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公开(公告)号：CN114371551B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202011096018.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微纳加工技术领域，特别涉及一种微镜结构及其制备方法。衬底晶圆包括相对的第一表面和第二表面，所述驱动电极层设置在所述第一表面；所述衬底晶圆和所述驱动电极层上设有通孔；所述第一绝缘层设置在所述驱动电极层的表面和所述通孔的内壁上；所述支撑梁的第一端穿过所述通孔与所述固定层连接，所述支撑梁与所述通孔之间存在第一预设间隙；所述固定层设置在所述第二表面；所述驱动电极层中设有第一驱动电极、第二驱动电极和屏蔽电极；所述微镜设置在所述支撑梁的第二端上，所述微镜与所述第一绝缘层之间存在第二预设间隙。本申请实施例所述的微镜结构可以在减小单元尺寸的同时保证微镜的面内横向位移可与入射光波长相比拟。
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公开(公告)号：CN111721456A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010152321.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种复合触觉传感器，其包括力传感器，用于检测目标物体的压力值；摩擦发电机，该摩擦发电机与该力传感器连接，该摩擦发电机用于检测该目标物体与该摩擦发电机的接触滑移；支撑层，该支撑层上设有该力传感器和该摩擦发电机，该支撑层用于承载集成该力传感器和该摩擦发电机。本发明提供的复合触觉传感器具有能耗低的特点。
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公开(公告)号：CN106915723A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510998013.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0015
Abstract: 本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5）在所述（111）硅片正面形成第三深槽；6）在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7）采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁-质量块结构，可降低整个工艺的成本；梁结构的厚度由从（111）硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定，工艺精度高。
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公开(公告)号：CN106841396A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510881188.X
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N29/14
CPC classification number: G01N29/14
Abstract: 本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法，包括：声发射敏感膜；停靠环，位于声发射敏感膜的下表面；边框，位于声发射敏感膜外围，且与声发射敏感膜相隔一定的间距；边框的上表面设有上电极，下表面设有第一绝缘层；支撑膜，位于声发射敏感膜与边框之间；下电极硅片，下表面设有下电极，上表面设有第二绝缘层；第二绝缘层与第一绝缘层上下对应，且通过焊料层焊接在一起。支撑膜在大气压作用下变形，使得停靠环贴置于下电极硅片的上表面，声发射信号可以较好地耦合到声发射敏感膜上；在大气压作用下停靠环贴置于下电极硅片的上表面之后，声发射敏感膜与下电极硅片之间形成亚微米/纳米间隙，可极大地提高传感器的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119660670A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411699059.4
申请日：2024-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种二次封口真空封装工艺，包括如下步骤：(1)采用白锡作为封口焊料实现第一次真空封口；(2)将第一次封口后的MEMS微腔体结构在常温常压条件下放置；(3)第二次封口对准：将放置后的MEMS微腔体结构与第二次封口焊料对准并安装在制冷加热台上，并在二者之间放置催化剂；(4)对真空封装装置抽真空并保持，将制冷加热台的温度设定为低于13.2℃，使白锡转化为灰锡；(5)第二次真空封口：对真空封装装置抽真空，将制冷加热台的温度升高到焊接温度，使第二次封口焊料和掉落的灰锡粉末融化，并与电极焊接在一起，降温后完成第二次真空封口。本发明的封口工艺可提高真空封装工艺产能，降低产品成本。
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公开(公告)号：CN115215285B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110431854.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶向限制且可完全释放的敏感可动结构，从而本发明可实现(111)晶面上任意晶向MEMS器件的高精度及低成本制造。
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公开(公告)号：CN115919270A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211370489.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉过程根据施加压力由小到大，划分为若干个不同阶段；利用所述传感器阵列采集不同阶段的脉体压力分布曲线；基于所述脉体压力分布曲线，构建脉体的形变特征，并获取于各阶段的形变特征值；根据各所述形变特征值，获取脉体于所述切脉过程的总变化特征值；检测所述总变化特征值是否满足预设的脉体软度判定条件，根据检测结果获取脉体的软度判定结果，有效地提高了脉体软度判定的准确性。
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公开(公告)号：CN115813353A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211467963.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，传感器阵列包括至少4个压力传感器，各压力传感器沿第一方向排列，所述第一方向与桡动脉的延伸方向呈夹角设置，中医紧脉特征识别方法包括：获得各压力传感器在同一时刻的脉搏压力值；得到多个压力采样点，将各压力采样点连成包络曲线；获得同一脉搏周期内的多条包络曲线选取最大的纵坐标最大值所对应的包络曲线作为该脉搏周期的压力分布曲线，在各压力分布曲线中取一标识点代表该压力分布曲线的位置，统计各标识点的横坐标的变化量；将变化量与紧脉判定阈值比较，得到紧脉特征识别结果。本发明的基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，能够识别紧脉等复杂脉象。
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公开(公告)号：CN115215285A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110431854.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶向限制且可完全释放的敏感可动结构，从而本发明可实现(111)晶面上任意晶向MEMS器件的高精度及低成本制造。
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