发明的量测方法快速便捷，精确度高，可以非常精确地量测所述焊料层的体积。

公开(公告)号：CN106486444A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510549539.7

申请日：2015-08-31

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林正忠 ,  蔡奇风

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种凸块结构、封装组件及其形成方法，所述凸块结构包括：导电柱，所述导电柱的顶部形成有凹面；覆盖层，所述覆盖层覆盖所述导电柱的顶部；焊料层，所述焊料层位于所述凹面内的所述覆盖层上。通过在导电柱的顶部设置凹面，并将焊料层设置于所述凹面内，使得所述焊料层在倒装芯片回流工艺后，即使在高温条件下，所述焊料层会被限制在所述凹面内，不会从其原有的位置凸出至所述导电柱的两侧，可以有效地避免相邻焊料层接触发生短路；本发明可以使得倒装芯片封装件的尺寸更小、更轻，进而降低生产成本。

公开(公告)号：CN106098630A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610648702.X

申请日：2016-08-09

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 蔡奇风 ,  林正忠

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/18162 ,  H01L25/50 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/0655

Abstract: 本发明提供一种扇出型晶圆级封装方法及封装件，该封装方法提供一载体；在所述载体正面开设沟槽；提供具有接触焊盘的裸芯片，将所述裸芯片正面朝下放入所述沟槽中；在裸芯片背面形成覆盖所述裸芯片的成型复合物；研磨所述载体的背面，使所述裸芯片的正面露出；形成再布线层，使所述再布线层与所述裸芯片的接触焊盘电连接；安装金属凸块，使所述金属凸块通过所述再布线层与所述裸芯片的接触焊盘电连接。本发明利用沟槽的卡位作用固定裸芯片，避免或减少了封装过程中裸芯片的位移，使封装件可以具有更窄的器件焊盘间隙和更高的输入输出数；并且可以提高产品良率和产量，减小再布线层的线宽和线距，缩小封装尺寸，降低成本。

公开(公告)号：CN105225965A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510741725.0

申请日：2015-11-03

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林正忠 ,  蔡奇风

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/488 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L25/065 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1533 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/498 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法，所述方法包括以下步骤：S1：提供一基板，在所述基板上表面形成粘胶层；S2：在所述粘胶层上表面形成再分布引线层；S3：在所述再分布引线层上表面键合至少一个第一芯片并制作至少两个第一凸块结构；所述第一芯片与所述第一凸块结构均与所述再分布引线层电连接，且所述第一凸块结构的顶部高于所述第一芯片的顶部；S4：在所述再分布引线层上表面形成塑封层，所述塑封层覆盖所述第一芯片，且暴露出所述第一凸块结构的上端；S5：去除所述基板及粘胶层，在所述再分布引线层下表面制作第二凸块结构。本发明可以减少芯片与再分布引线层之间的偏移，提高良率；且封装过程更为简单，可以降低生产成本。

公开(公告)号：CN105203175A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510621605.7

申请日：2015-09-24

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林正忠 ,  蔡奇风

IPC: G01F17/00

Abstract: 本发明提供一种焊料层的体积测量方法，包括：提供一基底；在基底上形成凸块结构，凸块结构由下至上依次包括导电柱、覆盖层及焊料层；在第一温度条件下，采用塑封工艺将凸块结构塑封于塑封材料中；继续升温至第二温度，使所述凸块结构与塑封材料相分离，并在塑封材料中形成与凸块结构相对应的凹槽；向凹槽内注入液体，注入的液体刚好填满凹槽内对应于焊料层的区域；量测凹槽内液体的体积，并依据液体的体积判断焊料层的体积。本发明的量测方法快速便捷，精确度高，可以非常精确地量测所述焊料层的体积。

公开(公告)号：CN105225965B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201510741725.0

申请日：2015-11-03

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林正忠 ,  蔡奇风

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法，所述方法包括以下步骤：S1：提供一基板，在所述基板上表面形成粘胶层；S2：在所述粘胶层上表面形成再分布引线层；S3：在所述再分布引线层上表面键合至少一个第一芯片并制作至少两个第一凸块结构；所述第一芯片与所述第一凸块结构均与所述再分布引线层电连接，且所述第一凸块结构的顶部高于所述第一芯片的顶部；S4：在所述再分布引线层上表面形成塑封层，所述塑封层覆盖所述第一芯片，且暴露出所述第一凸块结构的上端；S5：去除所述基板及粘胶层，在所述再分布引线层下表面制作第二凸块结构。本发明可以减少芯片与再分布引线层之间的偏移，提高良率；且封装过程更为简单，可以降低生产成本。

公开(公告)号：CN105225977B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201510738820.5

申请日：2015-11-03

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林正忠 ,  蔡奇风

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种铜柱凸块结构的制作方法，包括以下步骤：S1：提供一晶圆级芯片基体，在其表面形成凸块下金属层；S2：形成一光阻层，并形成若干光阻层开口；S3：形成塑封层；S4：采用微压印方法在所述塑封层中形成若干塑封层开口；S5：在所述塑封层开口内自下而上依次形成铜柱及锡基金属合金柱；S6：去除所述光阻层及所述塑封层；S7：去除所述铜柱周围多余的所述凸块下金属层，并进行回流工艺使所述锡基金属合金柱形成锡基金属合金帽。本发明采用塑封层材料代替了厚光阻层，并采用微压印方法在所述塑封层中形成铜柱凸块图形，其中，微压印方法形成图形与光学问题无关，从而可以显著减小特征尺寸偏移，使得特征尺寸更加精确，并降低了工艺复杂性。