一种Mn4+掺杂的深红光荧光粉及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114921249A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210818831.4

    申请日:2022-07-08

    Abstract: 本发明属于荧光材料技术领域,具体涉及一种深红光荧光粉,并进一步公开其制备方法以及应用。本发明所述深红光荧光粉包括组成化学式为AxRrQqMy:zD的无机化合物,激发波长在200–500nm,所述荧光粉能很好地被紫外光至蓝光所激发,在红光区的发射峰值为620–800nm的波长范围。本发明制备的深红光荧光粉工艺简单,且发光量子产率高、无污染,在工业大规模制备中具有潜在应用。

    油胺油酸修饰的四价锰掺杂氟化物红光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113583656A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110969488.9

    申请日:2021-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种油胺油酸修饰的四价锰掺杂氟化物红光材料及其制备方法。该材料以有机胺金属氟酸盐为基质,四价锰离子Mn4+为激活剂,油酸油胺为配体,化学组成为A2B1‑xF6:xMn4+(OA,OC),x的取值为0.1%~5%,A为刚性对称‑不对称结构有机氟盐,B为Ti4+、Si4+、Zr4+、Ge4+、Sn4+;通过蓝光灯激发,该型荧光粉发出明亮的红光,发光强度高,具有较好的稳定性和耐潮性。本发明中所采用的制造方法简单,所得产品质量稳定,不但可补充商用冷白光LED的红光缺失部分,提高其显色指数,而且通过与油酸油胺等配体结合,极大的提高荧光材料的抗湿性能,降低封装难度,适宜大规模生产。

    一种促进植物生长的光转化膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113684019B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202110832492.0

    申请日:2021-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种促进植物生长的近红外光转化膜及其制备方法,其化学式为(Ph4P)2SbCl5。本发明得光转化膜吸收紫外光而发出发光峰位于700nm,半高宽为176nm的红外光,而红外光和植物中叶绿素a和叶绿素b的红光吸收区域(600‑680nm)相匹配。此外,该材料在室温下合成不需要铅元素的参与,且在室温下稳定性好,量子效率高,可通过简单工艺制成促进植物生长的光转化膜,用节能环保的方法提高了光利用率,有大批量工业化的潜力。

    一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112331793A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202011242065.9

    申请日:2020-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括溶液和器件结构,所述溶液包括PEDOT:PSS、溶于氯苯的Poly‑TPD溶液以及溶于DMSO的Ph4PCl和SbCl3溶液,其中Ph4PCl和SbCl3的摩尔比为2:1。所述的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Poly‑TPD/(Ph4P2)SbCl5/TPBi/LiF/Al。从而实现零维金属卤化物的橙色电致发光器件,以促进零维金属卤化物在显示照明上的应用。本发明中的各功能层对环境友好,制备方法简便,同时适应于其它零维金属卤化物,具有良好的应用前景。

    一种离子型大位阻锑化物发光材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115073523B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202210856357.4

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明属于发光材料领域,具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X=Sb,As,P,优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带,最佳激发峰位于365nm处,可以很好的与商用紫外芯片相匹配,发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好,克服了传统铅基钙钛矿材料的毒性和不稳定性;而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低,反应条件温和,生产周期短,荧光量子产率高,在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。

    一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112331793B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202011242065.9

    申请日:2020-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括溶液和器件结构,所述溶液包括PEDOT:PSS、溶于氯苯的Poly‑TPD溶液以及溶于DMSO的Ph4PCl和SbCl3溶液,其中Ph4PCl和SbCl3的摩尔比为2:1。所述的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Poly‑TPD/(Ph4P)2SbCl5/TPBi/LiF/Al。从而实现零维金属卤化物的橙色电致发光器件,以促进零维金属卤化物在显示照明上的应用。本发明中的各功能层对环境友好,制备方法简便,同时适应于其它零维金属卤化物,具有良好的应用前景。

    一种铈(Ⅲ)基金属卤化物透明玻璃闪烁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118373846A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410477288.5

    申请日:2024-04-19

    Abstract: 本发明公开一种铈(Ⅲ)基金属卤化物透明玻璃闪烁体及其制备方法和应用其化学表达式为:OruCe(Ⅲ)vBr3v,其中Or为季膦盐,u,v,3v分别表示Or,Ce(Ⅲ),Br的摩尔含量。包括步骤:将隔绝水氧环境中,将Or与CeBr3按照化学组成研磨混合,加热熔融成熔融物,排气泡得到玻璃液;将玻璃液冷却得到所述铈(Ⅲ)基金属卤化物透明玻璃闪烁体。该玻璃在衰减寿命方面表现出显著的优势,在保证光产额的同时,衰减寿命显著降低,很好的满足高能射线探测的快速响应需求。对比同类型器件不仅能维持一个高的光产额且进一步降低衰减时间。使其在X射线高分辨成像领域具有极强的竞争力,存在巨大的发展潜力。

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